【課題】
インバーターを用いて大きな負性抵抗を得、さらに広い発振周波数可変幅を得る圧電発振回路を提供する。及び、大きな負性抵抗を得ることができることを論理的に証明する。
【解決手段】
圧電振動回路として、インバーターの入出力間にコンデンサーと圧電振動子を並列接続した回路と、第１のコイル、第２のコイルを直列接続した回路を備え、第１のコイル、第２のコイルの接続点と回路の接地点間にパスコンデンサーを備え、接続点と接地点間を交流に対して短絡させ、さらに電源と接地間にはコンデンサーを挿入し、交流に対して短絡させ、前記インバーターの電源端子と接地端子間に電圧を印加し、発振回路として構成した。 （もっと読む）

【課題】振動子の構造寸法のばらつきに起因する共振周波数の変動を抑制することのできる共振回路及びその製造方法を実現する。
【解決手段】本発明の共振回路３０は、基板と、該基板上に形成された固定電極１２、及び、該固定電極の少なくとも一部に対向する可動部を備えた可動電極１３を有するＭＥＭＳレゾネータ１０と、該ＭＥＭＳレゾネータにバイアス電圧を印加する電圧印加手段２０と、を具備し、前記電圧印加手段は、前記可動部と同じ層で構成され該層の厚みで抵抗値が変化する補償用抵抗Ｒ１１と、該補償用抵抗に接続され前記可動部と異なる層で構成される基準抵抗Ｒ１２とを備え、前記補償用抵抗と前記基準抵抗の接続点電位を前記ＭＥＭＳレゾネータの第１の端子と第２の端子のうちの少なくとも一方の端子１０ｂに出力する分圧回路を有する。 （もっと読む）

【課題】振動子の構造寸法のばらつきに起因する共振周波数の変動を抑制することのできる共振回路及びその製造方法を実現する。
【解決手段】本発明の共振回路３０は、基板と、該基板上に形成された固定電極１２、及び、該固定電極の少なくとも一部に対向する可動部を備えた可動電極１３を有するＭＥＭＳレゾネータ１０と、該ＭＥＭＳレゾネータにバイアス電圧を印加するための電圧印加手段２０と、を具備し、前記電圧印加手段は、前記可動部を構成する層と同じ層で構成され、該層の厚みで抵抗値が変化する補償用抵抗Ｒ１１と、該補償用抵抗に接続され、前記可動部を構成する層と異なる構造で構成される基準抵抗Ｒ１２とを分圧抵抗とし、前記補償用抵抗と前記基準抵抗の接続点電位を前記ＭＥＭＳレゾネータの少なくとも一方の端子１０ｂに出力し、前記抵抗値の変化により前記層の厚みと正の相関を有する前記バイアス電圧を前記振動子に与える分圧回路を有する。 （もっと読む）

【課題】安定して発振を停止させる発振回路を提供する。
【解決手段】発振を停止させるときに、インバータ回路１２の入力端子と出力端子とをショートさせる。これにより、インバータ回路１２のゲインが低下するので、発振停止時にオーバーシュート、アンダーシュートの発生がない安定した発振回路を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】僅かな容量変化で発振周波数の発振周波数の可変幅を広げることができるＣＭＯＳインバータ型の圧電発振回路を提供する。
【解決手段】所定の周波数で発振する圧電振動子Ｘｔａｌと、圧電振動子Ｘｔａｌと並列に接続され、圧電振動子Ｘｔａｌの発振出力を帰還させて増幅するＣＭＯＳインバータ１０とを備える。そして、ＣＭＯＳインバータ１０の入力と接地との間には、第１のインダクタＬ２と第１のコンデンサＣ２とを直列に接続した第１の直列回路１１が設けられている。またＣＭＯＳインバータ１０の出力と接地との間には、コイルなどの第２のインダクタＬ３と第２のコンデンサＣ３とを直列に接続した第２の直列回路１２が設けられている。さらに圧電振動子ｘｔａｌに対して夫々並列に第３のコンデンサＣ４と抵抗Ｒ４とを接続するようにしている。 （もっと読む）

【課題】被覆材を用いて振動子電極を両面とも絶縁することなく直接液体に浸漬可能で、液相中・気相中を問わず安定して発振可能な圧電発振器を提供する。
【解決手段】所定の周波数で励振される圧電振動子Ｚｘｔと、圧電振動子Ｚｘｔを励振させる論理素子ＩＮＶと、圧電振動子Ｚｘｔに並列接続される容量素子Ｃｅと、論理素子ＩＮＶの出力に接続される第１のインダクタｚ２および第１のパスコンデンサＣｐ１と、論理素子ＩＮＶの入力に接続される第２のインダクタｚ３および第２のパスコンデンサＣｐ２と、を備え、論理素子ＩＮＶの出力より第１のインダクタｚ２を介して接地すると共に、論理素子ＩＮＶの入力より第２のインダクタｚ３を介して接地することにより、容量素子Ｃｅと第１のインダクタｚ２と第２のインダクタｚ３とが、圧電振動子Ｚｘｔの発振周波数において共振するタンク回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】従来の発振回路では、電圧可変容量と電源電圧間に大きな容量の固定容量が必要になり小型化の妨げになっていた。また大きな寄生容量が電圧化変容量に並列に挿入される構成のため、大きな周波数可変幅を得ることが難しかった。
【解決手段】帰還抵抗と反転増幅回路と水晶振動子を並列に接続し、反転増幅回路の入出力両側の接続点を直流カット容量と負荷容量を介して接地し、さらに前記直流カット容量と負荷容量の入出力両側の接続点を電圧可変容量を介して接続し、この電圧可変容量の両端に制御信号を印加して周波数調整を行う構成とする。 （もっと読む）

【課題】 周波数の温度依存特性をＭＥＭＳキャパシタの温度依存特性を利用して自動的に補正する、MEMS振動子を用いた発振器を提供する。
【解決手段】 機械的に振動するＭＥＭＳ振動子と、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数で発振して発振信号を出力する出力用発振回路と、周囲の温度によってアノード電極とカソードビームの距離が変わり、容量値が変化するＭＥＭＳキャパシタとを備える。 （もっと読む）

【課題】動作電圧範囲の広い発振回路を提供する。
【解決手段】両端にキャパシタｃ１、Ｃ２が接続された振動子１１と、出力抵抗Ｒ１を介して振動子１１に並列接続されたインバータ１２を有する反転増幅部１３と、インバータ１２に並列接続されたトランスミッションゲート１４、１５を有する帰還抵抗部１６と、同一導電型で、閾値電圧の異なるｎ型第１および第２ＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２の直列回路を有し、電源電圧Ｖｄｄのレベルに応じて、第１および第２ＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２が相補的にオンまたはオフして帰還抵抗部１６の抵抗値を可変するための制御信号Ａ１、Ａ２を出力する制御手段１７と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】自励発振が起こらず、出力対称性を確保できるようにした発振回路を提供する。
【解決手段】コルピッツ型の水晶発振回路において、ＣＭＯＳインバータＩＮＶ１の出力側（ノードＮ１）と電源ＶＤＤとの間に、ＣＭＯＳインバータＩＮＶ１の帰還バイアス電圧を高くするためのトランジスタＭＰ１と発振出力が無いときＯＮするトランジスタＭＰ２とを直列接続して、電源投入初期時にそのノードＮ１をＶＤＤ／２より高い電圧にプルアップし、正常発振が開始してノードＮ３の電圧が所定値に達すると、トランジスタＭＰ２をＯＦＦしてノードＮ１のプルアップを解除する。また、ＣＭＯＳインバータＩＮＶ１の出力を反転するＣＭＯＳインバータＩＮＶ２を接続し、その出力側のノードＮ２にアンド回路ＡＮＤ１を接続し、正常発振が開始してノードＮ３の電圧が所定値に達したとき、それから遅延回路ＤＬ１の遅延の後に、アンド回路ＡＮＤ１のゲートを開いて、ノードＮ２の発振信号を出力端子ＯＵＴに出力する。 （もっと読む）

【課題】 従来、発振周波数を選択するための負性抵抗の調整は製造段階で行うのみであって、経時変化に対応した調整は不可能であるという問題点があり、簡易な構成で、周波数選択特性を経時変化に応じて容易に調整することができる発振器を提供する。
【解決手段】 発振回路の周波数を選択可能な帰還ループに、インダクタンスＬとバリキャップダイオードＣ３とを直列に接続した周波数選択回路１０を設け、バリキャップダイオードＣ３の容量を電気的に制御することにより、負性抵抗を調整する発振器である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、負荷が変化した場合でも安定的に発振し得る圧電振動子の駆動装置および該駆動装置を用いた超音波髪処理装置を提供する。
【解決手段】本発明では、コルピッツ型自励発振回路によって圧電振動子ＰＺを駆動するための圧電振動子の駆動装置１において、圧電振動子ＰＺが接続された場合に、圧電振動子ＰＺと並列に接続されるように、コンデンサＣ５とコイルＬ２との直列回路をコルピッツ型自励発振回路にさらに備える。 （もっと読む）

【課題】低消費電力でありながら大きな負性抵抗を得ることができる発振回路を提供する。
【解決手段】発振回路は、ＳＡＷ振動子Ｘと、ＳＡＷ振動子Ｘと信号路を介して並列接続され発振駆動されるＣＭＯＳインバータＡ１〜Ａ３と、ＣＭＯＳインバータＡ１〜Ａ３の出力側と入力側との間に、ＣＭＯＳインバータＡ１〜Ａ３の出力側から入力側に信号が正帰還するように、接続された負性抵抗増加回路１０と、負性抵抗増加回路１０とＣＭＯＳインバータＡ１〜Ａ３の入力側との間に接続する容量素子としての帰還用コンデンサＣｆと、を含む。 （もっと読む）

【目的】水晶振動子の等価並列容量を相殺し、設計を容易にして例えば周波数可変幅を広げて雑音の少ない高周波水晶発振器を提供する。
【構成】増幅率を１以上とした発振用増幅器と前記発振用増幅器の入出力間を正帰還とする帰還回路とからなり、前記帰還回路には等価並列容量を有する水晶振動子及び前記水晶振動子の両端子間に設けられて前記等価並列容量を相殺する中和回路とを備えた水晶発振器において、
前記中和回路は第１及び第２電流反転回路との出力側が前記水晶振動子の両端子間に接続し、前記第１及び第２電流反転回路との入力側の間に中和コンデンサを接続してなり、
前記第１及び第２電流反転回路は前記等価並列容量の電流と同一方向とした中和コンデンサの電流方向を反転し、前記中和回路の両端子間の電流を前記等価並列容量及び前記中和コンデンサの電流とは逆向きにしたことを特徴とする水晶発振器。 （もっと読む）

【目的】本発明は水晶共振子を設けて発振周波数の相雑音を小さくし、Ｑ値の高い水晶共振子である故にその帯域幅が狭くて発振周波数が通過しないことによって生ずる水晶発振器の発振停止を防止する。
【構成】インダクタ成分としての水晶振動子に分割コンデンサを接続してなる共振回路と、前記水晶振動子と分割コンデンサの接続点にベースを前記分割コンデンサの接続点にエミッタを接続した発振用トランジスタと、前記分割コンデンサの接続点とエミッタとの間に設けた負荷抵抗を有する帰還線路と、前記帰還線路に挿入された水晶共振子とからなる水晶発振器において、前記水晶共振子に並列に抵抗を接続した構成とする。 （もっと読む）

特に移動無線機器の支持体上に配される発振器結晶2の温度を検出する装置では、検出された温度は発振器結晶２が受ける温度のできるだけ正確なレプリカであるべきである。この目的のために、温度センサ７は、発振器結晶2又は発振器結晶ハウジング2’と同じ周囲温度を受けるように、支持体１上に配される。温度センサ7および発振器結晶2は、電気的に並列となるように位置する。
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無線端末（１０）の所望の基準周波数を生成するための、低減された起動時間を有するＶＣＸＯ（Voltage Controlled Crystal Oscillator）（１００）のような電圧制御発振器（１００）が本願明細書において記載されている。本発明によれば、ＶＣＸＯ（１００）は、電圧コントローラ（１１０）によって発振器（１２０）に印加された可変電圧に基づいて、所望の基準周波数を生成する発振器（１２０）を含む。加えて、ＶＣＸＯ（１００）は、発振器（１２０）に伴うキャパシタンスを低減するためバイアス電圧を発振器の入力ノードに印加し、ＶＣＸＯ（１００）のＤＣ電流消費または同調レンジに悪影響を与えること無く起動時間を低減する起動コントローラ（１３０）を含む。
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【目的】周波数可変幅が大きく雑音を小さくした圧電発振回路を提供する。
【構成】圧電振動子と発振回路とを接続して発振閉ループを形成してなる圧電発振回路において、前記圧電振動子の端子間に位相反転器とコンデンサの直列回路を接続し、前記コンデンサの容量と前記圧電振動子の並列容量とを相殺する構成とする。 （もっと読む）