【課題】正電圧もしくは負電圧を印加しても、絶縁状態に設定されたスイッチ側は、絶縁状態を維持することが可能な双方向スイッチが望まれていた。
【解決手段】双方向スイッチ回路は、正電圧もしくは負電圧が印加される第１の端子と、
前記第１の端子に接続され、フローティング状態の第１のウェル内に形成される第１導電型の第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと第２の端子との間に接続される第１導電型の第２のトランジスタとを有し、前記第１及び第２のトランジスタは前記第１の端子と前記第２の端子との間の導通状態を制御する。 （もっと読む）

【課題】複雑な回路構成を必要とせず、負荷のショートを検出することができる負荷制御装置を提供する。
【解決手段】パルス状のショート検出キャンセル信号によって、強制的にトランジスタＱ１を一定時間オンさせ、負荷３０に電流を流すためのトランジスタＴｒ１をオンさせる。そして、負荷３０がショートしているか否かの状態に従って接続点Ａに生じる電位に基づいてショート検出を行うショート検出回路２１を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】寄生容量による信号漏れを抑制する。
【解決手段】高周波スイッチ回路３０には、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ１乃至４、抵抗Ｒ１乃至９、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭ、ＲＦ端子ＰＲＦ１、ＲＦ端子ＰＲＦ２、制御端子ＰＶＣＯＮ１、及び制御端子ＰＶＣＯＮ２が設けられる。Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ１のバックゲート側に設けられる抵抗Ｒ２は、他端が共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭ側に接続される。Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ２のバックゲート側に設けられる抵抗Ｒ４は、他端が共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭ側に接続される。Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ３のバックゲート側に設けられる抵抗Ｒ６は、他端がＲＦ端子ＰＲＦ１側に接続される。Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ４のバックゲート側に設けられる抵抗Ｒ８は、他端がＲＦ端子ＰＲＦ２側に接続される。高周波スイッチ回路３０では、信号線と接地線が交差する部分がない。 （もっと読む）

【課題】ゲートアレイなどで構成する場合に、動作特性の低下をできるだけ抑制しつつ、各構成要素の配置の自由度が大きな電流負荷駆動回路の提供。
【解決手段】この発明は、ＬＥＤ４に代表される電流負荷を駆動する電流負荷駆動回路であり、第１カレントミラー回路１と、第２カレントミラー回路２と、第３カレントミラー回路３とを備えている。そして、第１、第２および第３カレントミラー回路１〜３の全体を入力回路５、中間回路６、および出力回路７に分割し、その分割位置を、第１カレントミラー回路１および第２カレントミラー回路２の各電圧経路上に設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】電圧クランプ機能を備える場合に、電源電圧が低下した場合のバイアスを十分に行うことができると共に、消費電力の増加も抑制できる半導体素子駆動回路を提供する。
【解決手段】クランプ用ＦＥＴ駆動部１８は、ＦＥＴ４をオン状態に制御するため外部より制御信号が与えられ、出力段のＦＥＴ２をオンさせる場合はＦＥＴ４のゲート電位をクランプするが、コンパレータ１４により電源電圧が閾値未満であると判断されると、上記電圧クランプ機能を無効化する。具体的には、ＦＥＴ９を遮断状態にすると共にスイッチ回路６を導通状態にして、クランプ機能を無効化すると同時に定電流源７によりＦＥＴ５を駆動する。 （もっと読む）

【課題】マイナス電源を不要にすることができ、コストの低減とプリント配線基板の小型化を図ることができるデプレッション型スイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】駆動回路１は、デプレッション型のGaN 系HEMT１０のゲートに、HEMT１０をオン／オフさせる制御信号を出力する発振器１１を備える。駆動回路１は、発振器１１からの制御信号をゲートへ供給する信号線１２に設けられたコンデンサ１３と、コンデンサ１３とゲートの間の信号線１２とHEMT１０のソースとの間に設けられたダイオード１４とを備える。発振器１１から高レベルの制御信号と低レベルの制御信号が周期的に出力されると、信号レベルが０（Ｖ）と負の電圧の間で周期的に変化するパルス波形のゲート信号がHEMT１０のゲートに印加され、HEMT１０をスイッチング動作させる。 （もっと読む）

【課題】安定したスイッチング特性を有するスイッチング回路を提供する。
【解決手段】コレクタが定電流源１１を介して電源Ｖｃｃに接続され、エミッタが基準電位ＧＮＤに接続されたトランジスタ１２と、コレクタの電位に基づき、トランジスタ１２のゲートに信号を出力してオンとオフを切換え、オフからオンに切り換えるときには、入力電圧Ｖｉｎがトランジスタ１２の閾値電圧Ｖｔｈより高い第１の電圧Ｖ１のときにトランジスタ１２を切換え、オンからオフに切り換えるときには、入力電圧Ｖｉｎがトランジスタ１２の閾値電圧Ｖｔｈより低い第２の電圧Ｖ２のときにトランジスタ１２を切換えるドライブ手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】１個のクロック信号入力に対して所定の正確な量の電荷を出力させるようにして、出力電荷量がクロックジッタの影響を受けないようにする。
【解決手段】トランジスタＭ１，Ｍ２でカレントミラー回路を構成し、スイッチＳＷ１をＯＦＦしスイッチＳＷ２をＯＮした状態から、スイッチＳＷ２をＯＦＦした後にスイッチＳＷ１をＯＮにし、キャパシタＣ１に充電される電荷に応じた電荷をトランジスタＭ２から出力させる。スイッチＳＷ１がＯＮしスイッチＳＷ２がＯＦＦしている期間が、キャパシタＣ１の両端の電圧がＶＤＤとＧＮＤ間の電位差からトランジスタＭ１の閾値電圧を差し引いた電圧に充電されるまでの時間よりも長くなるよう制御する。 （もっと読む）

【課題】電流制限動作時におけるパワーＭＯＳトランジスタの消費電力を低減させることにより、パワーＭＯＳトランジスタの発熱、すなわちパワーＭＯＳ回路の発熱を抑制することが可能なパワーＭＯＳ回路を実現する。
【解決手段】本発明に係るパワーＭＯＳ回路１は、電流制限回路１２が負荷２０に流れる電流を制限する場合に、パワーＭＯＳトランジスタＴｒ１のゲート端子に印加されるゲート電圧の変化を示すゲート電圧波形を、負荷２０に流れる電流が制限電流値を超えて流れている間の時間に比べて短い周期を有するパルス波形にするために、電流制限回路１２に静電容量Ｃ１を備え、電流制限回路１２の有する発振周波数によって、パワーＭＯＳトランジスタＴｒ１のオン・オフが制御される。 （もっと読む）

【課題】回路の急激な電圧降下を抑制するために装荷されるキャパシタンスを提案する。
【解決手段】入力ビット値が切り換わる過渡期においてはＭＯＳキャパシタンスの容量が顕在化して定電流回路における急激な電圧降下を抑制し、定電流回路を構成するＭＯＳトランジスタのドレイン・ソース間電圧Ｖ_DSがオーバードライブ電圧を下回るという問題を解消する。他方、低電流回路を構成するＭＯＳトランジスタのＶ_DSがオーバードライブ電圧を超える飽和領域においては、ＭＯＳキャパシタンスの容量は機能せず、本来の応答速度を阻害することはない。 （もっと読む）

【課題】ソレノイドバルブ等の誘導負荷に流れる電流を低コストで、かつ精度良く計測及び制御する。
【解決手段】電源１４とグランド１７との間に、電源１４側から順に、誘導負荷１０、スイッチ手段１５、及び電流計測手段１６を直列に接続し、誘導負荷１０の誘起電圧による還流電流を流すためのダイオード１９を、誘導負荷１０とスイッチ手段１５の間と、電源１４と誘導負荷１０の間とを接続する回路に挿入することにより、差動増幅器１８の出力にノイズやオフセット誤差が生じることを回避し、また、ＦＥＴゲート端子の駆動に特別な回路を必要とすることなく比較的安価なＮｃｈ−ＦＥＴをスイッチ手段１５として用いることを可能とする。 （もっと読む）

【課題】入力信号をフィルタ処理すると共に処理された信号の初期及び終期の変化における遅延時間に差が生じないようにする。
【解決手段】電源ＶＢと入力端子Ｉ１との間に直列に接続されたコンデンサＣ１及び抵抗Ｒ１からなるローパスフィルタＬＰＦと、そのコンデンサＣ１と並列に時定数切替回路ＣＴを構成するコンデンサＣ２及び抵抗Ｒ２を設け、コンデンサＣ２及び抵抗Ｒ２の入力端子Ｉ１側をダイオードＤ１を介して抵抗Ｒ１及びコンデンサＣ１のノードに接続し、抵抗Ｒ１及びコンデンサＣ１のノードとトランジスタＱ１のベースとをダイオードＤ２を介して接続する。フィルタ回路による初期変化の応答遅れと略同一の応答遅れとなる入力信号の終期変化とすることができ、入力信号処理回路に対する入力信号と出力信号との信号長さを同じにすることができる。 （もっと読む）

【課題】簡素な回路構成で出力電流値の制御精度を向上させることができる駆動電流制御回路、及びこのような駆動電流制御回路を用いて電磁比例弁の駆動電流を制御する電磁比例弁制御システムを提供する。
【解決手段】電磁比例弁３に流れる電流を検出するシャント抵抗Ｒ５と、接続端子２３とシャント抵抗Ｒ５の下流側端子Ｐ２とを接続する抵抗Ｒ１，Ｒ２の直列回路と、グラウンドとシャント抵抗Ｒ５の上流側端子Ｐ１とを接続する抵抗Ｒ３，Ｒ４の直列回路と、抵抗Ｒ１，Ｒ２により分圧された電圧Ｖｃ１と抵抗Ｒ３，Ｒ４により分圧された電圧Ｖｃ２とを比較するコンパレータＣＭＰ１と、コンパレータＣＭＰ１による比較結果が、電圧Ｖｃ２＞電圧Ｖｃ１の場合にオフして電磁比例弁３に供給する電流を減少させ、電圧Ｖｃ２＜電圧Ｖｃ１の場合にオンして電磁比例弁３に供給する電流を増大するトランジスタＱ１を備えた。 （もっと読む）

【課題】負荷駆動用のスイッチング素子のゲート−ソース間にクランプ回路を設けることなく、負荷駆動用のスイッチング素子として、ゲート−ソース間耐圧の低いスイッチング素子を用いる。
【解決手段】ドライブ回路１１は、コンデンサ１３によって供給される電源電圧以下の振幅で信号を出力し、コンデンサ１３の端子間電圧がパワーＭＯＳＦＥＴ１０のゲート−ソース間耐圧以下となるようにコンデンサ１３の端子間電圧を固定する電位固定回路２０を備える。 （もっと読む）

【課題】省スペースでも入出力端子を兼用することでユーザの設計の自由度を高めたオープンコレクタ型インターフェース回路を提供する。
【解決手段】制御部１によって第１のポートＰ１の出力レベルを切り換えることにより第１のスイッチング素子３をＯＮ／ＯＦＦさせて、第１の通電回路Ａと第２の通電回路Ｂを切り換えて通電し同一のコネクタ端子２に入力端子と出力端子を兼用させる。 （もっと読む）

【課題】 サージ電圧の増大が抑制されたトランジスタのスイッチング回路を提供すること。
【解決手段】 スイッチング回路１０は、ドレイン電極Ｄとソース電極の間に電源８０と負荷７０を直列に接続して用いるトランジスタ５０と、そのトランジスタに駆動電圧Vinを出力する制御回路４０と、そのトランジスタ５０のゲート電極Ｇとドレイン電極Ｄの間に接続されているとともに第１キャパシタ３２と第１ダイオード３４が直列に接続されている直列回路３０を備えている。その第１ダイオード３４のカソードはトランジスタ５０のゲート電極Ｇ側に接続しており、その第１ダイオード３４のアノードがトランジスタ５０のドレイン電極Ｄ側に接続している。スイッチング回路１０はさらに、第１キャパシタ３２と第１ダイオード３４の間の接続線に接続されているとともにその接続線の電圧を調整する電圧調整回路２０を備えている。 （もっと読む）

【課題】電流駆動素子の温度異常時にも負荷への通電を継続させた上で、電流駆動素子を確実に保護可能な負荷駆動制御装置を提供する。
【解決手段】電流駆動素子であるトランジスタの温度が過剰に高い温度異常状態かどうかかが判定され（Ｓ１０１）、温度異常状態でない場合には（Ｓ１０１：Ｎｏ）、トランジスタがＰＷＭ制御される。また、温度異常状態であり（Ｓ１０１：Ｙｅｓ）、且つ、トランジスタがＰＷＭ制御中の場合には（Ｓ１０２：Ｙｅｓ）、トランジスタがフルＯＮ固定状態に制御される（Ｓ１０３）。そして、温度異常状態であり、且つ、トランジスタがＰＷＭ制御中でない場合には（Ｓ１０２：Ｎｏ）、トランジスタを制御するための制御信号のデューティ比やスイッチング周波数を低い値に設定することにより、フルＯＮ固定状態にした場合よりもスイッチング損失が低くなるようにトランジスタが低損失制御される（Ｓ１０４）。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタを駆動する回路において、トランジスタがターンオフする過渡期間に存在するサージ電圧とターンオフ損失の間のトレードオフ関係を打破すること。
【解決手段】 駆動回路１０は、トランジスタ２０のゲート電極Ｇに電気的に接続している可変抵抗体Ｒ１２を備えている。その可変抵抗体Ｒ１２の電流経路の幅が、トランジスタ２０のドレイン・ソース間電圧Vdsに応じて伸縮する空乏層によって調整されることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】電池容量の使用効率を向上できかつ電池交換手間を減らせる一次電池駆動型昇圧チョッパ回路を提供すること。
【解決手段】昇圧チョッパ回路部３１のトランジスタQ２を駆動する発振回路部３２は、トランジスタQ１とそのコレクタ抵抗Ｒ１とからなる駆動段３３を有する。トランジスタQ１のベースは、コンデンサＣ２により負荷駆動端Ｔｏに、ＣＲ回路３０により接地端（Ｔｅ）に接続されている。また、接地端（Ｔｅ）はコンデンサＣ１により電源入力端（Ti）に接続されている。これにより、一次電池１の電圧が低くても、トランジスタＱ１、Ｑ２が安定にオンすることができる。 （もっと読む）

【課題】第１スイッチング素子のオフ時において第１スイッチング素子の出力電圧を速やかに低下することができる。
【解決手段】スイッチング装置２０は、メインスイッチとしてのＰチャネルのＭＯＳＦＥＴである第１スイッチング素子２４と、第１スイッチング素子２４のスイッチングを行うＮチャネルのＭＯＳＦＥＴである第２スイッチング素子２８と、第１スイッチング素子２４の第１ソース２４Ｓと第２スイッチング素子２８の第２ゲート２８Ｇとに接続された電圧低下回路３０とを備えている。このスイッチング装置２０では、第１スイッチング素子２４をオフするためにＡＳＩＣ５０が第２スイッチング素子２８をオフすると、電圧低下回路３０の第１コンデンサ３１が電荷を蓄積することにより第１スイッチング素子２４から電流を引き込む。このとき、第３スイッチング素子３４がオンし第１ゲート２４Ｇ側に電流が流れ第１ゲート２４Ｇの電圧が迅速に上昇する。 （もっと読む）