【課題】電力増幅回路の周波数特性を広帯域化する。
【解決手段】それぞれが互いに異なる周波数（ｆ１−ｆｎ）で整合が取られた差動プッシュプル増幅器（ＰＡ１−ＰＡｎ）の出力を、二次インダクタ（Ｌ１２−Ｌｎ２）で共通に合成して出力する。各差動プッシュプル増幅器は、差動信号入力端子にぞれぞれ接続される増幅器対で構成され、差動プッシュプル増幅器の出力にはキャパシタ（Ｃ１−Ｃｎ）とインダクタ（Ｌ１１−Ｌ１ｎ）の並列共振回路を接続し、共振周波数を変更して整合周波数を調整する。 （もっと読む）

【課題】電流共有増幅器を用いた信号増幅を提供する。
【解決手段】電力増幅器は増幅段を有する。増幅段はトランジスターを有する。また少なくとも１つの増幅段は駆動段を有する。増幅段は、第１のトランジスターと有し及び第１の出力電力と関連付けられた第１の増幅段、並びに第２の出力電力と関連付けられた第２のトランジスターを有する第２の増幅段、を有する。電流共有結合は、第１の増幅段と第２の増幅段を結合する。第１の増幅段と第２の増幅段は、電流共有結合を通じて電流を共有する。電流共有結合は、第１の出力電力と第２の出力電力のスケーリングを助ける。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ電力増幅器の高効率動作
【解決手段】入力電力は分割され、不均等にキャリア増幅器および複数のピーク増幅器に供給されることによって、増加された電力負荷効率（ＰＡＥ）および直線性を実現できる。それぞれのピーク増幅器は、キャリア増幅器へ提供される入力信号レベルより高い入力信号レベルを提供される。ピーク増幅器は、均等電力分割を用いて達成されえるよりも、より効率的にＲＦ信号によって持ち上げられえ、よってスレッショルド近くにトランジスタのトランスコンダクタンス特性を補償し、同じ効率についてのバックオフ能力を増し、または同じバックオフ点における直線性を改善しえる。 （もっと読む）

【課題】トランスを用いて複数の増幅器対の出力を合成する電力増幅装置において、各増幅器対の差動動作のずれによって生じる出力の低下を抑制する。
【解決手段】電力増幅装置１１０は、基板上に全体で環状に設けられた複数の一次インダクタ７，８と、複数の増幅器対３〜６と、二次インダクタ９と、接続配線１０とを備える。各増幅器対は、対応の一次インダクタの両端に接続され、差動入力信号として与えられた一対の第１および第２の信号ＩＮ（＋），ＩＮ（−）をそれぞれ増幅して対応の一次インダクタに出力する。二次インダクタ９は、複数の一次インダクタ７，８に隣接して環状に設けられ、各一次インダクタで合成された第１および第２の信号の合成信号をさらに合成して出力する。接続配線１０は、基板上で複数の一次インダクタ７，８の内側に設けられ、各一次インダクタの中点ＭＰ１，ＭＰ２を互いに電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】パルス増幅動作時間の近傍において不要な信号の送出を制限できる化合物半導体デバイスを使用した電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅器１００は、電力増幅する高周波増幅素子１１への電源を電源制御トランジスタ２１が遮断する。放電用トランジスタ３１は、電源制御トランジスタ２１による電源遮断に同期して電源制御トランジスタ２１及び高周波増幅素子１１に残留する電荷を放電する。 （もっと読む）

【課題】増幅用ＩＣ及びスイッチ回路を多層基板を用いてモジュール化し、電力効率の良い増幅器モジュールを提供する。
【解決手段】増幅器モジュールは少なくとも２つの枝Ｂ１１，Ｂ１２を有する第１の増幅器回路ＰＡＣ１を含む集積回路デバイスを有する。各枝は所望の電力レベルの増幅された信号を出力端子Ｔｏｕｔ１、Ｔｏｕｔ２、Ｔｏｕｔ３に送出するようになされる。各枝は整合回路ＭＣ１１，ＭＣ１２によって所望の出力インピーダンスレベルに整合され、それぞれの枝を所望の出力端子に接続するようになされた切り替え装置ＳＷに接続される。集積回路デバイスおよび切り替え装置は多層基板に取り付けられた別々の構成要素である。整合回路の部分であるパッシブな整合要素は多層基板へと統合されてもよく、集積回路であってもよく、個々の構成要素として形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】差動信号の増幅および合成を行ない、かつ高調波を抑制することが可能な電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅器１０１は、差動信号である第１の入力信号および第２の入力信号を増幅する第１の増幅器１１，１２と、第１の増幅器１１，１２によって増幅された第１の入力信号および第２の入力信号を受ける第１のコイル２１と、第１のコイル２１と磁気的に結合され、増幅された第１の入力信号および第２の入力信号の合成信号が出力される第２のコイル２２と、第２のコイル２２と磁気的に結合された第３のコイル２３と、第３のコイル２３の両端間に接続された第１のキャパシタ４１とを備え、第１のキャパシタ４１の一端が接地ノードに接続されている。 （もっと読む）

【課題】Ｑファクタの低下を伴わずに出力整合回路としてのトランスフォーマ(変圧器)の一次側の入力インピーダンスを低減する。
【解決手段】ＲＦ電力増幅器は、トランジスタ3A 、3Bと出力整合回路としてのトランスフォーマ１A、１Ｂ、2を具備する。トランスフォーマは、磁気的に結合した一次コイル１A、１Ｂと二次コイル2を有する。トランジスタ3A 、3Bの入力端子に入力信号＋Input、−Inputが供給され、一次コイル１A、１Ｂにトランジスタ3A、3Bの出力端子が接続され、二次コイル2から出力信号Outputが生成される。一次コイルはトランジスタの出力端子の間に並列に接続され二次コイル2と磁気的に結合した第１コイル１Aと第２コイル１Ｂを含む。一次コイルの並列接続によって、一次コイルの入力インピーダンスが低減される。 （もっと読む）

【課題】増幅されるＲＦ信号の電力出力を効率的及び経済的に増加させる、分布型電力増幅器のトポロジー及びデバイスを提供する。
【解決手段】電力増幅器は、新規の環状で相互に接続された複数のプッシュプル増幅器を具えており、等しい大きさ及び逆相の入力信号で駆動される隣接する増幅デバイスの信号入力を有する能動素子の１次巻線として機能することが好ましい。また、そのトポロジーは、１次巻線の形状に適合する２次巻線１５０の使用と、個々の電力増幅器の電力を効率的に合成する働きをする変化に適応する変化を開示している。新規の構造は、ＲＦ、マイクロ波、ミリ波の周波数で低コストで、高集積で、ハイパワーである増幅器のデザインを可能としている。 （もっと読む）

【課題】出力側の線路長を短縮して、消費電力の低減や、歪や出力電力の広帯域化を図ることができるドハティ増幅器を得ることを目的とする。
【解決手段】キャリア増幅器１の出力端５が構造対称線６よりもピーク増幅器１１側に配置され、ピーク増幅器１１の出力端１５が構造対称線１６よりもキャリア増幅器１側に配置されているように構成する。これにより、出力側の線路長を短縮して、消費電力の低減や、歪や出力電力の広帯域化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積が小さな分布型増幅器を提供する。
【解決手段】この分布型増幅器は、互いに平行に配置され、各々がスラブ型トランスの１次側を構成する複数の第１の線路１と、複数の第１の線路１と平行に交互に配置され、各々がスラブ型トランスの２次側を構成する複数の第２の線路２と、出力端子６に対して複数の第２の線路２を直列接続する接続配線５と、各第１の線路１に対応して設けられ、差動入力信号＋Ｖｉｎ，−Ｖｉｎを増幅して対応の第１の線路１に与えるＮ型トランジスタ３，４とを備える。したがって、複数のスラブ型トランスを平行に配置したので、レイアウト面積が小さくて済む。 （もっと読む）

【課題】
ドハティ（doherty）増幅器において、高価な増幅素子のみを用いることなく、増幅効率を維持したまま、より経済的に有利な増幅器を構成する。
【解決手段】
ドハティ増幅器において、キャリア増幅器に用いる増幅素子としてピーク増幅器に用いる増幅素子よりも効率特性の良好な増幅素子を用い、ピーク増幅器に用いる増幅素子として効率特性がキャリア増幅器で用いられる増幅素子より劣る増幅素子を用いる。
【効果】
効率特性の異なる増幅素子を用いることで、増幅効率を劣化させずに経済的に有利にドハティ増幅器を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の入力ポートと少なくとも１つの出力ポートを備え、高い変圧器結合効率と高い電力合成効率を達成するオンチップ変圧器電力合成器を提供する。
【解決手段】変圧器電力合成器は、複数の一次巻線導体と複数の二次巻線導体とを含む。一次巻線導体は、入力ポートにそれぞれ電気的に接続される。加えて、各一次巻線導体は対応する入力ポートのプラス端子とマイナス端子の間に電気的に接続されている。二次巻線導体は、一次巻線導体にそれぞれ磁気的に結合される。二次巻線導体は、出力ポートのプラス端子とマイナス端子の間に直列接続と並列接続を含むトポロジー構造を持つように構成される。 （もっと読む）

【課題】進行波管の通常動作時における最大ゲインの低下を招くことなく、安価な汎用部品を用いて、ヘリックス電圧及びコレクタ電圧の立ち上がり時にヘリックスに流れる電流を低減できる電源装置及びそれを備えた高周波回路システムを提供する。
【解決手段】へリックス電極とアノード電極間に接続されたツェナーダイオードと、ツェナーダイオードのカソードとアノード間を短絡または開放するトランジスタと、フォトトランジスタによりトランジスタをオン／オフするフォトカプラと、フォトカプラのフォトダイオードに対して直流電圧を供給または遮断するための第１のスイッチと、フォトダイオードに供給する直流電圧が印加されるコンデンサと、予め第１のスイッチをオンにしてフォトカプラ及びコンデンサに直流電圧を印加しておき、ヘリックス電圧の投入と同時に第１のスイッチをオフさせる制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器における渦電流損失を、回路占有面積を増大させることなく低減する。
【解決手段】２つのゲインブロック（３ａａ，３ａｂ−３ｄａ，３ｄｂ）が各々に接続される１次インダクティブパス（２ａ−２ｄ，４ａ−４ｄ）および１次インダクティブパスと磁気結合する２次インダクティブパスに屈曲部（５）を設け、この屈曲部が中心を向くように配置する。２次インダクティブパス（４ａ−４ｄ）を、順次配線（１１ａ−１１ｃ）により相互接続し、未接続の２次インダクティブパス端部を出力端（１５ａ、１５ｂ）として利用する。 （もっと読む）

【課題】分布型環状増幅器の出力波形歪を低減する。
【解決手段】環状に配置されるプッシュプル増幅段（ＰＡＳ０−ＰＡＳ３）において、一次側スラブ型トランスとして確保された領域（１ａ，１ｂ）と交差しないように二次側トランスから出力を取出す。 （もっと読む）

【課題】 従来のドハティ増幅回路では、ＡＭ−ＰＭ特性（振幅−位相特性）の変動が複雑であって、十分な歪補償を行うのが困難であるという問題点があり、本発明は、ＡＭ−ＰＭ特性を改善し、歪の小さいドハティ増幅回路を提供する。
【解決手段】 互いにＡＭ−ＰＭ特性の異なる複数のドハティ増幅部を縦続接続したものであって、例えば、ＡＭ−ＰＭ特性が逆特性となるＧａＡｓＦＥＴを用いた成るドハティ増幅部２０と、ＬＤ−ＭＯＳＦＥＴを用いたドハティ増幅部３０とを縦続接続したものであり、それぞれのドハティ増幅部で発生する位相変化を相殺して、全体として良好なＡＭ−ＰＭ特性を実現し、歪を低減するドハティ増幅回路である。 （もっと読む）

【課題】２つの周波数帯の混合信号を各周波数帯で同時にインピーダンス整合可能な整合回路を提供する。
【解決手段】主整合ブロック１０１と副整合ブロック１０２とが直列に接続された整合回路である。ブロックをｂと略記すると、副整合ｂ１０２は、主整合ｂ１０１に一端が直列に接続された直列整合ｂ１１０と、直列整合ｂ１１０の他端に接続された並列整合ネットワーク１７０とを備える。交流周波数が第１の周波数ｆ_１の場合について、直列整合ｂ１１０と第１並列整合ｂ１１１との接続部は交流的に開放状態とされ、第１並列整合ｂ１１１と第２並列整合ｂ１１２との接続部は交流的に短絡状態とされ、交流周波数が第１の周波数ｆ_１の場合には、主整合ｂ１０１および直列整合ｂ１１０でインピーダンス整合を行うとされ、交流周波数が第２の周波数ｆ_２の場合には、主整合ｂ１０１および副整合ｂ１０２でインピーダンス整合を行う。 （もっと読む）

【課題】マルチバンド対応のバイアス回路を提供する。
【解決手段】交流回路に一端が接続された第１リアクタンス手段２と、この他端に接続された第２リアクタンス手段３と、両者の接続部２１０に接続されたスイッチ７と、この他端に接続された第３リアクタンス手段８と、第２リアクタンス手段３に接続された容量性手段４と、第２リアクタンス手段３と容量性手段４との接続部２２０に接続された、直流電圧を供給可能な直流回路５とを少なくとも備えており、接続部２２０が交流的に接地状態とされたバイアス回路１００である。接続部２１０は、第１の周波数とは異なる第２の周波数において、接続部２１０から容量性手段４の方を見たときのインピーダンスが十分に大とされる位置であり、バイアス点８００からバイアス回路の方を見たときのインピーダンスは、いずれの周波数においても十分に大とされる。 （もっと読む）

【課題】ＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００、ＤＣＳ１８００、ＰＣＳ１９００、ＷＣＤＭＡ１９００の５つのＲＦ送信周波数を送信するＲＦ電力増幅器モジュールで、電力増幅器の個数を低減すること。ＧＳＭ規格のランプアップ・ダウンのため入力バイアス電圧の高速制御と広帯域ＷＣＤＭＡの送信出力の雑音低減とを両立すること。
【解決手段】ＤＣＳ１８００、ＰＣＳ１９００、ＷＣＤＭＡ１９００の送信を、共通の第２ＲＦ電力増幅器ＨＰＡ２により送信する。高利得の入力増幅器１ｓｔ＿Ｓｔｇ＿ＨＢでＤＣＳ１８００、ＰＣＳ１９００で送信出力を３３ｄＢｍ高送信出力モードとし、バイアス回路の内部ボルテージフォロワを活性化する。ＷＣＤＭＡ１９００では低利得の１ｓｔ＿Ｓｔｇ＿ＨＢで送信出力を２８〜２９ｄＢｍ低送信出力モードとしボルテージフォロワを非活性化する。高・低送信出力モードの切り換えとボルテージフォロワの制御は、モード信号ＭＯＤＥで行う。 （もっと読む）