【課題】信号線や電源線を経由して伝わる振動を除去するための静磁波発振装置の固定構造を提供する。
【解決手段】永久磁石もしくは電磁石等により加えられた磁界の強さに依存して共振周波数が変化する静磁波素子を用いて所望の発振周波数を得る静磁波発振装置であって、外部と接続する信号線と、前記外部と接続する電源線と、前記静磁波発振装置を実装するための筐体に固定された支持材と、該支持材に固定され前記信号線または前記電源線を固定する緩衝材とを有し、前記信号線や前記電源線を経由して前記静磁波発振装置に伝達される振動を吸収する。 （もっと読む）

【課題】５ＧＨｚ以上の周波数帯域で出力周波数を調整するコルピッツ回路を用いた電圧制御発振器において、出力周波数の可変幅（調整幅）の劣化（低下）を抑えると共に、位相雑音の良好な特性を持つ電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】可変周波数帯域内における周波数ｆに対応する波長をλとすると、共振部１のバリキャップダイオード１３とトランジスタ２１のベース端子との間に直列となるように、線路長Ｄがλ／４で且つ特性インピーダンスが１０Ω以下の伝送線路６を配置して、トランジスタ２１のベース端子からバリキャップダイオード１３側を見た時に、当該バリキャップダイオード１３と伝送線路６とがいわば可変インダクタンス素子Ｌと等価になるようにする。 （もっと読む）

【課題】小型に構成され、高調波と基本波との電力比を増加可能な高周波発振器を得る。
【解決手段】印加された電源電圧に基づいて、発振周波数の基本波で発振動作を行い、発振周波数の２倍波を出力する２倍波取り出し型発振器１０と、２倍波取り出し型発振器１０の出力端子に接続され、発振周波数の２倍波を通過帯域とする出力回路２０とを備え、出力回路２０は、２倍波取り出し型発振器１０に電源電圧を供給する電源端子２１と、２倍波取り出し型発振器１０と電源端子２１との間に直列に接続され、発振周波数の２倍波に対してほぼ１／４波長の長さを有する結合線路２２と、２倍波取り出し型発振器１０と電源端子２１との間に直列に接続され、発振周波数の２倍波に対してほぼ１／４波長の長さを有する伝送線路２３と、結合線路２２の結合量に応じた出力電力を得る第１負荷抵抗２４と、電源端子２１に対して並列に接続されたキャパシタ２５とを有する。 （もっと読む）

【課題】外部磁界からの影響を防止しつつ、小型化及び軽量化を図ると共に、耐振動及び耐衝撃性を向上させた静磁波発振装置を提供する。
【解決手段】静磁波素子を用いて所望の発振周波数を得る静磁波発振装置１であって、静磁波発振装置本体２の周囲に強磁性体３３ａ，３３ｂと振動を吸収可能な非磁性体３２ａ，３２ｂ，３２ｃとを交互に積層させると共に、該非磁性体３２ａ，３２ｂ，３２ｃが吸収可能な振動周波数を層によって相違させる。 （もっと読む）

【課題】コルピッツ回路を用いた電圧制御発振器において、帰還部の２つのコンデンサ間とトランジスタのエミッタとを接続する導電線路におけるインダクタンス成分の影響による出力周波数の可変幅（調整幅）の劣化（低下）を抑えることのできる電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】コルピッツ回路を用いたＶＣＯにおいて、帰還部２のコンデンサ２２、２３について、トランジスタ２１のベースから伸びる端子部８（Ｔ１）及び前記トランジスタ２１のエミッタから伸びる端子部８（Ｔ２）が夫々装着されるベース基板５上のベース用端子（接続部７）とエミッタ用端子とを直結するように第１の帰還容量素子（コンデンサ）２２を配置すると共に、上記エミッタ用端子とアース用端子（接地電極５１）とを直結するように第２の帰還容量素子（コンデンサ）２３を配置する。 （もっと読む）

【課題】マイクロストリップラインのトリミングによってＱ値の劣化を招くことなく、各種の周波数帯への調整を可能とする。
【解決手段】電圧制御発振器は、発振用トランジスタのベースに接続された共振回路を有しており、この共振回路には、バラクタダイオードとともにマイクロストリップライン１０が設けられている。マイクロストリップライン１０は、その一端が制御端子に接続されており、他端がビア７を介してグランド電極に接続されている。またマイクロストリップライン１０は、その一端に位置する入力導体部１０ｂから他端に位置する接地導体部１０ｅに至る導電路がスパイラル形状をなしており、導電路の途中が粗調用導電体１０ａを介してグランドに接続されている。 （もっと読む）

広帯域周波数発生器は、フリップチップパッケージ内の同一のダイに配置された異なる周波数帯域のための２つ以上の発振器を有する。２つの発振器の誘導子間の結合は、一方の誘導子がダイに配置され、他方の誘導子がパッケージに配置され、これら誘導子がハンダバンプの直径によって離されることで、減少させられる。弱結合されたこれら誘導子では、一方の発振器の帯域を増加させるために他方の発振器のＬＣタンク回路の操作をしたり、その逆を行ったりできる。一方の発振器の振動の好ましくないモードを防ぐことは、他方の発振器の粗同調バンクの全容量といった大容量を他方の発振器のＬＣタンク回路に与えることによって達成され得る。好ましくないモードを防ぐことは、他方の発振器のＬＣタンクのＱファクタを減少させ、タンク回路内の損失を増加させることによっても達成され得る。 （もっと読む）

【課題】不要輻射電磁波による基板上の回路が異常動作を防ぐために配置したシールド板を簡単に取り付け、また確実に接地することができるようにした発振器を提供する。
【解決手段】磁極５の中心軸部５ｂに雄ねじ部５ａを形成し、磁束発生手段の下部側に基板２への不要輻射磁束を遮蔽するようにシールド板８を配置すると共に、このシールド板８を導電性があり、かつ磁気を透し難い材質で構成し、磁極５の雄ねじ部５ａを利用してシールド板８をねじ連結することによって、シールド板８を磁極５へ機械的に支持すると共に、両者間を電気的に接続し、配線接続を行うことなく磁極５とシールド板８の接地作業を容易にした。 （もっと読む）

【課題】高価な誘電体共振器やバラクタダイオードを使用することなく、廉価に制作することができ、また回路面積が小さく小型化が可能となるようにする。
【解決手段】誘電体基板１上に形成されたマイクロストリップ線路２において、増幅素子３の入力端のゲートが入力端側線路２ａに接続され、出力端のドレインが出力端側線路２ｂに接続され、ソースが接地電極５を介して基板裏面の接地面７に接続される。そして、上記増幅素子３の上面に、例えば棒状の金属体１０を絶縁性接着剤９によって接着し、この金属体１０をマイクロストリップ線路２の伝送線路方向に配置することで、この金属体１０の一方端を入力端側線路２ａ、他方端を出力端側線路２ｂに容量性結合する。この金属体の結合は、一端のみでもよい。これによれば、増幅素子３からの出力が、容量Ｃ_１２、インダクタンスＬ、容量Ｃ_１１を通って入力端へ帰還し、発振が行われる。 （もっと読む）

【課題】
発振周波数の可変幅が大きく、信号固定迄の引込み時間が早い静磁波発振装置を提供する。
【解決手段】
磁束密度により共振周波数が変化する共振器５と、該共振器と対向する位置にある永久磁石６と、該永久磁石を囲むコイル９，１１とを具備し、前記共振器と前記永久磁石の間には空間７が形成され、該空間に強磁性体の金属板１６が設けられ、該金属板は前記永久磁石と当接される。
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【課題】
本発明においては、基板上に配置され金属筐体で覆われた誘電体共振器と非線形素子の間に金属板を配置し、発振器の周波数の調整時に、所望の発振モードにおける安定発振が可能となる。
【解決手段】
基板と、グランドと、非線形素子と、非線形素子の第一端子に一端を接続し、他端をグランドに接続した第一マイクロストリップラインと、非線形素子の第二端子に接続された第ニマイクロストリップラインと、誘電体共振器と、金属筐体と、周波数調整ネジとを備え、周波数調整ネジの回動により周波数の調整が可能な発振器であって、周波数調整ネジの回動時に、発振器の発振モードを確保できるように金属筐体の内部壁面に接続され、非線形素子と誘電体共振器の間に、前記第一マイクロストリップラインと略直交方向にグランドと接続するように金属板を配置したことを特徴とする発振器を提供する。 （もっと読む）

【課題】高い周波数のマイクロ波を発振させることができる小型の静磁波発振装置を得る。
【解決手段】底６と銅板９との間の空隙には、下部磁極７を巻回する形態で、第２の粗調整用電磁コイル１２が形成される。すなわち、この静磁波発振装置においては、静磁波素子１から見て、粗調整用電磁コイル１０と第２の粗調整用電磁コイル１２の２個の電磁コイルが、磁界の方向において両側に各々設けられている。このうち、第２の粗調整用電磁コイル１２は、銅板９（支持板）に接して設けられる。第２の粗調整用電磁コイル１２は粗調整用電磁コイル１０と同じ向きに巻かれ、粗調整用電磁コイル１０と電気的に直列あるいは並列に接続される。これによって発生する磁界は、粗調整用電磁コイル１０と同方向であり、この磁界を強くすることができる。 （もっと読む）

【課題】
静磁波発振装置に於ける磁極間の空隙の距離が磁界の強さを決定する一因であることを利用し、多くの周波数帯域に対応できる静磁波発振装置を提供する。
【解決手段】
所定の空隙７を形成する様に磁極３，８が対峙して配設され、前記空隙に磁界１５が形成され、前記空隙内に発振回路基板９を介して静磁波素子１２が設けられた静磁波発振装置１であって、前記磁極間の距離を変更可能とし、該距離を変更することで発振周波数を変更可能とした。
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【課題】Ｑ値が高く、位相雑音特性が優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、能動素子としての集積回路１２と、集積回路１２に電気的
に接続される複数の接続電極（１４，１５）とを含む半導体基板１０と、半導体基板１０
の接続電極１４，１５が形成される面に、接続電極１４，１５を避けて形成される第１の
樹脂層７０と、半導体基板１０と第１の樹脂層７０の間に形成され、複数の接続電極のう
ちの一つに接続される接続配線層２５，２６と、接続配線層２５，２６に一端が接続され
、第１の樹脂層の表面に形成されるＣｕ配線層からなる渦巻き形状のスパイラルインダク
タ４０，５０と、スパイラルインダクタ４０，５０の表面を覆う第２の樹脂層７５と、複
数の接続電極のいくつかと電気的に接続され、第２の樹脂層７５から一部が突出してなる
外部端子８１〜８６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】大きな負荷Ｑ値が得られるマイクロストリップ線路共振器と、このマイクロストリップ線路共振器を用いて発振器を構成された、小型、高出力、低位相雑音のマイクロ波発振器を提供すること。
【解決手段】誘電体基板上に形成された回路パターンに実装された能動素子のいずれか一つの端子に、マイクロストリップ線路共振器が接続されて構成されるマイクロ波発振器であって、そのマイクロストリップ線路共振器は、誘電体基板上に形成された回路パターンに実装され、折り曲がり部が形成された４個のマイクロストリップ伝送線路で該正方形に結合されたマイクロストリップ伝送線路の間に結合された４個のマイクロストリップ線路共振器うちのいずれか一つと、直線状のマイクロストリップ伝送線路で結合された複数のマイクロストリップ線路共振器のうちのいずれか一つとがエッジ結合されて形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誘電体共振器型発振器（ＤＲＯ）の量産においては、誘電体共振器を設置する位置を高い精度で調節する必要があり、組立作業に要する時間が増大してしまう。また、誘電体共振器と電磁的に結合させ、共振器を構成する伝送線路の先端の終端抵抗および接地手段を誘電体基板上に形成すると製造コストが高くなる。
【解決手段】ＤＲＯの構成部品のうち、伝送線路のみを誘電体基板上に形成し、ＭＭＩＣチップ上の発振用能動素子、終端抵抗および接地手段を伝送線路と金属ワイヤ、金属リボン等で接続する。また、誘電体共振器から見て発振用能動素子側の伝送線路の中途に、オープンスタブを形成する。 （もっと読む）

【課題】 高周波帯域においても寄生抵抗が低く、入出力端子からインダクタを見たときの特性が対称的であり、小型なオンチップ型のインダクタを提供する。
【解決手段】 絶縁層を介した複数の層に亘って入力端子ＩＮ１、ＩＮ２から出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２まで螺旋状にそれぞれ延びた偶数個のインダクタ素子Ｌ１、Ｌ２を有している。インダクタ素子Ｌ１、Ｌ２は、相互の発生磁界が同じ向きとなるように配置されていると共に、入力端子から見たＱ値を含むインダクタ特性と出力端子から見たものとが概ね同じになるように並列接続されている。 （もっと読む）

【課題】小型で低コストであり、かつ負荷変動、高調波レベルおよびＣ／Ｎ比を改善することが可能な発振器を提供する。
【解決手段】発振器は、第１発振周波数の第１発振信号を第１中間ノードＮ１を介し出力端子Ｔｏｕｔに出力する第１発振部１０と、絶縁層を有し、第１発振部１０を実装する実装部と、絶縁層に設けられ、第１中間ノードＮ１とグランドとの間に結合された第１線路Ｓ１１と、絶縁層に設けられ、第１中間ノードＮ１と電源端子Ｔｂとの間に結合された第２線路Ｓ２１と、絶縁層に設けられ、第１中間ノードＮ１と出力端子Ｔｏｕｔとの間に結合された第３線路Ｓ３１と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】インダクタコイルの高さが高く、高周波装置の薄型化が困難である。
【解決手段】基板２１と、この基板２１に設けられた接続端子２５ａと接続端子２５ｂと、この接続端子２５ａと接続端子２５ｂとの間を連結するように基板２１上に装着されたインダクタ導体２２とを設け、インダクタ導体２２と接続端子２５ａとの間およびインダクタ導体２２と接続端子２５ｂとの間は共にはんだ３２によって接続されたものである。これにより、インダクタは基板上にインダクタ導体が装着されることによって形成されるので、薄い高周波装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で、発振周波数を調整してもマイクロ波を安定して発振させるマイクロ波発振装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波発振装置１００は、基板１０２上に設けられたマイクロストリップ線路１０５と、マイクロストリップ線路１０５上に支持された誘電体共振器１１０と、の結合によりマイクロ波を発振させる。さらに、マイクロ波発振装置１００は、傾斜送り部１２０を有し、傾斜送り部１２０はキャビティ１０３の傾斜板１１３に設けられている。傾斜送り部１２０は、発振周波数を調整するための送りねじ１１５と、送りねじ１１５用のねじ孔を有する円柱状の角度調整軸１１７と、所定角度に固定可能な軸受け１１４と、これらの部品と発振回路とを電磁気的に遮蔽する遮蔽板１１２と、誘電体共振器１１０と、遮蔽板１１２と誘電体共振器１１０とを接続する接続部１１１と、を含んでいる。 （もっと読む）