【課題】水晶発振器の出力振幅の調整機能を簡易な構成で実現する。
【解決手段】水晶発振器は、電源に接続される電源端子（ＶＣＣ）と、接地電位に維持される接地端子（ＧＮＤ）と、電源端子と接地端子とに接続され、電源端子と接地端子との間に印加された電源電圧に基づく振幅レベルの発振信号（Ｖ０）を出力する水晶発振回路（６）と、イネーブル信号（ＶＥＮ１、ＶＥＮ２）が入力されるイネーブル端子（ＥＮ１、ＥＮ２）と、イネーブル端子と接地端子とに接続され、水晶発振回路から入力される発振信号を波形整形してイネーブル端子と接地端子との間のイネーブル信号の電圧に応じた振幅レベルの基準クロック信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２）を出力するバッファ回路（２ａ、２ｂ）と、バッファ回路から出力される基準クロック信号が出力される出力端子（ＯＵＴ１、ＯＵＴ２）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】周波数制御により生じるノイズを低減すると共に、制御線を減少させて消費電力および面積を削減することが可能なデジタル制御発振器を提供する。
【解決手段】発振器制御ワードに応じた発振周波数の発振信号を出力するデジタル制御発振器であって、Ｎビットの前記発振器制御ワードを、上位Ｎ−Ａ（但し、Ａ≧１で、Ｎ＞Ａ）ビットと下位Ａビットに分割し、前記上位Ｎ−ＡビットをＮ−ＡビットのＢｙｎａｒｙ制御を行う第１のコードＯＴＷｂに、前記下位Ａビットを２＾（Ａ＋１）−２ビットのＵｎａｒｙ制御を行う第２のコードＯＴＷｕに変換して出力する制御手段と、前記制御手段から出力される前記第１および前記第２のコードに応じた発振周波数の発振信号を出力する発振器２４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】
発振周波数を切り替えたときの発振停止を抑制した発振回路を提供する。
【解決手段】
発振回路は，第１の基準電圧側に設けられた第１，第２のインダクタL,Lxと，第２の基準電圧と第１，第２のインダクタとの間にそれぞれ設けられゲートとドレインが交差接続された第１，第２のトランジスタP1,Px1と，第１，第２のインダクタンスそれぞれに接続され複数の周波数制御用キャパシタC₀〜C_n,C_x0〜C_xnを並列に有する第１，第２のキャパシタ群と，第１，第２のキャパシタ群の対応する周波数制御用キャパシタ間に設けられ発振周波数制御信号に基づいて導通または非導通に制御される複数の第１のスイッチSW₀〜SW_nと，第１のスイッチの両端子と所定電圧との間にそれぞれ設けられた複数の第２のスイッチSWp,SWxpとを有し，発振周波数制御信号の切り替わり時に，導通から非導通に切り替えられる第１のスイッチの両端子に設けられた第２のスイッチが一時的に導通する。 （もっと読む）

【課題】周囲温度や外部電源電圧の変化による高速ＯＣＯに与える参照電圧および参照電流の変動を防止し、電源モジュールの回路面積が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】高速ＯＣＯ１０は、参照電流および参照電圧で定まる大きさの高速クロックを出力する。温度センサ５は、高速ＯＣＯ１０の周囲温度を検出し、電圧センサ４は、高速ＯＣＯ１０の動作電圧を検出する。電源モジュール１２は、ＢＧＲを含み、ＢＧＲが出力する基準電圧に基づいて、参照電圧、参照電流、高速ＯＣＯの動作電圧を生成する。フラッシュメモリ８は、高速ＯＣＯ１０の周囲温度および動作電圧に対応する、参照電圧および参照電流のトリミングコードを定めたテーブルを記憶する。ロジック部１３は、検出された周囲温度および動作電圧に対応する参照電圧および参照電流のトリミングコードに基づいて、参照電流および参照電圧の値を調整する。 （もっと読む）

【課題】ｎ（ｎは１以上の整数）次の関数で表現される温度特性を持った信号のｎ−１次の温度係数を調整する際に、ｎ次の温度係数の影響を軽減し、且つコストの増大を抑えることができる、温度特性の調整データを生成する方法を提供する。
【解決手段】温度特性調整データ生成方法は、ｎ（ｎは１以上の整数）次の関数で表現される温度特性を持った信号を生成する回路を有する半導体装置の温度特性を調整するデータ（８０３）を、プログラム処理装置（６、１０）を用いて生成する方法であって、ｎ＋１よりも少ない数の温度における前記信号の値を、前記信号に関する目標値に所定の補正値を加えた値（６０１）に近づけるように温度特性を調整するデータを生成するデータ生成処理を含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路構成で応答性をよくし、切り替えられる発振信号の各周波数で同一電圧振幅を得られる電圧制御発振回路を提供する。
【解決手段】ＬＣタンク回路１に第１及び第２のキャパシタ群１１，１２を備える、第１及び第２のキャパシタ群１１，１２はそれぞれ２つのキャパシタＣ１，Ｃ２を備える。負性コンダクタンス部２により、ＬＣタンク回路１の共振信号をフィードバックして相互１８０°の位相差を有する２つの発振信号を生成し、２つの出力端ｏｕｔ１，ｏｕｔ２から出力する。電流源３１，３２からなる電流源３から負性コンダクタンス部２を介してＬＣタンク回路１に電流を供給する。制御信号を、ＣＭＯＳスイッチからなる電流源スイッチ４，第１キャパシタスイッチ５及び第２キャパシタスイッチ６に与え、電流源群３から供給する電流とＬＣタンク回路１のキャパシタンスを切り替える。 （もっと読む）

【課題】制御電圧入力端子の個数を減少させることができる新規な可変インダクタならびにその新規な可変インダクタを備える電圧制御発振器、複合型ＰＬＬ回路、フィルタ回路および増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明の可変インダクタ５においては、複数のインダクタンス素子６１、６２、６３、６４におけるそれぞれの接続点とグランド１０との間にそれぞれ接続された複数のスイッチダイオード７Ａ、７Ｂ、７Ｃのそれぞれの一端側に対して、複数の定電圧入力端子８Ａ、８Ｂ、８Ｃを介して、互いに異なる定電圧がそれぞれ供給されている。また、本実施形態の可変インダクタ５においては、複数のスイッチダイオード７Ａ、７Ｂ、７Ｃにおけるそれぞれの他端側に対して、１個の制御電圧入力端子９を介して、制御電圧が供給されている。 （もっと読む）

【課題】周波数可変範囲の広い発振回路及び発振回路を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の端子と第２の端子との間に接続されたインダクタンス素子と、インダクタンス素子と並列に第１の端子と第２の端子との間に接続された増幅回路と、第１の端子及び第２の端子に接続された第１の容量素子と、を備えた共振型発振回路であって、インダクタンス素子の配線の途中に２箇所以上の引き出し部を設け、２箇所以上設けた引き出し部の間にオンしたときに当該引き出し部間を短絡するスイッチ素子と第２の容量素子とが並列に接続されている。 （もっと読む）

温度補償ＣＭＯＳ ＲＣ発振回路は、抵抗と温度相関バイアス電流とを用いてソースバルク電圧を変化させて、温度に対するＭＯＳＦＥＴの閾値電圧の変動を安定させる。この温度層間バイアス電流はまた、抵抗を流れる。温度が上昇すると、バイアス電流も増え、ＭＯＳＦＥＴのソースバルク電圧を上昇させる。上昇したソースバルク電圧は、高い温度にてＭＯＳＦＥＴの閾値電圧を安定させるのを補助する。この発振器には省電力ロジックも組み込まれており、低い電力消費で高い周波数が得られる。本発明では、得られる発振器が低出力設計となってしまう高利得オペアンプや高速比較器はなく、他のシステムとともにシングルチップに組み込むことができる。 （もっと読む）

制御信号に応じて設定可能インダクタンスを有する切換可能インダクタネットワークを提供するための技術。前記切り替え可能インダクタネットワークは、差動モード動作の寄生素子の影響を低減するために完全に対称的なアーキテクチャを採用することができる。前記切り替え可能インダクタネットワークは、特に、マルチモード通信回路への用途、例えば、電圧制御発振器（ＶＣＯ）またはそのような回路におけるアンプもしくはバッファに適している。 （もっと読む）

【課題】共振器型発振器のＱ値などの特性を高く維持させた設計をより容易に行えるようにする技術を提供する。
【解決手段】静電容量Ｃaの２ⁿ倍（ｎは０〜５までの整数）となっている計６個）のコンデンサ２１１ａ〜ｆが並列に接続され、それらコンデンサ２１１ａ〜ｆにはスイッチ２１２ａ〜ｆがそれぞれ直列に接続されている。コンデンサ２１１ａ〜ｆは、静電容量が大きいものほど、インダクタと接続させる配線４０２の長さが短い位置に配置されている。それにより、出力する信号の周波数が低くなるほど、配線４０２の抵抗がＱ値に及ぼす影響を低減させる。 （もっと読む）

【課題】温度安定化された電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】セルラー電話のような電池から電力を得る装置中の集積回路電圧制御発振器（ＶＣＯ）は、比較的狭い制御電圧範囲を使用して非常に広い周波数範囲にわたって同調するように構成されることができる。ＶＣＯの周波数応答は、ＶＣＯ共振回路の一部を形成するバラクタ３１０ａ、３１０ｂに温度可変電圧ソースを与えることにより温度補償されることができる。バラクタのレファレンス端部は、バラクタ温度依存性を実質的に補償する温度依存性を有する温度依存電圧ソース３７０、３８０により供給されることができる。温度依存電圧ソース３７０、３８０は、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）装置であることができる。ＶＣＯは、基板上に製造されたＣＭＯＳ発振器、基板上のＬＣ共振タンク、および共通の陽極接続を有する少なくとも一対のバラクタ３１０ａ、３１０ｂ、３２０ａ、３２０ｂを含んでいる。 （もっと読む）

電圧制御発振器（ＶＣＯ）バッファのための回路が説明される。回路は、ＶＣＯコアと接続されるＶＣＯバッファの入力と接続された第１のキャパシタを含む。回路は、また、ＶＣＯバッファの入力と、ｐ型金属酸化膜半導体電界効果（ＰＭＯＳ）トランジスタのゲートとに接続された第２のキャパシタを含む。回路は、さらに、第１のキャパシタと、ＰＭＯＳトランジスタのゲートとに接続された第１のスイッチを含む。回路は、また、ＶＣＯバッファの入力と接続された第３のキャパシタを含む。回路は、さらに、ＶＣＯバッファの入力と、ｎ型金属酸化膜半導体電界効果（ＮＭＯＳ）トランジスタのゲートとに接続された第４のキャパシタを含む。回路は、また、第３のキャパシタとＮＭＯＳトランジスタのゲートとに接続された第２のスイッチを含む。 （もっと読む）

【課題】十分に高い周波数帯域において、広帯域にわたって柔軟に発振周波数を調整すること。
【解決手段】信号線１３１は、電源から直流電圧Ｖｄｃが印加されると、電源に接続された始端を節とし、終端を腹とする４分の３波長の定在波を発生させる。ストリップ１３２−１〜１３２−ｎは、それぞれスイッチ１３３−１〜１３３−ｎを介してグランド層に接続されている。スイッチ１３３−１〜１３３−ｎは、切替制御部１４０による制御に従って、それぞれストリップ１３２−１〜１３２−ｎとグランド層との接続及び非接続を切り替える。スイッチ１３３−１〜１３３−ｎの接続及び非接続を切り替えることにより、擬似的に信号線１３１とグランド層の間の距離が調節され、伝送線路部１３０における実効誘電率が変化して、定在波の周波数を調整することができる。 （もっと読む）

発振器は、共振器と、第１および第２のｐ型トランジスタと、第１および第２のｎ型トランジスタとを含む。共振器は、第１の端子と第２の端子とを持つ。第１のｐ型トランジスタは、第１の端子にスイッチ可能に接続されており、第２のｐ型トランジスタは、第２の端子にスイッチ可能に接続されている。第１のｎ型トランジスタの第１のドレインと第２のｎ型トランジスタの第２のドレインとは、それぞれ、第１の端子および第２の端子に電気的に接続される。発振器はＮＭＯＳのみモードおよびＣＭＯＳモードで作動可能である。 （もっと読む）

キャパシタンススイッチング素子（２００）が、トランジスタ（２０５、２１０）によって直列に接続された、第１のキャパシタ（２４０）と第２のキャパシタ（２４５）とを含む。トランジスタのゲートは、一組の抵抗器（２２０、２３０）を介して第１の信号（ｂ０／）によってバイアスをかけられ、ソースおよびドレインは、第２の組の抵抗器（２１５、２２５、２３５）を介して第２の信号（ｂ０）によってバイアスをかけられる。信号はレベルシフトされており、相補的であってよい。素子をオンにするためには、第１の信号（ｂ０／）をＶＤＤに設定することができ、第２の信号（ｂ０）をゼロに設定することができる。素子をオフにするためには、第１の信号（ｂ０／）をＶＤＤ／２の倍数に設定することができ、第２の信号（ｂ０）をＶＤＤ／２の倍数プラス１（the multiple plus one）に設定することができる。素子が発振器同調回路で使用されるとき、トランジスタの圧力ストレスが低減され、トランジスタを薄酸化物で製作することができる。発振器は、セルラアクセス端末のトランシーバにおいて使用されてもよい。
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【課題】コンデンサへの充放電及び差動対を使用した発振回路において、回路規模や消費電力の増大を抑制しつつ安定した発振を可能とする。
【解決手段】トランジスタＭ１０は、トランジスタＭ１，Ｍ２からなる差動対に定電流ｉ１を供給する。Ｍ１には直列に抵抗Ｒ１が接続され、Ｍ１とＲ１との接続点の電位ＶＢがＭ２のゲートに印加される。一方、Ｍ１のゲートには、定電流ｉ２を生じるトランジスタＭ４と抵抗Ｒ２及びコンデンサＣ１の並列接続体との接続点の電位ＶＡが印加される。Ｍ４は、Ｍ２のオフ期間に定電流ｉ２を供給し、オン期間に定電流の供給を停止する。抵抗Ｒ２，Ｒ１それぞれの抵抗値をｒ２，ｒ１として、（ｒ１・ｉ１）＝（ｒ２・ｉ２）を満たすように設定する。 （もっと読む）

【課題】高周波動作において、互いに容量が異なる複数のコンデンサの組み合わせを切り替えて電圧制御発振器の発振周波数帯域を切り替える際に、全ての発振周波数帯域同士を重なり合わせることが可能なＰＬＬ回路を提供することを目的とする。
【解決手段】互いに容量が異なる複数のコンデンサ５１−１〜５１−ｎの組み合わせを切り替えることにより発振周波数帯域を切り替える電圧制御発振器２を備えるＰＬＬ回路１において、電圧制御発振器２が高周波動作しているとき、容量が比較的大きなコンデンサ５２−４又はコンデンサ５２−５が選択されなくなる場合、補正用のコンデンサ５−１又はコンデンサ５−２を選択して電圧制御発振器２の全体の容量を大きくする。 （もっと読む）

【解決手段】（例えばＦＭ受信機中の）ＶＣＯは、ＬＣ共振タンクを含む。ＬＣ共振タンクは、粗同調キャパシタバンクおよび微同調キャパシタバンクを含む。粗同調キャパシタバンクは複数のデジタル制御粗同調キャパシタエレメントを含み、アクティブな際に各々は第１キャパシタンス値を供給する。微同調キャパシタバンクは複数のデジタル制御微同調キャパシタエレメントを含み、アクティブな際に各々は第２キャパシタンス値を供給する。キャパシタミスマッチの現実的な問題に対処するため、ＶＣＯチューニング範囲の全体にわたるキャパシタンスオーバーラップが、微キャパシタバンクのデジタル制御微同調キャパシタエレメントの全てがアクティブな場合に、微キャパシタバンクのキャパシタンス値が第１キャパシタンス値より大きくなるように第１及び第２キャパシタンス値を選択することによって生成される。 （もっと読む）

【課題】チャージポンプを用いずに、出力周波数の精度を高くすることのできる自動調整発振器を提供する。
【解決手段】発振器１０は、発振回路１１、第１電圧供給回路１３、第２電圧供給回路１４及び調整値生成回路１６を備えている。第１電圧供給回路１３は、基準時間で第１電圧Ｖ１が基準電圧Ｖrefに到達するような時定数となる抵抗値の抵抗器Ｒ１とキャパシタン
スのキャパシタＣ１とを備える。第２電圧供給回路１４は、発振回路１１の周波数に応じたパルス信号Ｓ１，Ｓ２によってスイッチングを行なう第１及び第２スイッチング手段ＳＷ１，ＳＷ２によって第２電圧Ｖ２を上昇させる。調整値生成回路１６は、第２電圧Ｖ２が第１電圧Ｖ１よりも先に基準電圧Ｖrefになった場合には、周波数を低くする調整値を
発振回路１１に供給し、第２電圧Ｖ２が第１電圧Ｖ１よりも遅れて基準電圧Ｖrefになっ
た場合には、周波数を高くする調整値を発振回路１１に供給する。 （もっと読む）