【課題】出力波形に付加される遅延の増大を抑制することが可能な出力回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる出力回路は、高電位側電源端子と外部出力端子Ｖｏｕｔとの間に設けられ、電源電圧ＶＤＤ〜接地電圧ＶＳＳ間の電圧範囲を振幅する一対の増幅信号の一方に基づいてソース−ドレイン間に流れる電流が制御される出力トランジスタＭＰ１１と、低電位側電源端子と外部出力端子Ｖｏｕｔとの間に設けられ、一対の増幅信号の他方に基づいてソース−ドレイン間に流れる電流が制御される出力トランジスタＭＮ１１と、電源電圧ＶＤＤより低く接地電圧ＶＳＳより高い中間電圧ＶＭＬが供給されている低電位側電源端子と、出力トランジスタＭＰ１１のゲートと、の間に設けられ、出力トランジスタＭＰ１１のゲート電圧と中間電圧ＶＭＬとの電圧差に基づいて出力トランジスタＭＰ１１のゲートをクランプするクランプ用トランジスタＭＰ１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ｎＭＯＳトランジスタＭ２のゲート−ソース間に加わる電圧を耐圧電圧未満に制限する際に消費電流の増加を抑制する。
【解決手段】ｐＭＯＳトランジスタＭ１がオフし、かつｎＭＯＳトランジスタＭ２がオンしたとき、ツェナーダイオードＺＤ２により、ｎＭＯＳトランジスタＭ２のゲート端子とソース端子との間の電圧を一定電圧に制限する。ｎＭＯＳトランジスタＭ２のゲート端子とソース端子との間に耐圧電圧よりも高い電圧が加わることを避けることが可能になる。このとき、定電流電源２０ｂが電源からツェナーダイオードＺＤ２を通してグランドに流れる電流を制限する。電源からトランジスタＭ３、Ｍ５ｂ、Ｍ６ｂを通してｎＭＯＳトランジスタＭ２のゲート端子に流れる電流をｎＭＯＳトランジスタＭ６ｂが制限する。 （もっと読む）

【課題】グランド端子からグランド電位の供給を受けることなく、スイッチ素子をオン状態に維持することを可能とするスイッチ素子駆動回路を提供する。
【解決手段】本発明によるスイッチ素子駆動回路（１００）は、電源と負荷との間に接続されたスイッチ素子を駆動するためのスイッチ素子駆動回路であって、前記電源と前記負荷との間に設けられた電圧降下素子（１０）と、前記電圧降下素子の端子間に発生する電圧を動作電源として該電圧を昇圧し、該昇圧により得られた電圧から前記スイッチ素子を制御するための制御信号を生成する信号生成部（２０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】過電流検出抵抗の温度特性の影響をキャンセルすることのできる過電流保護回路を提供する。
【解決手段】基準抵抗と第１定電流源との第１接続点には、該第１接続点の電位の温度特性が、過電流検出抵抗の電圧検出端子の電位の温度特性と等しくなるように、第１接続点に対して正の温度特性を有する第２定電流を供給する第２定電流源が接続されている。第２定電流源は、負の温度特性を有する第３定電流を供給する第３定電流源と、温度特性を有さない第４定電流を供給する第４定電流源と、第３定電流源に対して直列接続された第１トランジスタと、第４定電流源に対して直列接続された第２トランジスタと、により構成された第１カレントミラー回路と、第４定電流源と第２トランジスタとの接続点に接続され、第１接続点に第２定電流を供給するための電流経路と、を有する。第３定電流源は、過電流検出抵抗と同じ基板に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮトランジスタを理想的な還流ダイオードとして動作させ、低損失のスイッチ装置を実現できるようにする。
【解決手段】スイッチ装置は、窒化物半導体素子３０１と、窒化物半導体素子３０１を駆動する駆動部３０２とを備えている。窒化物半導体素子３０１は、第１のオーミック電極、第２のオーミック電極及び第１のゲート電極を有している。駆動部３０２は、第１のゲート電極にバイアス電圧を印加するゲート回路３１１と、第１のゲート電極と第１のオーミック電極との間に接続され、双方向に電流を流すスイッチ素子３１２とを有している。駆動部３０２は、第１のオーミック電極から第２のオーミック電極への電流を通電し且つ第２のオーミック電極から第１のオーミック電極への電流を遮断する動作を行う場合には、スイッチ素子３１２をオン状態とする。 （もっと読む）

【課題】負電圧の変化に対して正常な論理回路動作を確保できる範囲である動作ウィンドウの幅の拡張を可能とし、回路動作の確実性、安定性の向上を図った正負電圧論理出力回路を提供する。
【解決手段】論理入力と負電圧との間に、ゲートに論理入力するエンハンスメント型Ｐ型電界効果トランジスタＥＰＦＥＴ１とブレークダウン保護用素子１３，１４とが直列に接続され、ブレークダウン保護用素子１４に並列に短絡する切替スイッチ８ａが接続される。切替スイッチ８ａをオン、オフ制御することで、ＶＳＳの変動に対して正常な回路動作を確保できる動作ウィンドウの拡張を可能とする。 （もっと読む）

【課題】実際に発生しているフライバックエネルギーを定量的に評価した上で保護動作を行うことができるスイッチング素子の制御装置を提供する。
【解決手段】ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２を介してコイル１に供給される電流をセンスＭＯＳＦＥＴ６及び検出用抵抗素子２１により検出し、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２をターンオフさせた際に発生し、ドレインに印加される逆起電圧をクランプ回路３によってクランプする。電流検出回路２４は、クランプ回路３に発生するクランプ電圧によりＮチャネルＭＯＳＦＥＴがターンオンした際に、検出用抵抗素子２１に流れる電流を複数の閾値と比較し、保護動作部２６は、電流検出回路２４の比較結果により、前記電流がＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２をターンオフさせた時点からの時間経過に対応する特定の閾値を超えていると判定されると、逆起電圧に基づくエネルギーを減少させるようにＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２の制御状態を変更する。 （もっと読む）

【課題】耐高電圧スイッチ回路を通常のＭＯＳトランジスタを用いて構成するとともに、論理回路を停止する時間を大幅に削減して低電力性能を向上させるために、初期化を高速に行うことができるＤＣ−ＤＣコンバータを提供する
【解決手段】チャージポンプ回路１と、その電源のオン・オフを行う第１のスイッチ用ＭＯＳトランジスタ３から構成されるＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、チャージポンプ回路１の電源オフ時に、チャージポンプ回路の出力端子の寄生容量に充電された電荷を直列接続された第２および第３のスイッチ用ＭＯＳトランジスタ４，５を介して放電する構成である。 （もっと読む）

【課題】回路面積の縮小を図りつつ、待機電流をカットオフすることが可能な出力回路を提供する。
【解決手段】出力回路は、第１の電源にソースが接続された出力ｐＭＯＳトランジスタを備える。出力回路は、第１の出力ｐＭＯＳトランジスタのドレインと接地との間に接続された出力ｎＭＯＳトランジスタを備える。出力回路は、出力ｐＭＯＳトランジスタのドレインと前記出力ｎＭＯＳトランジスタのドレインとの間に接続された出力端子を備える。出力回路は、前記出力ｐＭＯＳトランジスタのオン／オフを制御するための第１のゲート制御信号を第１のゲート制御端子から出力する第１のレベルシフタ回路を備える。出力回路は、前記出力ｎＭＯＳトランジスタのオン／オフを制御するための第２のゲート制御信号を第２のゲート制御端子から出力する第２のレベルシフタ回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で電源投入時にも精度よく電源電圧の状態を検出する。
【解決手段】第１スイッチ（１２２）と第２スイッチ（１２４）とは直列に接続されてスイッチ部を形成し、第１スイッチ（１２２）は、基準信号に基づいて開閉が制御される。判定信号生成回路（１１０）は、第１電源電圧（ＶＤＤ）と第２電源電圧（ＶＳＳ）とに基づいて電源電圧判定信号（ＶＧ）を生成し、第２スイッチ（１２４）は、電源電圧判定信号（ＶＧ）に基づいて開閉が制御される。第１負荷素子（１２６）は、第１電源電圧（ＶＤＤ）とスイッチ部との間に直列に挿入される。スイッチ部は、基準信号（Ｖｒｅｆ）が所定の第１電圧を超え、電源電圧判定信号（ＶＧ）が所定の第２電圧を超えたとき回路を閉成して第１負荷素子（１２６）に電流を供給し、第１負荷素子（１２６）とスイッチ部との接続ノードから第１電源電圧（ＶＤＤ）の状態を示す第１出力信号（ＶＯＵＴ）を出力する。 （もっと読む）

【課題】挿入損失特性および高調波特性が共に良好な高周波スイッチを実現することを目的とする。
【解決手段】アンテナへ送信信号が出力される共通ポートと、送信信号が入力される送信ポートと、複数の前記送信ポートと前記共通ポートとの間にそれぞれ接続され、各送信ポートと前記共通ポートとを導通または遮断する複数のスイッチ部と、を有し、前記スイッチ部は、シリコン基板に形成され直列に接続された複数のＭＯＳＦＥＴを有し、前記複数のＭＯＳＦＥＴはボディコンタクト型ＦＥＴおよびフローティングボディ型ＦＥＴのいずれかであって、各スイッチ部はボディコンタクト型ＦＥＴおよびフローティングボディ型ＦＥＴの両方を含む。 （もっと読む）

【課題】非反転増幅によるＦＥＴドライブ回路を提供する。
【解決手段】第１基準電圧出力部と、入力端子および第１基準電圧出力部の間に位置する第１端子および第２端子の間に設けられ、第１端子から第２端子へと流れる電流に応じて電圧を降下させる第１電圧降下部と、第１端子および出力端子の間に接続された第１電流源と、第２基準電圧を出力する第２基準電圧出力部と、出力端子および第２端子の間に設けられ、第２基準電圧と第２端子の電圧との差に応じてオンまたはオフとなる第１スイッチ部と、第１スイッチ部がオンおよびオフの状態における第１電圧降下部が降下させる電圧の変化を補償する補償部と、を備える駆動装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】より確実に安定した減電圧監視を行うことが可能な減電圧リセット回路及び電源装置を提供する。
【解決手段】減電圧リセット回路１５は、ドレインがリセット信号出力端子Ｔ５に接続されたＮチャネル型の第１トランジスタ１５３と、ドレインがリセット信号出力端子Ｔ５に接続されたＮチャネル型の第２トランジスタ１５４と、監視対象電圧Ｖ１の供給を受けて動作し、監視対象電圧Ｖ１が第１閾値電圧を下回っているときに第１トランジスタ１５３をオンさせる第１監視部１５１と、監視対象電圧Ｖ１とは異なる駆動電圧Ｖ０の供給を受けて動作し、監視対象電圧Ｖ１が第１閾値電圧よりも低く第１監視部１５１の下限動作電圧よりも高い第２閾値電圧を下回っているときに第２トランジスタ１５４をオンさせる第２監視部１５２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】回生電流がモータ等の負荷から駆動回路を構成するプリドライバ回路側に流れても、駆動回路の制御に影響を与えないようにすること。
【解決手段】第１の電源電圧（ＶＭ）に接続された第１の駆動トランジスタと、接地に接続された第２の駆動トランジスタとの間の負荷に接続される接続ノード（Ｎ１）を出力端子とするブリッジ回路に接続されたプリドライバ回路において、接続ノード（Ｎ１）である出力端子に接続された出力モニタ回路を有し、該出力モニタ回路を用いて、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）に基づいて電圧のみをフィードバックさせる第１のフィードバック信号（Ｓ１）を生成し、第１のフィードバック信号（Ｓ１）に基づいて第２のフィードバック信号（Ｓ２）を生成して、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）が第１の電源電圧（ＶＭ）に近づくように、第１の駆動トランジスタを駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】端子切替時の挿入損失の増加を抑制した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、電源回路部と制御回路部とスイッチ部とを備えた半導体スイッチが提供される。前記電源回路部は、内部電位生成回路と第１のトランジスタとを有する。前記内部電位生成回路部は、電源線に接続され、入力電位よりも高い第１の電位を生成する。前記第１のトランジスタは、前記内部電位生成回路の入力と出力との間に接続され、前記第１の電位が前記入力電位よりも低下したときオンして前記第１の電位を前記入力電位以上に保持するようにしきい値電圧が設定されたことを特徴とする。前記制御回路部は、前記第１の電位を供給され、ハイレベルまたはローレベルの制御信号を出力する。前記スイッチ部は、前記制御信号を入力して端子間の接続を切り替える。 （もっと読む）

【課題】スイッチングノイズの少ない電圧出力回路を提供する。
【解決手段】電圧出力回路１０では、出力トランジスタ１１は、入力電圧Ｖｉｎが印加される第１端子１６と負荷ＲＬが接続される第２端子１７の間に接続され、ゲート電極が第１ノードＮ１に接続される。第１プルアップ回路１２は、制御信号ＶｃがＬｏｗのときに、第１ノード電圧Ｖｎ１を引き上げる。プルダウン回路１３は、制御信号ＶｃがＨｉｇｈのときに導通して第１ノード電圧Ｖｎ１を引き下げる。ゲート電圧監視回路１４は、第１端子１６と第１ノードＮ１の間に接続され、差電圧ΔＶ＝Ｖｉｎ−Ｖｎ１が基準電圧Ｖｒｅｆより大きいときに導通して第２ノード電圧Ｖｎ２をＨｉｇｈにする。第２プルアップ回路１５は、第１端子１６と第１ノードＮ１の間に接続され、制御信号ＶｃがＬｏｗで且つ第２ノード電圧Ｖｎ２がＨｉｇｈのときに導通して第１ノード電圧Ｖｎ１を引き上げる。 （もっと読む）

【課題】 異なる通信システムに対応可能で、受信感度が高く送信電力の損失が抑制された高周波回路、高周波部品及びこれを用いた通信装置を提供する。
【解決手段】 第１及び第２のアンテナ端子と、第１の通信システム用の送信端子並びに第１及び第２の受信端子と、前記第１及び第２のアンテナ端子を選択して前記送信端子と接続するスイッチ回路を少なくとも備えた高周波回路であって、前記スイッチ回路と第１のアンテナ端子をつなぐ信号経路と、前記スイッチ回路と第２のアンテナ端子をつなぐ信号経路のそれぞれに整合回路を配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴ（Ｔ１）のドレイン電流ＩＤが急激に増加し、電圧Ｖdsが増加する過渡期間であっても、ＦＥＴ（Ｔ１）の温度上昇量を忠実に示す信号を生成することが可能な負荷回路の保護装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ（Ｔ１）の両端に生じる電圧Ｖdsに比例する電流Ｉａを流す電流変換回路２１と、この電流Ｉａを通電するインピーダンス回路２２を備える。そして、ＦＥＴ（Ｔ１）の過渡熱抵抗の時間に対する変化を示す関数を過渡熱関数Ｒth（ｔ）としたとき、ＦＥＴ（Ｔ１）に、ゼロから階段状に増加する電流を通電した際に、インピーダンス回路２２の点Ｐ２に生じる電圧Ｖ５が、過渡熱関数Ｒth（ｔ）の平方根に比例した電圧となるように、前記インピーダンス回路のインピーダンスを設定する。そして、電圧Ｖ５が判定電圧Ｖ６を上回った場合に、ＦＥＴ（Ｔ１）を遮断して負荷駆動回路を過熱から保護する。 （もっと読む）

【課題】イネーブル信号をＨＩＧＨにしてから急速にスイッチングトランジスタをオンし、かつ突入電流を防止することが可能なスイッチングトランジスタの制御回路を提供すること。
【解決手段】イネーブル信号によりトランジスタＭ２はオフする。トランジスタＭ８はオフし、ノードＣ_Tの電位はグラウンドと等電位になり、反転器の出力ＡＣＴはＨＩＧＨとなり、トランジスタＭ９はオンする。イネーブル信号の反転信号によりトランジスタＭ５はオフし、トランジスタＭ３、Ｍ４、Ｍ６のゲート電位はＭ４とＩ_BIASで決まる電位Ｖ_BIASと等電位となってトランジスタＭ３、Ｍ４、Ｍ６はオンとなり、並列接続されたトランジスタＭ３、Ｍ６の能力に応じたＩ_GD（大）が流れる。トランジスタＭ１、Ｍ７は、電流Ｉ_GD（大）によって急速にゲート容量へ電荷が蓄えられて急速にオンになり、電流Ｉ_OUT、Ｉ_DETが流れる。 （もっと読む）

【課題】出力信号遅延を抑制し、消費電流の増大を抑制する出力回路の提供。
【解決手段】入力端子１０１と出力端子１０２の電圧を差動入力する差動入力段１１０からなる差動増幅回路と、第１及び第２の電源端子ＶＤＤ、ＶＳＳに接続された第１及び第２のカレントミラー１３０、１４０と、前記第１及び第２のカレントミラーの入力間、出力間に接続される第１、第２の連絡回路１５０Ｌ、１５０Ｒと、第１導電型の第１のトランジスタ１２１と第２導電型の第２のトランジスタ１２２とからなる出力増幅回路と、前記第１、第２の電源端子ＶＤＤ、ＶＳＳの電源電圧の間の電圧が供給される第３の電源端子ＶＭＬの電圧に応じたバイアス信号を受ける第１導電型の第３のトランジスタ１６１からなる制御回路１６０と、を備えている。 （もっと読む）