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Fターム[5J097AA19]の内容

弾性表面波素子とその回路網 (15,777) | 目的又は効果 (3,383) | 所望の周波数特性 (693) | 広帯域化 (91)

Fターム[5J097AA19]に分類される特許

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【課題】 ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜とニオブ酸カリウム膜とが積層された圧電体膜積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体膜積層体100は、サファイア基板11と、サファイア基板11の上に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜12と、ニオブ酸カリウム膜13と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 小型で、通過帯域を広げることが出来るアンテナ共用器を提供する。
【解決手段】 本発明のアンテナ共用器は、第1,第2の表面弾性波フィルタ11,16を備え、第1の圧電基板12に設けられた第1の表面弾性波フィルタ11の一つの第1の電極部14aは、もう一つの第2の表面弾性波フィルタ16の第2の圧電基板17の背面に設けられた中継電極部21を介して第1の端子4cにワイヤ24によって接続されたため、ワイヤ24を長くできて、通過帯域を広げることが出来ると共に、ワイヤ24は、パッケージ1内の空間部内で配線できて、スペースファクタが良く、小型化が図れる。 (もっと読む)


【課題】小型で広帯域かつ低損失なフィルタ特性を有する弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】弾性表面波フィルタは、第1の入力用IDT11及び第1の出力用IDT12を第1の音響軌道上に配置した第1の2端子対共振子1と、第2の入力用IDT21及び第2の出力用IDT22を第2の音響軌道上に配置し、第2の入力用IDT及び第2の出力用IDTの電極ピッチが第1の入力用IDT及び第1の出力用IDTの電極ピッチと異なる第2の2端子対共振子2と、第3の入力用IDT31及び第3の出力用IDT32を第3の音響軌道上に配置し、第3の入力用IDT及び第3の出力用IDTの電極ピッチが第1の入力用IDT及び第1の出力用IDTの電極ピッチと同一の第3の2端子対共振子3とを有する。 (もっと読む)


【課題】 ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜、これを有するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛積層体100は、サファイア基板11と、サファイア基板11の上に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜12と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 デュアルトラック型トランスバーサル弾性表面波フィルタの帯域幅を広げる手段を得る。
【解決手段】 圧電基板上に3つのIDT電極を配置して第1のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを形成し、該第1のトランスバーサル型弾性表面波フィルタに平行して3つのIDT電極を配置して第2のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを形成し、第1及び第2のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを並列接続して構成するデュアルトラック型トランスバーサル弾性表面波フィルタであって、前記第1のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの電極ピッチp1と第2のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの電極ピッチp2とを互いに異ならせた弾性表面波フィルタ。 (もっと読む)


【課題】 デュアルトラック型トランスバーサル弾性表面波フィルタの帯域幅を広げる手段を得る。
【解決手段】 圧電基板上に3つのIDT電極を配置して第1のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを形成し、該第1のトランスバーサル型弾性表面波フィルタに平行して3つのIDT電極を配置して第2のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを形成し、第1及び第2のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを並列接続して構成するデュアルトラック型トランスバーサル弾性表面波フィルタであって、前記第1のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの電極間間隙d1と第2のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの電極間間隙d3とを互いに異ならせたことを特徴とする弾性表面波フィルタ。 (もっと読む)


圧電体基板(11)と、この圧電体基板(11)上の第1の弾性表面波伝播路上に設けた複数個のIDT電極(12、13)と、これらのIDT電極(12、13)を含む第1の電極パターンの両端部に配設された反射器電極(14、15)と、上記圧電体基板(11)上で、かつ第1の弾性表面波伝播路上とは異なる第2の弾性表面波伝播路上に設けた1個以上のIDT電極(16)と、このIDT電極(16)を含む第2の電極パターンの両端部に配設された反射器電極(17、18)とを有し、第1の弾性表面波伝播路上のIDT電極(12、13)間を接続配線部(19)で電気的に直列に接続するとともに、この接続配線部(19)とグランド(20)との間に第2の弾性表面波伝播路上のIDT電極(16)を接続した構成からなり、SAWフィルタ(10)を小型化できる。
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【課題】簡単な構成で、通過帯域の広帯域化、絶対遅延時間偏差の低減化、絶対遅延時間の増大化を実現させる。
【解決手段】遅延線10Aは、第1の遅延回路12と第2の遅延回路14とを有する。第1の遅延回路12は、入力端子16と出力端子18とを有する帯域通過遅延線やその他の遅延線で構成される。第2の遅延回路14は、入力端子20、第1の出力端子22a、第2の出力端子22b及びアイソレーション端子24を備えたハイブリッドカプラ26と、第1の出力端子22aに接続された第1のリアクタンス部28Aと、第2の出力端子22bに接続された第2のリアクタンス部28Bとを有する。さらに、第1の遅延回路12の出力端子18と第2の遅延回路14におけるハイブリッドカプラ26の入力端子20とが電気的に接続されている。 (もっと読む)


周波数ばらつきの低減と、反共振周波数におけるQ値の改善の双方を図り得る1ポート型弾性表面波共振子を提供する。 回転YカットLiTaO基板2と、該LiTaO基板2上に形成されたインターデジタル電極3と、インターデジタル電極3の表面波伝搬方向両側に設けられた反射器4,5とが形成されている1ポート型弾性表面波共振子であって、インターデジタル電極3の電極指の幅をa、電極指間ギャップをbとしたときに、メタライゼーション比a/(a+b)が0.55〜0.85の範囲とされており、かつインターデジタル電極3が交差幅重み付けを施されている、1ポート型弾性表面波共振子1。
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【課題】電極寸法の製造偏差による周波数偏差が小さいAlを主成分とした電極を用い、反射特性に優れ製品の小型化を図ることが可能であり、電気機械結合係数が大きく、かつ、温度に対する周波数変動が小さい弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】水晶基板2の表面の切り出し角および伝搬方向が、オイラー角(0°、135〜186°、90±2°)の範囲になるように設定されるとともに、規格化電極膜厚h/λは0.082〜0.150に設定し、SH型表面波を励振する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、結合係数が大きな弾性表面波デバイスを素子特性のばらつきなく提供することを目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、チタンあるいはニオブの少なくとも一方を白金に混入したものをバッファ層3に用いたことにより、バッファ層に酸化物を用いないため組成ずれを起こすことがなく、そのため素子特性のばらつきを生むこともなく、且つ、白金に混入されたチタンあるいはニオブが白金の上層に偏析することにより形成されるチタンあるいはニオブの酸化物を成長の核として、その上面にX線構造解析において回折強度が最大となる第1の角度を22度付近に有し、この第1の角度の次に大きな回折強度を持つ第2の角度を45度付近に有するニオブ酸カリウムで圧電体層を形成することができるため、電気機械結合係数の大きな弾性表面波デバイスを素子特性のばらつきなく提供することができる。 (もっと読む)


【課題】 圧電基板やそのカット方位は従来の一般的な圧電基板を使用した状態で、低損失で広帯域な特性を有する弾性表面波素子を提供すること。
【解決手段】 圧電基板2上に、フィンガー3およびバスバー4を有しており、バスバー4がフィンガー3側に膜厚漸増領域5を有している、IDT(Inter Digital Transducer)電極6および反射器電極7の少なくとも一方を有する弾性表面波素子1である。膜厚漸増領域5を有することによりバスバー4に質量分布ができ、バスバー4によって共振子内に弾性表面波を閉じ込めることができるとともに共振子内に閉じ込める弾性表面波の振幅強度をフィンガー3からバスバー4の方向に徐々に減衰させることができ、これによって弾性表面波素子が共振する周波数にも広がりができるため、低損失でかつ広帯域な弾性表面波素子1を実現することができる。 (もっと読む)


【課題】 高周波化を可能とし、周波数温度特性が優れ、且つ、製造コストを低減できるラム波型高周波共振子を提供する。
【解決手段】 ラム波型高周波共振子1は、水晶基板10の一方の主面にラム波を励振させるための櫛歯状のIDT電極20を備えたラム波型高周波共振子であって、前記水晶基板10の切り出し角度及び前記ラム波の伝搬方向が、オイラー角表示で(0、θ、0)になるようにIDT電極20が形成され、水晶基板10の厚みtと、波長λとの関係が、0<t/λ≦3で表される範囲内に設定され、この範囲において6つの領域が設定され、そのうちの第1領域では、角度θが132.8度≦θ≦178度、t/λが1.1≦t/λ≦3の範囲に設定されている。 (もっと読む)


【課題】 広帯域で低インピーダンスであり、且つ小型の弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】 弾性表面波フィルタ10は、圧電基板12と、この圧電基板12上に形成されて複数の電極指22を備えたすだれ状電極20からなる入力電極14および出力電極16と、弾性表面波が伝搬する方向における前記入力電極14および前記出力電極16を挟む位置に複数の電極指32を備えた反射器30とを備えた弾性表面波フィルタ10であって、前記すだれ状電極20の前記電極指22および前記反射器30の前記電極指32は、斜めに折り曲げられた接続部24,34と、前記接続部24,34の両端に接続されて長さの異なる直線部26,36とを有し、長さの異なる前記直線部26,36で得られる弾性表面波を結合状態にし、4つ以上の共振を利用して通過帯域を形成してなる構成である。 (もっと読む)


【課題】圧電基板に水晶基板を用い励振波をSH波としたSAWデバイスにおいて、広帯域で、且つ優れた周波数温度特性を実現することを目的とする。
【解決手段】圧電基板1上に、IDT2とその両側にグレーティング反射器3a、3bを配置する。圧電基板1は、回転Yカット水晶基板のカット角θを結晶Z軸より反時計方向に−65°≦θ≦−51°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶X軸に対し90°±5°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はSH波である。IDT2及びグレーティング反射器3a、3bはTa又はTaを主成分とする合金からなり、弾性表面波の波長をλとした時、波長λで基準化した電極膜厚H/λをH/λ≧0.01の範囲に設定する。 (もっと読む)


【課題】 通過帯域内の平衡度が良好な弾性表面波素子およびそれを用いた通信装置を提供すること。
【解決手段】 弾性表面波素子は、圧電基板1上に、弾性表面波の伝搬方向に第1のIDT電極31〜38を電気的に接続した3つのIDT電極群21〜23を配設し、IDT電極群21〜23の第1のIDT電極31〜38の間に、第1のIDT電極31〜38に電気的に非接続の、第1の分離電極51〜54を配設した第1の弾性表面波素子部Aと、IDT電極群24,25と第1の分離電極55,56を配設し、IDT電極群24,25と反射器電極4,5との間にIDT電極群24,25とは電気的に非接続の第3のIDT電極61,62を第2の分離電極として配設した第2の弾性表面波素子部Bとを備え、第1の弾性表面波素子部Aの中央のIDT電極群22が不平衡入力部6、第2の弾性表面波素子部Bの2つのIDT電極群24,25が平衡出力部7,8とされている。 (もっと読む)


本発明は、音響表面波で作動する構成素子の電極構造体の層構造に関する。この電極構造体はここで、音響インピーダンスZa,dを有する誘電層(4)によって覆われている。電極構造体の層構造は第1の層システムを含み、当該第1の層システムは、第1の材料から成る少なくとも1つの第1の層(31,32)から成り、この第1の層内では音響インピーダンスは2Za,dより小さく、層構造はさらに第2の層システムを含み、この第2の層システムは、第2の材料から成る少なくとも1つの第2の層(21,22、23)から成り、この第2の層内では音響インピーダンスは値2Za,dを上回る。この多層構造の全体高さに対する、前記第2の層システムの全体厚さの相対的な割合は15%〜85%の間である。
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【課題】広帯域化を図り得るだけでなく、通過帯域内における挿入損失を小さくし得る縦結合共振子型弾性表面波フィルタを得る。
【解決手段】圧電基板2上に、弾性表面波伝搬方向に沿ってそれぞれ複数本の電極指を有する少なくとも3つのIDT13〜15を備え、少なくとも1つのIDT13〜15が、表面波伝搬方向に隣接している他のIDT端部から一部分である狭ピッチ部分の電極指の周期が、該IDTの残りの部分の電極指の周期より狭くされており、かつ0次モード、2次モード及びIDT−IDT間共振モードを利用している、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ1。 (もっと読む)


【課題】 帯域幅におけるリップルを低減できるようにする。
【解決手段】 弾性表面波素子片10は、圧電基板12がタンタル酸リチウムのXカット板から形成してある。圧電基板12の表面には、すだれ状電極からなる一対のIDT14(14a、14b)と、これらのIDTを挟むように一対の反射器20(20a、20b)とが設けてある。IDT14を形成している電極指部18(18a、18b)は、アルミニウム系金属膜からなる電極指本体30を有する。電極指本体30の表面には、電極指本体30を陽極酸化して形成した陽極酸化膜32が設けてある。陽極酸化膜34は、二酸化ケイ素膜26によって覆われている。 (もっと読む)


【課題】 通過帯域幅を広く保ちつつ挿入損失の劣化を低減し、かつリップルを低減できる優れた特性の弾性表面波素子およびそれを用いた通信装置を提供すること。
【解決手段】 圧電基板1上に3つのIDT電極群21,22,23を配設し、IDT電極群21,22,23の少なくとも2つの第1のIDT電極間に第1の分離電極を配設した第1の弾性表面波素子部Aと、2つのIDT電極群24,25及び第1の分離電極を配設し、IDT電極群24,25間及びIDT電極群24,25と第1の反射器電極4,5との間の少なくとも一つに第2の分離電極を配設した第2の弾性表面波素子部Bとを備え、第1の弾性表面波素子部Aの2つのIDT電極群21,23が第2の分離電極と縦続接続され、第1の分離電極の電極指ピッチが隣り合う第1のIDT電極の電極指ピッチより広く、第2の分離電極と隣り合う第1のIDT電極の電極指ピッチが第2の分離電極の電極指ピッチより広い。 (もっと読む)


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