本発明は、電圧制御発振器（ＶＣＯ）に関し、高温センサ送受信機でのＶＣＯの使用に関する。このＶＣＯは、電圧入力と、その電圧入力に応じた発振周波数とを有する。このＶＣＯは、持続発振を可能にする利得をもたらすトランジスタを含む。このトランジスタはまた、入力電圧に応じて変化する容量を有する。高温センサには、センサ出力信号を無線送信するためにＶＣＯに動作可能に結合された高温センサを含む。 （もっと読む）

【課題】周波数変換利得の変動が少ない発振器のためのＬＣ共振回路、それを用いた発振器及び情報機器を提供する。
【解決手段】発振器のＬＣ共振回路が、インダクタＬ１、第１の微調容量と第１の容量バンクからなる並列回路と、第２の微調容量と第２の容量バンクの直列容量とを含む。発振器の周波数変換利得は、第１の容量バンクの容量値が大きくなるに従い低下する第１の微調容量による発振器の周波数変換利得と、第２の容量バンクの容量値が大きくなるに従い増大する第２の微調容量による周波数変換利得の和となる。 （もっと読む）

【課題】発振周波数を制御し、所望の周波数範囲を得ることが可能な電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】本発明に係る電圧制御発振器１００は、第１のインダクタ２、第２のインダクタ３、および第１の可変容量４、を有するタンク回路５と、第１のインダクタ２の他端と接地電位ＶＳＳとの間に接続され、ゲートが第２のインダクタ３の他端に接続されたｎ型の第１のＭＯＳトランジスタ６と、第２のインダクタ３の他端と接地電位ＶＳＳとの間に接続され、ゲートが第１のインダクタ２の他端に接続されたｎ型の第２のＭＯＳトランジスタ７と、第３のインダクタ９と、第４のインダクタ１１と、第３のインダクタ９の他端と第４のインダクタ１１の他端との間に接続された第２の可変容量１３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】広帯域の周波数帯で発振可能で、所望の周波数帯域への切替え機能を有する周波数可変シンセサイザを提供する。
【解決手段】負性抵抗を発生する能動素子部３の動作と周波数切替え制御信号とにより可変共振器２で可変の共振周波数で発振した信号を、分周比制御信号により可変分周器８で可変に分周して出力信号端子６Ａから出力する。可変共振器２は、１ないし複数のインダクタとキャパシタとスイッチ素子とからなり、スイッチ素子を切替えることにより可変の共振周波数で発振する。可変分周器８は、可変共振器２の共振周波数の（１／ｉ）、（１／２ｉ）、（１／２）^ｉまたはそれらの組み合わせで分周した周波数を出力する。インダクタに厚膜の配線金属層、裏面研磨の基板、基板から浮かした配線層のいずれかを、また、スイッチ素子にＭＥＭＳスイッチ、機械的切替え形スイッチ、ＦＥＴスイッチ、ダイオードスイッチのいずれかを使用する。 （もっと読む）

【課題】 周波数可変範囲が広くＱの変化が少ないとともに、外付け部品が不要でありチップサイズの低減を図ることができるＬＣ共振型発振回路およびそれを内蔵した通信用半導体集積回路（高周波ＩＣ）を提供する。
【解決手段】 ＬＣ共振型発振回路において、ＬＣ共振回路を構成するインダクタンス素子（Ｌ１）と対向するように配置され相互誘導結合される二次側インダクタンス素子（Ｌ２）の両端子間に、容量素子（Ｃ２）とスイッチ素子（ＳＷ１）とを並列に接続する。そして、上記スイッチ素子がオフされた状態では二次側インダクタンス素子の両端子間に容量素子が接続された状態となって等価インダクタンスが増加し、上記スイッチ素子がオンされた状態では二次側インダクタンス素子の両端子間が短絡された状態となって等価インダクタンスが減少するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ミクロ機械の可変／同調可能なインダクタを提供する。
【解決手段】本発明のインダクタは、空間電磁継手を支持することができる少なくとも二つの素子と、その幾何学的関係を変化させるための手段とを備える。上記素子の間の幾何学的関係を変化させると、インダクタのインダクタンスが変化する。ある実施形態の場合には、変化する幾何学的関係は、二つの素子の間の空間である。上記空間は、上記素子の間の差動運動により変化する。他の実施形態の場合には、本発明は、上記可変インダクタを内蔵する共振回路を含み、オッシレータは、上記共振回路を含む。 （もっと読む）

【課題】 数ギガヘルツ以上の高周波域においても、高精度のクロック信号を生成し分配可能なクロック生成分配装置を提供すること、及び20GHzに達するような高周波域においても、各電圧制御発振器が同一位相で発振し、希望する周波数のクロック信号が生成でき、高周波クロック信号を、より安定にチップ内の各部に分配する分散VCO型クロック生成分配装置を提供すること。
【解決手段】 各電圧制御発振器としてLC共振型電圧制御発振器を採用し、さらにその発振ノード間の接続配線のインダクタ成分を相対的に小さくして、あるいは、LC共振発振器を注入同期により同期して発振させることにより、各LC共振型電圧制御発振器が安定して同一位相で発振するようにする。 （もっと読む）

【課題】広帯域に亘って容量値が可変で、小型、低コストの可変容量素子を提供する。
【解決手段】シリコン基板１と、シリコン基板上に形成された当該シリコン基板とは異なる導電型の第１ウェル層２と、第１ウェル層上に形成された当該第１ウェル層とは異なる導電型の第２ウェル層３と、第２ウェル層上に形成されたゲート酸化膜４と、ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極５とを備える。ゲート電極と第２ウェル層間の電位差に応じて容量値が可変であるとともに、第２ウェル層と第１ウェル層間の電位差に応じて容量値が可変である。 （もっと読む）

【課題】２個以上の値の間で切替え可能なインダクタンス値を有する可変集積インダクタについて記載する。
【解決手段】好適な実施形態において、可変集積インダクタは、一対の２次インダクタに電磁結合されたマルチループ１次インダクタを含んでいる。２次インダクタは互いに接続されて閉回路を形成しており、その内部で２次インダクタは、マルチループ１次インダクタにより出力されるインダクタンス値を変化させるように直列接続と並列接続との間で切替え可能な可変トポロジを有している。一応用例において、可変集積インダクタは、マルチバンドＲＦ無線トランシーバ（例えば、無線通信装置）で使用可能な種類である電圧制御発振器（ＶＣＯ）内で用いられる。他の応用例において、可変集積インダクタは、同調増幅器負荷、インピーダンス整合ネットワーク、デジタル制御発振器、または他の任意の種類の周波数選択ＬＣネットワークに利用可能である。 （もっと読む）

【課題】 インダクタを制御信号により連続的に変化可能とすることにより、発振器およびＰＬＬ回路の機能および性能を向上させる。
【解決手段】 インダクタンスが変化する可変インダクタ部と、可変インダクタ部に接続された可変容量素子と、可変インダクタ部のインダクタンスと可変容量素子の容量とで決まる発振周波数により発振する出力部と、発振周波数を変調する周波数制御信号を生成する制御信号生成手段とを含む。可変インダクタ部は、第１インダクタと、第１インダクタに流れる電流を表す電気信号を検出し、電気信号に基づいて電流信号を生成する電流信号生成手段と、電流信号を受ける第２インダクタとを含み、第１インダクタと第２インダクタを所定の磁気的結合位置に配置し、第１インダクタのインダクタンスを所望の値にする。 （もっと読む）

【課題】 インダクタを制御信号により連続的に変化可能とすることにより、電圧制御発振器の機能および性能を向上させる。
【解決手段】 第１インダクタ（１）と、第１インダクタ（１）に流れる電流を検出する電流検出回路（３）と、検出された電流に基づいて電流信号を生成する電流源（４）と、電流信号を受ける第２インダクタ（２）とを有し、第１インダクタ（１）と第２インダクタ（２）を所定の磁気的結合位置に配置し、第１インダクタ（１）のインダクタンスを所望の値にすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 発振トランジスタ側の負性抵抗を周波数が離れた２つの周波数帯でも十分に得られるようにして、何れの周波数帯でも安定して発振させる
【解決手段】 発振トランジスタ２０のベース−コレクタ間に介挿される共振回路２６は周波数が異なる２つの周波数帯に対応して共振周波数が切り替えられるように構成され、ベース−エミッタ間に介挿される第１の帰還手段２４又はエミッタ−コレクタ間に介挿される第２の帰還手段２５の少なくとも一方を３個のリアクタンス素子を直並列に接続して２つの周波数帯で共に誘導性又は容量性を呈するように構成すると共に、帰還手段の他方を２つの周波数帯で一方の帰還手段と同じく誘導性又は容量性とし、２つの周波数帯で発振させた。 （もっと読む）

【課題】 広い周波数範囲を取ることができ、また発振安定性を改善することができるＷ−ＣＤＭＡ用の電圧制御発振器、ＲＦ−ＩＣを提供する。
【解決手段】 電圧制御発振器（ＲＦ−ＩＣ）において、共振回路の共振用Ａ，Ｂインダクタ１４，１５との間で磁気的相互作用を発生する切替用Ａ，Ｂインダクタ１２，１３と、共振用Ａ，Ｂインダクタ１４，１５と切替用Ａ，Ｂインダクタ１２，１３との間の磁気的相互作用によりインダクタンス値を切り替えるスイッチ機能、切替用Ａ，Ｂインダクタ１２，１３の負荷となる負荷機能を兼ね備えたスイッチ・負荷手段としての、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ＿ＮＭＯＳ６，７，８，９とを備え、制御信号によりＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ＿ＮＭＯＳ６，７，８，９のオン・オフをさせて相互誘導を制御し、共振回路のインダクタンス値を切り替えて発振周波数を切り替える。また、インダクタンス値を上げて発振安定性を上げる。 （もっと読む）

【課題】出力インピーダンスの調整が容易に行なうことができ、高調波成分の抑制も容易に実現することが可能とした電圧制御発振回路を提供する。
【解決手段】共振周波数帯域を異なる２つの帯域に切り換えるためのシフト回路を含む共振回路部Ｘと負性抵抗回路部Ｙと増幅回路部Ｚとから構成される電圧制御発振回路において、前記増幅回路部Ｚの増幅用トランジスタのコレクタ端子と接地電位との間に、ストリップ線路Ｌ２と第１のコンデンサＣ９とが並列に接続された並列回路部Ｈを配置するとともに、前記増幅用トランジスタのコレクタ端子Ｃ９と前記出力端子ＯＵＴＰＵＴとの間に、第２のコンデンサＣ１０とインダクタ素子Ｌ３とが直列に接続された直列回路部Ｔを配置した。 （もっと読む）

【課題】クオリティファクタの低下が少ない可変インダクタ並びにそれを用いた発振器及び情報機器を提供すること。
【解決手段】主インダクタＬ１に対して相互インダクタンスＭを介して磁気的に結合している副インダクタＬ２に、素子値が可変のリアクタンス素子例えば可変容量かからなるインダクタンス制御回路４１を接続する。可変容量の容量値を変化させるための制御信号を入力するインダクタンス制御端子ＶＬＣをインダクタンス制御回路に設ける。制御信号によって容量値を変化させることによって主インダクタのインダクタンスを変える。 （もっと読む）

電子デバイス（２０）は、インダクタ（４２）を含むデバイス回路（３２）を有する第１の基板（２２）と、多数の他のインダクタ（６２）を含むインダクタンス調整回路（６０）を有する第２の基板（２４）とから作成される。基板（２２、２４）は、互いに対向するように組み合わせる。他のインダクタ（６２）は、インダクタ（４２）に対して種々の相互インダクタンスの関係を選択するように構成する。これらの関係は、デバイスの動作期間中に選択することができ、デバイス回路（３２）に可変インダクタンスを提供する。 （もっと読む）

【課題】 発振周波数の初期設定を複数のヒューズの導通・溶断により行う簡素な構造の電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】 電圧制御発振器の共振回路１１には共振周波数調整回路１３が備えられている。共振周波数調整回路１３は、バラクタダイオードＶＤのカソードと接地との間に直列接続されるコイルＬ１１〜Ｌ１３および高周波接地用コンデンサＣ１３と、コイルＬ１１，Ｌ１２の接続点に接続するヒューズＦ１１、ヒューズＦ１１と接地との間に並列接続される高周波接地用コンデンサＣ１１およびツェナーダイオードＺＤ１１と、コイルＬ１２，Ｌ１３の接続点に接続するヒューズＦ１２、ヒューズＦ１２と接地との間に並列接続される高周波接地用コンデンサＣ１２およびツェナーダイオードＺＤ１２と、からなる。ツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ１２はブレークダウン電圧が異なり、これらには制御電圧入力端子５から調整用電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】 トリミング位置を簡単且つ正確に特定することが可能な多層電子部品の集合基板を提供する。
【解決手段】 本発明による多層電子部品の集合基板は、切断により複数の多層電子部品を取り出すことが可能な多層電子部品の集合基板であって、複数の絶縁層のうち所定の絶縁層上に形成されたトリミングパターン１２２ｂと、同じ絶縁層に形成され、トリミングパターン１２２ｂとの相対的な位置関係を示す認識用マーク１２２ａとを備える。これにより、画像認識によりトリミング位置の特定を行う場合であっても、非常に簡単な処理でトリミング位置の特定を行うことが可能となる。しかも、認識用マークがトリミングパターンと同じ層に形成されていることから、層間のパターンずれなどが生じず、正確にトリミング位置を特定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 基板の小さな面積内に設けることができ、また、インダクタンス値の調整が容易なインダクタンス調整電極およびそれを備えた電子装置を提供する。
【解決手段】 インダクタンス調整電極１は、基板３１に設けられた導体パターンとして構成された、第１および第２の主電極１１，１２と、第１および第２の主電極１１，１２の間を電気的に接続する複数の調整用電極２１とを備えている。その各調整用電極２１の一部は、基板３１に設けられた貫通孔状の凹部３２の内周面３３に設けられている。必要に応じて１または複数の調整用電極２１を切断することでインダクタンス値を調整する。 （もっと読む）