ゲートコントローラより高い電源電圧を使用する電力ＭＯＳトランジスタのゲート駆動回路が開示される。上記ゲート駆動回路は，ゲートコントローラの出力信号を，ゲートコントローラの電源電圧に対してより高い電源電圧を使用する電力ＭＯＳトランジスタに伝達する際，ゲートコントローラの出力信号をデューティサイクルおよび周波数に拘わらず，安定に，かつ，效率的に伝達できる。従って，上記ゲート駆動回路は，ゲートコントローラ出力信号のデューティサイクルの変化が大きい場合，また，スイッチング周波数が一定でない場合にも適している。
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【課題】 外付けの大容量のコンデンサを使用することなく電源瞬断時にデータを喪失しないように対策を施すことができるようにする。
【解決手段】 電圧保持回路Ｈがバッテリ電源電圧＋Ｂが低下したときにラッチ回路Ｒに供給される電源電圧を保持しているため、電源瞬断が発生したとしてもデータを喪失することなく対策を施すことができる。 （もっと読む）

ディスクドライブ・システムのボイスコイルモーター（２２）の位置決めドライバ（３２）が開示される。パルス幅変調される前段ドライバ（４６）が、ボイスコイルモーター（２２）を駆動するため「Ｈ」ブリッジに配置されるパワー・トランジスタ（５０ＰＨ、５０ＮＨ、５０ＰＬ、５０ＮＬ）に結合され、電力供給電圧（Ｖ_Ｍ）でバイアスがかけられる。パルス幅変調される前段ドライバ（４６）は、エラー増幅器（３６）からのエラー信号とランプ・クロック生成器（４８）で生成されるランプ・クロック信号（ＲＭＰ）との比較に従ってパワー・トランジスタ（５０ＰＨ、５０ＮＨ、５０ＰＬ、５０ＮＬ）を駆動する。ランプ・クロック生成器（４８）は、電力供給電圧（Ｖ_Ｍ）の変動に応答してランプ・クロック信号（ＲＭＰ）の高及び低限界を変調する制御回路を含む。高及び低限界のこの変調が、電力供給電圧（Ｖ_Ｍ）の変動に起因するパワー・トランジスタ（５０）の利得の変動を補償する。制御回路は、例えば、一定の周波数を維持するため、電力供給電圧（Ｖ_Ｍ）の変動に従ってランプ・クロック信号（ＲＭＰ）の勾配も変調し得る。
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蓄積要素に集積される熱雑音を低減する方法および装置が開示される。本発明の一態様は、大気温度に晒されて、電荷を蓄積するためのサンプリングキャパシタを含む、サンプリング回路を目的とする。このサンプリング回路は、電荷をキャパシタにサンプリングするための回路配線を含み、このサンプリング回路においては、熱雑音もキャパシタにサンプリングされ、回路配線は、キャパシタにサンプリングされる熱雑音が、サンプリングキャパシタのキャパシタンスで除算された、大気温度とボルツマン定数の積よりも小さくなるように構築される。本発明の別の態様は、キャパシタにサンプリングされる熱雑音を制御する方法を目的とする。この方法は、熱雑音のスペクトル密度および／または熱雑音の帯域幅を独立に制御する行為を含む。 （もっと読む）

【課題】高周波で作動でき、電力散逸量が少なく、共通モードの変化に対して耐性を有するレベルシフトデバイスを提供する。
【解決手段】第１電圧レベル（１３）で作動する入力側（１４）と、第２電圧レベル（５３）で作動する出力側（５４）と、入力側と出力側とを接続するレベルシフト回路（４８）とを備え、入力回路は、第１電圧レベルを基準とする入力信号（１４）を受信し、入力信号の変化に対応する出力信号を発生する。レベルシフト回路は、ＭＯＳＦＥＴ（２８）を備え、ＭＯＳＦＥＴのゲートは、入力回路の各出力に接続され、ソース−ドレインパスは、第２電圧と第１電圧の基準との間に結合されている。出力側は、微分回路トポロジー（５０）を有し、入力信号の変化を対応する信号をサンプリングし、その変化の間のサンプルをホールドする第１回路（５６）と、微分された形態でホールドされたサンプル信号を受信して、シングルエンド形態に変換する出力回路（５４）を有している。 （もっと読む）

【課題】
規定電流値検出のための外付け基準電圧発生回路が故障したときに過電流の発生を防止してパワートランジスタを保護しかつドライバＩＣとして継続使用できる電流制限回路およびモータドライブ回路を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、出力電流検出回路がパワートランジスタに直列に設けられ、コンパレータと第１の基準電圧発生回路と第２の基準電圧発生回路とを有し、パワートランジスタの出力電流が所定の規定値に達したときに出力電流検出回路から得られるその検出信号と第１の基準電圧発生回路から得られる第１の基準電圧とに応じてコンパレータがパワートランジスタの駆動を所定期間停止させるための制御信号を発生し、パワートランジスタの出力電流が規定値を越えた所定値になったときに出力電流検出回路から得られるその検出信号と第２の基準電圧発生回路から得られる第２の基準電圧とに応じてコンパレータが制御信号を発生するものであって、第１の基準電圧発生回路がＩＣに外付けされ、第２の基準電圧発生回路がＩＣに内蔵されているものである。 （もっと読む）

【解決手段】ハーフブリッジスイッチング回路で使用するためのブートストラップダイオードエミュレータ回路が提供される。スイッチング回路は、負荷ノードにおいてトーテムポール構造の形で互いに繋がれているトランジスタと、これらのトランジスタを駆動するための駆動回路と、高圧側駆動回路に電力を供給するためのブートストラップコンデンサとを含む。ブートストラップダイオードエミュレータ回路は、ゲート、バックゲート、ソース、およびドレインを有し、そのドレインを高圧側供給ノードに結合され、そのソースを低圧側供給ノードに結合されているＬＤＭＯＳトランジスタと、ＬＤＭＯＳトランジスタのゲートに電気的に結合されているゲート制御回路と、ＬＤＭＯＳトランジスタのバックゲートに電気的に結合されているダイナミックバックゲートバイアス回路とを備える。ダイナミックバックゲートバイアス回路は、ＬＤＭＯＳがオンにされたときに、ＬＤＭＯＳトランジスタのドレインの電圧に近いけれども同電圧よりも僅かに低い電圧をＬＤＭＯＳトランジスタのバックゲートに印加することによって、ＬＤＭＯＳトランジスタのバックゲートを動的にバイアスするように動作可能である。 （もっと読む）

【解決手段】本発明のスイッチ回路は、分離チャンネルの一部を供給する第１差動増幅器対（Ｑ１，Ｑ２）と、送信チャンネルの一部を供給する第２差動増幅器対（Ｑ３，Ｑ４）と、送信チャンネル又は分離チャンネルのいずれかを選択する制御バイアスを供給する第３差動増幅器対（Ｑ５，Ｑ６）とを具備する。このスイッチ回路は、500μm×250μmの小寸法でありながら、15ＧHz〜26ＧHzレンジにわたる入力及び出力間に35dBの分離を提供する。
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【解決手段】本発明の双極単投（ＤＰＳＴ）スイッチは、第１入力ポートに対応する第１回路部と、第２入力ポートに対応する第２回路部と、及び出力ポートを有するスイッチ回路とを具備する。ここで、第１及び第２の回路部の各々は、分離チャンネルの一部を提供する少なくとも１個の第１トランジスタと、送信チャンネルの一部を提供する少なくとも１個の第２トランジスタと、送信チャンネル又は分離チャンネルのいずれかを選択する制御バイアスを提供する少なくとも１個の第３トランジスタとを有する。 （もっと読む）

データ転送回路は、ｎビット（ｎは２以上の整数）の第１の２値電圧データを２^ｎ値の多値電流データに変換して、単一のデータ転送線に出力する電圧電流変換回路を備えている。電流比較回路は、前記データ転送線上の前記多値電流データを（２^ｎ−１）ビットの２値電流データに変換し、電流電圧変換回路は、前記（２^ｎ−１）ビットの前記２値電流データを（２^ｎ−１）ビットの第２の２値電圧データに変換する。計数回路は、前記（２^ｎ−１）ビットの前記第２の２値電圧データから前記ｎビットの前記第１の２値電圧データを復元する。 （もっと読む）

低速出力エッジを有するバッファ回路が記載されている。パルスのより高値の電流が、ワンショットタイミング回路から駆動されて、出力ＭＯＳＦＥＴのターンオンか又はターンオフの開始を加速させるために、電流パルスが前記バッファの該出力ＭＯＳＦＥＴの制御ゲート内へと注入される。前記開始とターンオン及びターンオフとに至る時には、より低値の電流源が、前記出力ＭＯＳＦＥＴの前記ゲートを駆動するために継続する。一実施形態において、ワンショットは、入力信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジとからトリガされる。前記より高値の電流パルスの効果は、バッファによる回路遅延を低減することである。更にまた、温度、供給電圧、及びプロセスの変動が起きる時に、実質的に一定となるようバッファ回路の遅延を維持するために、温度に応じるように、及び供給電圧に応じるように、パルス幅を設計することができる。

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オン状態低電流検出器は、メインセル（３２）およびセンスセル（３４）を有するトランジスタを使用する。フィードバック回路（３６）は、メインセルの目標電圧値を生成するレベルを負荷電流が下回るときにメインセル（３２）両端間の電圧をほぼ一定の目標値に維持するように作用する。目標電圧値は、低電流検出比較器（１８）の電圧を容易に測定できるように十分に高い。
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【課題】 温度変化や駆動素子の特性に影響されず、負荷に流れる電流を一定とする。
【解決手段】 負荷１０１と、負荷に直列に接続された駆動用トランジスタ１０２と、定電流源１０３と、ＰＭＯＳ差動対を構成し、それぞれのソースが定電流源１０３の出力に共通に接続され、それぞれのドレインがカレントミラー回路を構成するＮＭＯＳトランジスタ１０６及び１０７のドレインにそれぞれ接続されたＰＭＯＳトランジスタ１０４及び１０５とを設け、駆動用トランジスタ１０２のドレインの電位を一定とすることにより、負荷１０１に流れる電流を一定とする。 （もっと読む）

【課題】 操作が容易でしかも簡単な構成により、過大電流入力による内部増幅器の飽和動作を極小にし、かつ過大電流入力後の正常出力への復帰時間を短縮することが可能な電流−電圧変換回路を提供する。
【解決手段】 電流入力端子２と、第１の増幅器４と、電圧出力端子３とを備え、入力した電流Ｉ_inを電圧Ｖ_ccに変換し、この変換した電圧Ｖ_ccを出力する電流−電圧変換回路において、電流入力端子２に、第１の増幅器４の飽和動作時に入力した電流Ｉ_inを接地ＧＮＤ１０側へ分流する分流回路５を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）