【課題】アクティブインダクタを提供する。
【解決手段】ソース、ドレイン、及びゲートを含むｐＭＯＳトランジスタであって、前記ｐＭＯＳトランジスタの前記ソースが電源Ｖｄｄと接続し、抵抗Ｒの一端が前記ｐＭＯＳトランジスタの前記ゲートに接続し、前記抵抗Ｒの他端が前記ｐＭＯＳトランジスタの前記ドレインに接続している回路において、電源からの直流バイアスの略フルレンジに対して、インダクテイブインピーダンスを生成し、インダクタの特性を有する。 （もっと読む）

【課題】フィルタのノッチ周波数を調整する機能を持ったフィルタ装置を提供する。
【解決手段】入力信号を抵抗１０９と可変容量１１０、アクティブインダクタ１１１を備えたフィルタコア部１０２にて分圧し、フィルタコア部１０２のフィルタ特性信号Ｖｆの振幅と基準振幅とを比較する振幅比較回路１０１、振幅比較回路１０１での比較結果に基づいてアクティブインダクタ１１１の位相を制御する位相制御部１０８、フィルタコア部１０２のフィルタ特性信号Ｖｆの周波数と基準周波数とを比較する周波数比較回路１０３、周波数比較回路１０３の比較結果に基づいて可変容量１１０の容量を制御する可変容量制御部１１７によってフィルタ装置を構成し、アクティブインダクタ１１１の位相、可変容量１１の容量が制御される間、アクティブインダクタ１１１の位相制御部１０８が、フィルタコア部１０２を発振させる。 （もっと読む）

【課題】電圧制御発振回路の回路規模の増大を抑制する。
【解決手段】電圧制御発振回路は、発振信号を増幅する発振アンプ部３２と、発振信号の発振周波数を制御するＬＣ共振部３３と、負性抵抗成分を有する負性抵抗部３４と、を備える。ＬＣ共振部３３は、ループ状に接続されたｇｍセル２５，２６と、ループ上のノードに一端が接続された容量２８〜３１と、を有し、ｇｍセル２５，２６と容量２８，２９とに基づくインダクタンス値と、容量３０，３１の容量値と、に基づいて発振周波数を制御する。 （もっと読む）

【課題】発振回路の発振周波数を広帯域に制御可能でＩＣ化に適した比較的小規模な発振回路を提供する。
【解決手段】一方の電源に接続される電流源と、他方の電源に接続されて誘導起電力によって電流を変動させる１組の負荷インダクタと、前記電流源と前記負荷インダクタとそれぞれに結合する１組の差動回路と、前記一方の差動回路の入力と前記他方の差動回路の出力との間に抵抗値を制御可能な可変抵抗を備えて正帰還が掛るように構成されて、前記可変抵抗の抵抗値に対応して発振周波数が定まる高周波発振回路である。 （もっと読む）

【課題】小面積及び／又は低損失の電力分配回路を提供する。
【解決手段】入力端子に交流信号を入力することにより磁束を生成する１次側コイル２２１と、第１の出力端子及び第２の出力端子間に接続され、前記１次側コイルにより生成された磁束により第１の交流信号を生成する第１の２次側コイル２３１と、第３の出力端子及び第４の出力端子間に接続され、前記１次側コイルにより生成された磁束により第２の交流信号を生成する第２の２次側コイル２３２とを有し、前記第１の２次側コイル２３１及び前記第２の２次側コイル２３２は、前記第１の出力端子、前記第２の出力端子、前記第３の出力端子及び前記第４の出力端子から２組の差動信号を出力する電力分配回路。 （もっと読む）

【課題】出力電流雑音の変動しない可変型アクティヴインダクタを提供すること。
【解決手段】トランジスタのゲート−ソース間に並列に容量素子とスイッチを直列接続した素子を接続する。すなわち、ＰＭＯＳトランジスタＭ２のドレインとキャパシタＣ１の一方の端子を接続する。また、端子ＶｉｎとキャパシタＣ１のもう一方の端子にスイッチＳ１の一方の端子を直列接続し、スイッチＳ１のもう１方の端子をＰＭＯＳトランジスタＭ２のゲートと接続する。スイッチＳ１を開閉する事で見かけ上のトランジスタのゲート−ソース間容量を変化させてインダクタンス値を変動させるが、ＭＯＳトランジスタＭ１・Ｍ２の相互コンダクタンスは変化せず、そのため出力電流雑音は変らない。 （もっと読む）

【課題】低電源電圧下においても、半導体集積回路上での面積および消費電力の増大を抑えつつ、高域での利得のピーキングの傾きを急峻化する。
【解決手段】Ｐ型電界効果トランジスタＭ１のソースを電源電位ＶＤＤに接続し、Ｐ型電界効果トランジスタＭ１のドレインを出力端子ｏｕｔに接続し、Ｎ型電界効果トランジスタＭ２のドレインを電源電位ＶＤＤに接続し、Ｎ型電界効果トランジスタＭ２のソースを電流源ＩＢを介して接地電位に接続し、Ｐ型電界効果トランジスタＭ１のゲートをＮ型電界効果トランジスタＭ２のソースに接続し、Ｎ型電界効果トランジスタＭ２のゲートを抵抗素子Ｒｐを介してＰ型電界効果トランジスタＭ１のドレインに接続する。 （もっと読む）

【課題】チップ占有面積が小さく低消費電力の広帯域RF信号処理回路を提供すること。
【解決手段】半導体集積回路は、第1制御端子101の第1制御信号Vc1により制御可能なキャパシタンスC_Rを有する第1キャパシタ1と、第2制御端子102の第2制御信号Vc2により制御可能なキャパシタンスC_Lを有する第2キャパシタ3を含み等価的にインダクタLをエミュレートするジャイレータ2、5とからなる共振回路を半導体チップに具備する。キャパシタンスC_RとインダクタLは、並列共振回路を構成する。並列共振周波数を変更する際に、第1と第2のキャパシタ1、3のキャパシタンスを協調的に変更する。並列共振回路は増幅素子Q1の出力電極に接続されるアクティブ負荷に好適である。 （もっと読む）

【課題】対称３相信号のような対称多相信号を増幅できる多入力多出力の非反転増幅器を提供する。
【解決手段】和が一定のｎ（ｎ≧３）個の入力電圧信号をそれぞれ受けるｎ個の外部入力端子１１〜１３と、ｎ個の増幅ユニット３１と、増幅されたｎ個の出力電圧信号をそれぞれ出力するｎ個の外部出力端子２１〜２２とを有し、増幅ユニットは増幅ユニット毎に異なる組み合わせのｎ−１個の端子と接続されるｎ−１個の内部入力端子３１１，３１２、内部入力端子からの入力電圧信号を電流信号に変換して出力するｎ−１個の電圧−電流変換器３１４，３１５、及び電圧−電流変換器３１４，３１５からの電流信号を加算した加算電流信号を出力電圧信号に変換して外部出力端子２１〜２３へ導く負荷Ｒを有する。 （もっと読む）

【課題】 外部接続用の２端子の各入力インピーダンスが等しく差動回路に適用した場合の波形歪を抑制でき、小面積化、低消費電力化の図れるアクティブインダクタ回路を提供する。
【解決手段】 相互コンダクタンスの極性の異なる第１電圧制御電流源回路５Ａ〜５Ｄと第２電圧制御電流源回路６Ａ〜６Ｄの一方の入力と他方の出力、他方の入力と一方の出力
を互いに接続した能動回路１Ａ〜１Ｄの４つを循環的に接続し、各能動回路の４つの接続点の対向する１対間にキャパシタ４を接続し、他の対向する１対を外部接続用の端子対Ｎｘ１，Ｎｘ２として構成する。 （もっと読む）

【課題】 コイルのインダクタンスを、磁性体を使わないで大きくする方法を提供する。また、そのインダクタンスを電子的に可変する方法を提供する。
【解決手段】 コイルの両端の高周波信号の電位差を検出して増幅し、増幅した電位差をコイルの一端に帰還することによって解決する。また、差分検出器又は増幅器の利得を電子的に制御することによってコイルのインダクタンスを電子的に可変可能にする。 （もっと読む）

【課題】用いるオペアンプ数が少なく、内部回路構成を大幅に簡素化した浮動アクティブリアクタを提供する。
【解決手段】 第１及び第２入力端子１、２間に接続された第１乃至第４インピーダンス素子３（１）〜３（４）の直列回路３、第１及び第２電圧フォロワ４、５、それらの出力端に直列接続した低抵抗値の抵抗素子６、７で構成され、直列回路３は両側に配置の第１及び第４インピーダンス素子３（１）、３（４）と中間に配置の第２及び第３インピーダンス素子３（２）、３（３）のいずれか一方を等低抵抗値の抵抗素子に、他方を同種の素子で等リアクタンス値のリアクタ素子にし、第１電圧フォロワ５は入力端を第１移相信号出力端ｂに、出力端を抵抗素子６を通して第１入力端子１に接続し、第２電圧フォロワ６は入力端を第２移相信号出力端ｃに、出力端を抵抗素子７を通して第２入力端子２に接続し、第１、第２入力端子１、２間に信号電圧を供給すると第１、第２入力端子１、２間に浮動アクティブリアクタが形成される。 （もっと読む）

【課題】既知のものに比べ用いるオペアンプ数が少なく、簡素化された回路構成であり、内部の回路構成をより簡素化した浮動アクティブインダクタを提供する。
【解決手段】 第１及び第２入力端子１、２間に接続された４素子ブリッジ回路型の１次のパッシブ全域通過形進相回路３、当該パッシブ全域通過形進相回路３の出力進相信号を単位利得増幅する電圧フォロワ４、電圧フォロワ４の出力進相信号を反転増幅する位相反転回路５、電圧フォロワ４の出力と第１入力端子１間に接続した低抵抗値の第１抵抗６、位相反転回路５の出力と第２入力端子２間に接続した低抵抗値の第２抵抗７を備え、ブリッジ回路は、２素子が第１及び第２入力端子１、２間に直列接続した等高抵抗値を有する２つの抵抗３（１）、３（２）で、２素子が第１及び第２入力端子１、２間に直列接続したキャパシタ３（３）と抵抗３（４）であり、当該キャパシタ３（３）と抵抗３（４）の接続点から進相信号を得ている。 （もっと読む）

【課題】既知の浮動アクティブインダクタに比べて、用いられるオペアンプの数が少なく、簡素化された回路構成にした浮動アクティブインダクタを提供する。
【解決手段】 第１及び第２入力端子間に直列接続された２つの高抵抗３、４、第１入力端子に接続された１次のアクティブ全域通過形９０°進相回路５、前記９０°進相回路に従属接続された位相反転回路６、前記９０°進相回路５及び前記位相反転回路６の動作基準電位を設定する仮想接地路９、前記進相回路５の出力と第１入力端子１間に接続された第１抵抗７、前記位相反転回路８の出力と第２入力端子２間に接続された第２抵抗８、前記２つの高抵抗の接続点と仮想接地路６とを接続する電圧バッファ１０を備え、第１及び第２入力端子１、２間に供給された信号電圧に対し、第１入力端子１に９０°遅相信号電流が流入され、第２入力端子２から９０°遅相信号電流が流出され、第１及び第２入力端子１、２間に浮動アクティブインダクタを形成する。 （もっと読む）

【課題】ジャイレータのソースやゲートの電位の収束性を向上させ、かつ、Ｑの温度補償が可能なＣＭＯＳアクティブインダクタを提供する。
【解決手段】 本発明のＣＭＯＳアクティブインダクタは、一方の差動増幅回路Ｍ_１、Ｍ_２の各ゲートと他方の差動増幅回路Ｍ_３、Ｍ_４の各ドレインとを極性反転したジャイレータ４１０と、インダクタンス値を定める参照電流を制御する参照電流源４１２と、参照電流のカレントミラーにより、ジャイレータの各ソースにバイアス電流を供給する第１電流源回路４１４と、基準電圧を生成する基準電圧源４２２と、ジャイレータの各ソースの同相電位を基準電圧と比較する比較器４２４と、比較器の出力をフィードバックした電流のカレントミラーによりジャイレータの各ドレインにバイアス電流を供給する第２電流源回路４２６と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オペアンプを用いずに個別素子を用いてオールパス９０度遅相段又は９０度進相段を形成し、使用可能な周波数帯域を高めたアクティブインダクタを提供する。
【解決手段】入力端子１（１）と個別素子で構成される１次のオールパス形９０度遅相段３と位相反転増幅段４とからなり、入力端子１（１）に供給した信号を１次のオールパス形９０度遅相段３に入力し、その出力に得られた９０度遅相信号を次続の位相反転増幅段４に入力して位相反転増幅し、その位相反転増幅段４の出力を入力端子１（１）に帰還結合させる構成を備え、１次のオールパス形９０度遅相段３の入力端３ｉから位相反転増幅段４の出力端４ｏまでの信号利得が１になるように位相反転増幅段４の負荷抵抗４（２）の抵抗値を調整して、入力端子１（１）からアクティブインダクタ内部を見たときに等価インダクタを示す構成にした。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波周波数で動作し、低出力、低ノイズで高品質を達成できるＣＭＯＳ差動増幅器を供給する。
【解決手段】 マイクロ波差動増幅器は、ソースが共通バイアス・ノードに接続され、ゲートが差入力信号を受信する入力ポートに接続され、さらにドレインが差出力信号を供給するための出力ポートに接続される第１および第２のＭＯＳデバイスから構成される。各デバイスのミラー・キャパシタは入力と出力ポートの間に必要なフィードバックを供給し、差出力信号の位相を差入力信号の位相と所定の周波数で４５゜シフトさせる。整合負荷と対応バイアス電流を用いて、ＮＭＯＳデバイスの動作点は各転送特性の線形領域に維持される。ジャイレータ構成中に４つの差動増幅器を内蔵するＶＣＯは、所定の周波数で発振し、８つの出力信号を持つ。 （もっと読む）

【課題】インダクタを削除して占有面積を減らし半導体集積回路を小型化し、かつインダクタの削除による相互変調歪を劣化させることなく確保する。
【解決手段】第１の電子回路１および第２の電子回路２の入出力端子を接続した端子間に容量５の一端を接続し、この容量５の他端をアクティブインダクタ回路１０の入力端に接続し、また出力端をＧＮＤに接続する。このアクティブインダクタ回路１０は、容量５の他端にバイポーラトランジスタ６のエミッタ端子、ベース端子に抵抗７の一端を接続し、またコレクタ端子と抵抗７の他端を電源に接続して、さらにエミッタ端子には、他端をＧＮＤに接続した電流源８の一端を接続し構成する。バイポーラトランジスタ６等の能動素子と容量５等の受動素子を組み合わせてインダクタ相当の特性を持つ構成として、相互変調歪を劣化させる高調波成分をバンドリジェクションすることで相互変調歪を確保する。 （もっと読む）

【課題】一つのオペアンプ２と複数の抵抗と一つのリアクタンス素子からなるアクティブオールパス形９０度進相回路の使用で回路構成を著しく簡素化でき、抵抗の抵抗値の調整でインダクタンス値を変化できるアクティブインダクタを提供する。
【解決手段】オペアンプ２とその反転入力端と入力端子１間に接続された第１抵抗３とその非反転入力端と入力端子１間に接続されたキャパシタ４とその出力端と非反転入力端間に接続された第２抵抗５とその非反転入力端と接地点間に接続された第３抵抗６とからなるアクティブオールパス形９０度進相回路と、アクティブオールパス形９０度進相回路の入出力端子間に接続された第１乃至第３抵抗３、５、６の各抵抗値及びキャパシタ４のインピーダンス値よりも十分に低い抵抗値を有する第４抵抗７を備え、入力端子と接地点間に等価インダクタを得ている。 （もっと読む）

【課題】 低電源電圧状態での歪特定を改善して動作を安定化でき、設計の自由度を向上し得るようなアクティブインダクタンス回路を提供する。
【解決手段】 正抵抗に対して負性抵抗を帰還したハイインピーダンス回路のハイインピーダンス部分に容量（コンデンサ１０８）を付加することにより形成した差動型の９０度移相器１３０と、入力信号を電流に変換して上記９０度移相器１３０に電流を流し込む第１の差動対回路１４０と、上記９０度移相器１３０の出力電圧を電流に変換して入力側に戻す第２の差動対回路１５０とを有して構成され、上記９０度移相器１３０の入力側からみたインピーダンスを２端子のインダクタンスとして作用させる。 （もっと読む）