【課題】小回路規模、低消費電力で、立ち上がりと立ち下がりの速い出力波形を得ることができる間欠動作回路を提供すること。
【解決手段】能動回路１０６と、能動回路１０６の動作開始と動作停止を制御する第１の制御信号Ｓ１を生成する第１の制御信号生成回路１０１と、能動回路１０６にリンギング振動を起こさせ、かつ、そのリンギング振動の周波数と振幅値を制御することができる第２の制御信号Ｓ２を生成する第２の制御信号生成回路１０２と、能動回路１０６からリンギング振動と安定振動が継続して出力されるように、第１及び第２の制御信号Ｓ１、Ｓ２の能動回路１０６への入力タイミングを調整するタイミング調整回路１０３とを設けるようにする。 （もっと読む）

【課題】 回路規模を縮小することができるとともに集積化に適した発振器、ＰＬＬ回路および受信機、送信機を提供すること。
【解決手段】 可変容量回路２３０、２３０Ａの静電容量を可変することによって電圧制御型発振器２１の発振周波数が変更される。可変容量回路２３０は、制御信号によって静電容量が連続的に変更可能な複数の可変容量素子６０〜６４と、可変容量素子のそれぞれに対応しており静電容量が固定の複数のコンデンサ５０〜５４と、可変容量素子とこれに対応するコンデンサとからなる組合せ回路を一組として複数の可変容量素子６０〜６４と複数のコンデンサ５０〜５４のそれぞれの選択的な接続の有無を組合せ回路を単位として切り替える複数のスイッチ７１〜７４、８１〜８４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 トリミングを行わずに電圧制御発振回路の発振周波数を調整すること。制御回路の面積を抑え、調整誤差の少ない発振回路を内蔵した半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】 電圧制御発振回路（ＶＣＯ）の周波数を調整する可変容量素子を、プロセスや素子のばらつき調整用可変容量素子群と、周波数選択用可変容量素子群との２系統に分離して調整を行い、可変容量素子の切り替えスイッチの数と回路面積の増大を小さくする。調整誤差については、調整期待値との差分を記憶素子で記憶し、その差分値が最小となる容量素子値を求めることにより影響を最小限に押さえることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来の発振器用集積回路では、低振幅の出力波形を要求された場合に、出力増幅回路トランジスタ対のゲート・ソース間電圧が十分に確保できず、大きな負荷を駆動できないという問題があった。
【解決手段】 出力増幅回路１１２のＰチャネルトランジスタ１１０およびＮチャネルトランジスタ１１１のゲートを、コンデンサ１０６および１０７により発振回路１０４の出力に交流的に結合するとともに、抵抗１０８および１０９を介してＰチャネルトランジスタ１１０のゲートはＧＮＤ電位に、Ｎチャネルトランジスタ１１１のゲートは電源電位にバイアスされていることにより、これらのトランジスタのゲート・ソース間電圧が充分に確保され、大きな負荷を駆動できるようにしたことを特徴とする集積回路。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、電圧制御発振器の位相雑音を抑制することである。
【解決手段】複数のＭＯＳトランジスタＴＲ１２、ＴＲ１３・・・のドレインは、複数のスイッチＳＷ１、ＳＷ２・・・を介してＭＯＳトランジスタＴＲ１１のドレインと接続されている。発振周波数を設定するための周波数設定用デジタルデータから得られるｇｍ設定用デジタルデータによりスイッチＳＷ１，ＳＷ２・・・をオンまたはオフにすることでＭＯＳトランジスタＴＲ１１に並列に選択的に複数のＭＯＳトランジスタＴＲ１２，ＴＲ１３・・・を接続する。これにより、共振回路１０に供給する電流を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 ２つの発振信号を切り替えて共通の端子から出力する場合に、発振信号の減衰を少なくする。
【解決手段】 第１の周波数帯の発振信号を出力する第１の発振トランジスタ１１と、第１の発振トランジスタ１１のコレクタに電源を供給する第１のインダクタ１２と、第１の発振トランジスタ１１の動作を切り替える第１のスイッチ素子１６と、第２の周波数帯の発振信号を出力する第２の発振トランジスタ２１と、第２の発振トランジスタ２１のコレクタに電源を供給する第２のインダクタ２２と、第２の発振トランジスタ２１の動作を切り替える第２のスイッチ素子２６と、第１の周波数帯の発振信号又は第２の周波数帯の発振信号を外部に出力する出力端子３０とを備え、第１のインダクタ１２と出力端子３０との間に第１のスイッチ素子１６を介挿し、第２のインダクタ２２と出力端子と３０の間に第２のスイッチ素子２２を介挿した （もっと読む）

【課題】 発振周波数を下げたときに発振停止を起こしにくくし、さらに、温度が上昇したときにも発振停止を起こしにくくする。
【解決手段】 ミキサトランジスタ８６〜８９のコレクタバイアス電流と発振トランジスタ６１、６２のコレクタバイアス電流とを設定するためのバイアス電源７４を設け、制御電圧Ｖｔが第１の所定値以上のときよりも第１の所定値以下のときにバイアス電源７４の出力電圧を高くしてミキサトランジスタ８６〜８９のコレクタバイアス電流又は発振トランジスタ６１、６２のコレクタバイアス電流の少なくとも一方を大きくした。 （もっと読む）

【課題】 インダクタを制御信号により連続的に変化可能とすることにより、発振器およびＰＬＬ回路の機能および性能を向上させる。
【解決手段】 インダクタンスが変化する可変インダクタ部と、可変インダクタ部に接続された可変容量素子と、可変インダクタ部のインダクタンスと可変容量素子の容量とで決まる発振周波数により発振する出力部と、発振周波数を変調する周波数制御信号を生成する制御信号生成手段とを含む。可変インダクタ部は、第１インダクタと、第１インダクタに流れる電流を表す電気信号を検出し、電気信号に基づいて電流信号を生成する電流信号生成手段と、電流信号を受ける第２インダクタとを含み、第１インダクタと第２インダクタを所定の磁気的結合位置に配置し、第１インダクタのインダクタンスを所望の値にする。 （もっと読む）

【課題】 誘電体共振器装荷型発振回路の立ち上がり時間及び／又は立ち下がりを短縮する。
【解決手段】 誘電体共振器１１と、誘電体共振器１１に共振電圧を与える駆動回路２０と、共振電圧を生成するために必要な電圧Ｖｄｓを駆動回路２０に与えるスイッチ７１と、共振電圧の生成を停止させるグランド電圧を駆動回路２０に与えるスイッチ７２と、スイッチ７１から見て電圧Ｖｄｓを供給する電源端子側に接続され、駆動回路２０が発生するノイズを除去するコンデンサ４２とを備える。そして、これらスイッチ７１，７２を排他的に導通させれば、スイッチ７２をオンさせることにより直ちに発振を停止させることができ、また、スイッチ７１のオン・オフにかかわらず、コンデンサ３２は常に電荷が蓄積された状態となることから、スイッチ７１がオンすると直ちに発振動作を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 発振周波数帯の切替に連動して各周波数帯に最適なバイアス電圧を発振トランジスタに印加する。
【解決手段】 発振トランジスタ１と、互いに異なる発振周波数帯にそれぞれ対応して設けられた共振回路９、１１と、１つの共振回路を選択して発振トランジスタ１のベースとコレクタとの間に結合する切替手段１２とを備え、選択された共振回路に対応したバイアス電圧を切換手段１２によって発振トランジスタ１のベースに印加した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ある周波数を発振するに際して、いずれの電圧制御発振回路を選択すべきかを一意的に決定することが可能な電圧制御発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る電圧制御発振器は、複数の電圧制御発振回路（図６ではＶＣＯ１〜ＶＣＯ３）と、そのうちの１つを選択して動作させる選択回路と、を有して成り、隣接する電圧制御発振回路の発振周波数可変域がその端部で互いに重複されて成る電圧制御発振器において、最も低域側にばらついた状態（ｌｏｗ状態）におけるｎ（≧１）番目の電圧制御発振回路の上端周波数が、最も高域側にばらついた状態（ｈｉｇｈ状態）におけるｍ（＝ｎ＋１）番目の電圧制御発振回路の下端周波数よりも高くなるように、各電圧制御発振回路の発振周波数可変域を調整して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】 従来の電圧制御型発振器に比べ、電圧による発振周波数の制御性が良い発振装置を提供する。
【解決手段】 発振装置１０は、電圧制御型発振器１と、制御電圧供給回路２とを備える。電圧制御型発振器１は、入力電圧Ｖ_ｉｎのビット数に対応して３個の可変容量ダイオード１４１〜１４３を含み、可変容量ダイオード１４１〜１４３は、ノードＮ４，Ｎ５間に並列に接続される。制御電圧供給回路２は、３ビット［Ａ３Ａ２Ａ１］からなる入力電圧Ｖ_ｉｎに基づいて、３個の可変容量ダイオード１４１〜１４３の３個の容量の和が入力電圧Ｖ_ｉｎに比例するように制御電圧Ｖ_ＣＴＬ１，Ｖ_ＣＴＬ２，Ｖ_ＣＴＬ３を決定し、その決定した制御電圧をそれぞれ可変容量ダイオード１４１〜１４３へ供給する。 （もっと読む）

【課題】電源電位が変動する場合であってもレギュレータが不要な発振回路およびフェーズロックトループ回路を実現する。
【解決手段】抵抗Ｒａの一端に電源電位ＶＤＤを与え、抵抗Ｒａの他端に定電流源７５ａを接続する。インダクタＬ１ａ，Ｌ２ａの一端にも電源電位ＶＤＤを与え、キャパシタ群１ａ，２ａの一端に、抵抗Ｒａの他端における電位Ｖｍａを与える。インダクタＬ１ａ，Ｌ２ａの他端とキャパシタ群１ａ，２ａの他端とを接続する。抵抗Ｒａには定電流が流れるので、電位Ｖｍａは電源電位ＶＤＤに対して一定の電位差を有し、インダクタＬ１ａ，Ｌ２ａの一端およびキャパシタ群１ａ，２ａの一端の間に常に一定の電圧が加わる。よって、たとえ電源電位ＶＤＤが変動しても、常に一定の電圧をインダクタおよびキャパシタの直列接続体に印加することができ、レギュレータが不要な発振回路を実現できる。 （もっと読む）

入力及び出力を有するインバータを具備する、温度補償された集積ＲＣ発振回路。ＲＣ網は、前記インバータと、比較器の対との間に接続されている。第１比較器は、第１基準電圧に接続された反転入力と、前記ＲＣ網に接続された非反転入力と、出力とを具備する。第２比較気は、前記ＲＣ網に接続された反転入力と、第２談笑電圧に接続された非反転入力と、出力とを具備する。セット・リセット・フリップフロップは、前記第１比較器の出力に接続されているセット入力と、前記第２比較器の出力に接続されているリセット入力と、前記インバータの入力に接続されている出力とを具備する。前記比較器の差動増幅器は、各々ミラー接続されたｐチャネルＭＯＳトランジスタを制御する、ダイオード接続されたｐチャネルＭＯＳトランジスタを具備し、前記ｐチャネルＭＯＳトランジスタのチャネル幅は、前記ダイオード接続されたｐチャネルカレントミラートランジスタの幅より狭い。
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【課題】 安定なＰＬＬを構成できる電圧制御発振器を得る。
【解決手段】 複数の周波数帯域を出力周波数帯域とすることができる電圧制御発振器１において、その電圧制御発振部３の前段に電圧変換部２を設け、制御部４が、電圧制御発振器１の周波数制御電圧Ｓ１−出力周波数Ｓ２変換特性を線形とすると共に電圧制御発振器１の出力周波数帯域それぞれにおける上記変換特性の傾きを略同一とすべく、出力周波数帯指定信号Ｓ３により指定される周波数帯域に応じて電圧変換部２の電圧変換特性を制御する。 （もっと読む）

【課題】 発振周波数の調整手段の選択余地を広げるのが望ましい。
【解決手段】 ＣＲ発振回路１００において、第１発振用コンデンサＣ１および第２発振用コンデンサＣ２を並列に設け、ＣＲ発振回路１００全体の容量値を選択可能に構成し、可変抵抗である、例えば第５トリミング抵抗１１６ｅを少なくとも一つ含む複数の抵抗を直列に設け、第５トリミング抵抗１１６ｅの抵抗値を調整することによってＣＲ発振回路１００全体の抵抗値を選択可能に構成し、ＣＲ発振回路１００全体の容量値として選択可能な最小値ＣＭＩＮと最大値ＣＭＡＸ、およびＣＲ発振回路１００全体の抵抗値として選択可能な最小値ＲＭＩＮと最大値ＲＭＡＸの間に、
ＣＭＩＮ・ＲＭＡＸ≧ＣＭＡＸ・ＲＭＩＮ
なる関係をもたせる。 （もっと読む）

電子デバイス（２０）は、インダクタ（４２）を含むデバイス回路（３２）を有する第１の基板（２２）と、多数の他のインダクタ（６２）を含むインダクタンス調整回路（６０）を有する第２の基板（２４）とから作成される。基板（２２、２４）は、互いに対向するように組み合わせる。他のインダクタ（６２）は、インダクタ（４２）に対して種々の相互インダクタンスの関係を選択するように構成する。これらの関係は、デバイスの動作期間中に選択することができ、デバイス回路（３２）に可変インダクタンスを提供する。 （もっと読む）

周波数同調可能な装置は、キャパシタンス範囲の全体にわたって同調可能な容量性部分（Ｃ１、Ｃ２、Ｃｖ１、Ｃｖ２）を有する共振回路（ＲＳ）を備える。発振ループを形成するために、共振回路には複数の増幅器（ＡＢ、ＡＳ１、ＡＳ２、ＡＳ３）が結合される。それらの増幅器の少なくとも１つが、活性状態とアイドル状態との間で切り替えが可能な切替可能増幅器（ＡＳ１）である。切替可能増幅器は、活性状態とアイドル状態との間で切り替えられたときに、共振回路の容量性部分と並列にキャパシタンス変化を引き起こす。切替可能増幅器は、このキャパシタンス変化が、容量性部分が同調可能なキャパシタンス範囲とほぼ一致するように構成される。
（もっと読む）

【課題】 周波数可変範囲が広く、良好な位相雑音特性を持ち、低コストで集積化した周波数シンセサイザを提供する。
【解決手段】 共振タンク回路(Ａ)および前記共振タンク回路(Ａ)の共振周期数で発振、増幅する増幅回路(Ｂ)からなるＶＣＯにおいて、前記共振回路(Ａ)に、発振周波数バンドを可変させる容量バンド切り替え回路(Ｄ)を備えると共に、各発振周波数バンドに対応して適した電流を前記増幅回路(Ｂ)供給するために、電流バンド切り替え回路(Ｅ)を備えることにより、発振周波数の可変範囲拡大と、各周波数バンドでの電流最適化により広帯域で良好な位相雑音特性を可能する。 （もっと読む）

【課題】発振周波数の安定化を図りつつ、位相ノイズの増加を抑えることができる電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器は、インダクタセクション２０、バラクタセクション２２、ネガティブＧｍセクション２１、トリミングキャパシタアレイ２３及びバイアス回路Ｒ１０〜Ｒ１５，Ｒ２０〜Ｒ２５を備えている。バイアス回路は、上記トランジスタ２６−０〜２６−５，２７−０〜２７−５とキャパシタＣ１０〜Ｃ１５，Ｃ２０〜Ｃ２５との接続点Ｎ４にバイアス電圧Ｖｂｉａｓを与える。キャパシタを切り離すトランジスタのドレインをバイアスすることによって寄生ダイオードをオンしないようにでき、それによって位相ノイズの増加を抑制することができる。 （もっと読む）