【課題】発振周波数の安定化を図りつつ、位相ノイズの増加を抑えることができる電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器は、インダクタセクション２０、バラクタセクション２２、ネガティブＧｍセクション２１、トリミングキャパシタアレイ２３及びバイアス回路Ｒ１０〜Ｒ１５，Ｒ２０〜Ｒ２５を備えている。バイアス回路は、上記トランジスタ２６−０〜２６−５，２７−０〜２７−５とキャパシタＣ１０〜Ｃ１５，Ｃ２０〜Ｃ２５との接続点Ｎ４にバイアス電圧Ｖｂｉａｓを与える。キャパシタを切り離すトランジスタのドレインをバイアスすることによって寄生ダイオードをオンしないようにでき、それによって位相ノイズの増加を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構造で、優れたＱ値、およびＣ／Ｎ特性を有し、負荷特性に優れる高周波発振器を構成する。
【解決手段】 高周波発振器は、共振回路１０と、該共振回路１０に接続するとともに出力端子ＯＵＴに接続する帰還増幅回路１とを備える。帰還増幅回路１は、ベースが共振回路１０に接続し、コレクタがインダクタＬ１１を介して駆動電源端子Ｖｂに接続するとともにコンデンサＣ２を介してグランドに接続することにより高周波的に接地し、エミッタがエミッタ抵抗Ｒ１、インダクタＬ１の直列回路とコンデンサＣ１とを介してグランドに接続し、ベース−エミッタ間に帰還用コンデンサＣ３が接続した発振用トランジスタＴｒ１を備える。この発振用トランジスタＴｒ１のベースがバイアス抵抗Ｒ１２を介して出力端子ＯＵＴに接続する。 （もっと読む）

セルラー電話のような電池から電力を得る装置中の集積回路電圧制御発振器（ＶＣＯ）は、比較的狭い制御電圧範囲を使用して非常に広い周波数範囲にわたって同調するように構成されることができる。ＶＣＯの周波数応答は、ＶＣＯ共振回路の一部を形成するバラクタ310a-310bに温度可変電圧ソースを与えることにより温度補償されることができる。バラクタのレファレンス端部は、バラクタ温度依存性を実質的に補償する温度依存性を有する温度依存電圧ソース370、380により供給されることができる。温度依存電圧ソース370,380は、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）装置であることができる。ＶＣＯは、基板上に製造されたＣＭＯＳ発振器、基板上のＬＣ共振タンク、および共通の陽極接続を有する少なくとも一対のバラクタ310a、310b；320a、320bを含んでいる。 （もっと読む）

ＬＣ発振器のチューニング方法と装置が開示されている。本発明の実施形態は、ビット比較時間を適応的に制御し、最少の粗チューニング時間が得られるようにすることを含んでいる。ビット比較時間は、ＬＣ発振器のキャパシタアレイ内の対応する加重キャパシタの冗長量に逆比例してスケーリングされる。 （もっと読む）

集積回路パッケージが、リードワイアと１つまたは複数の入出力（Ｉ／Ｏ）パッケージピンとの接続から形成されるインダクタループを含む。一実施形態では、インダクタループは、集積回路チップ上の第１のボンディングパッドをパッケージの第１のＩ／Ｏピンに接続する第１および第２のワイアと、チップ上の第２のボンディングパッドをパッケージの第２のＩ／Ｏピンに接続する第３および第４のワイアとから形成される。インダクタループを完成するために、第１のＩ／Ｏピンと第２のＩ／Ｏピンは、ピン間の第３の導体によって接続される。第３の導体は、１つまたは複数のボンディングワイアを含むことができ、Ｉ／Ｏピンは、互いに隣接するものであることが好ましい。しかし、ループは、例えばループ長要件、空間の考慮すべき点、および／または他の設計要因もしくは機能要因に基づいて、Ｉ／Ｏピンの非隣接接続から形成することができる。他の実施形態では、第１のＩ／Ｏピンと第２のＩ／Ｏピンの間の接続が、Ｉ／Ｏピンに単一構造を持たせることによって確立される。他の実施形態では、第１のＩ／Ｏピンと第２のＩ／Ｏピンの間の接続が、パッケージ基板の表面上に、またはこの基板内に位置するメタライゼーション層によって確立される。集積回路パッケージの境界線内でインダクタループを形成することにより、空間要件における実質的な削減が実現され、これは小型化を促進する。また、集積回路は、その少なくとも１つのパラメータがパッケージのインダクタループの長さによって制御される様々なシステムのいずれか１つで実装することができる。

（もっと読む）