【課題】水晶振動子機能または水晶発振器機能を有する究極の水晶モジュールを実現すること。
【解決手段】上側のシリコン素子４０１と下側のシリコン素子４０６が接合箇所４０７、４０８で組合され、真空または不活性ガス（Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅ）雰囲気中で、３７０℃の温度で金Ｓｉ共晶接合による拡散接合で一体化された状態の断面図である。接合面４１２、４１３は４０２、４０３のフィードスルー部から外部接続用電極ＰＡＤの接続状態を外観から目視で確認できる。４１６，４１７は水晶モジュールの実装用の金電極ＰＡＤである。接合チップ内部に収納される水晶板４１１は、収納された空間４０５、４０９内にあることから、水晶板４１１の外周部を薄膜からなるハニカム構造で保持し、上下に設けられた励振用ギャップ電極４０４、４１０から高周波電界で励振される厚み振動は妨害されない。 （もっと読む）

【課題】膜応力による基板の反りを解消又は軽減し、素子の変形や破壊又は特性の劣化を抑制し、工業的に実用化できかつ安価に製造し得るＳＭＲ型圧電薄膜共振子を提供する。
【解決手段】圧電薄膜共振子１１は、基板１２の上面に高音響インピーダンス層と低音響インピーダンス層とを交互に積層した音響多層膜１３と、その上に積層した下部電極１４、圧電薄膜１５及び上部電極１６とを備え、更に基板の下面に圧縮応力膜１７とを備える。圧縮応力膜は、基板において音響多層膜により発生する圧縮応力と相殺される大きさの圧縮応力を有するように、該音響多層膜と同一の膜構成、同一の寸法及び厚さに形成される。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、取り扱いが簡便で、かつ、生産性にも優れた小型の圧電発振器を提供することにある。
【解決手段】
圧電素板１１に励振電極１２を形成した圧電振動片８を密閉容器１に収納した圧電振動子１４と半導体回路部品３７とで構成される圧電発振器において、圧電振動子１４の下部に半導体回路部品３７の電極面を搭載し、圧電振動子１４の入出力端９と半導体回路部品３７は直接的に電気的接続が取られており、半導体回路部品３７の電極面からはリードフレーム３１を介して半導体回路部品３７の裏面に電極端子３８が引き回されている。 （もっと読む）

【課題】強度が向上した薄膜圧電共振子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】開口部１０ａ〜１０g及び孔１０１〜１０４を備える基板１０と、基板１０の開口部１０ａ〜１０ｇ上の下部電極配線１４ａ〜１４ｄ、下部電極配線１４ａ〜１４ｄ上の圧電膜１６、圧電膜１６を挟んで下部電極配線１４ａ〜１４ｄと対向する上部電極配線１７ａ〜１７ｄを備える共振部１３と、上部電極配線１７ａ〜１７ｄ上方に孔１０１〜１０４に接続される空洞２２ａを覆うように上部電極配線１７ａ〜１７ｄの一部と離間して共振部１３上を被覆するカバー層２２と、カバー層２２上に設けられた樹脂層２３と、を有する薄膜圧電共振子である。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値を向上させると共にパッキング密度も改善した圧電式共振子構造、およびそれを利用した電気フィルタを提供する。
【解決手段】電極の平面形状を、少なくとも２つの凸状の曲線辺および少なくとも１つの直線辺を有するように構成し、厚み縦振動モード（ＴＥモード）が、前記層の厚みに沿って伝搬するようになっている。 （もっと読む）

【課題】特に高次輪郭振動に起因する波形歪みを抑制して、最近の厳しい波形歪み仕様を満たした純正弦波振動が可能な逆メサ型圧電共振子を提供する。
【解決手段】結晶軸の方向を指示する切り欠きを有する圧電板、及び第１、第２電極を備え、前記圧電板は主部と、前記主部の外周に段差部を形成しながら延伸され、前記主部よりも厚い板厚を有する支持部とからなり、少なくとも前記主部の第１、第２面には、各々前記第１、第２電極の一部である第１、第２電極膜が付着されている逆メサ型圧電共振子であって、前記圧電板の第１面に前記段差部を覆う補助膜が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】周波数インピーダンス特性がスプリアスの影響を受けにくい圧電薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜フィルタ１は、支持基板１１の上に、接着層１２、キャビティ形成膜１３、下面電極１４、圧電体薄膜１５及び上面電極１６をこの順序で積層した構造を有している。上面電極１６１及び１６２は、それぞれ、励振領域Ｅ１において圧電体薄膜１５を挟んで下面電極１４と対向して圧電薄膜共振子Ｒ１及びＲ２を形成する。上面電極１６３は、非励振領域Ｅ２において圧電体薄膜１５を挟んで下面電極１４と対向する。圧電体薄膜１５には、圧電体薄膜１５の上面と下面との間を貫通し、非励振領域Ｅ２において圧電体薄膜１５を挟んで対向する上面電極１６３と下面電極１４とを導通させる１０個の下面電極導通穴ＨＬが形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造工数を削減できる圧電薄膜共振器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に凹部２ｂ、２ｃを形成する凹部形成工程と、凹部２ｂ、２ｃの側壁２ｄ、２ｅに第１電極３、１３を成膜する第１電極成膜工程と、第１電極３、１３上に圧電薄膜４、１４を積層する圧電薄膜成膜工程と、圧電薄膜４、１５上に第２電極５、１５を積層する第２電極成膜工程と、第１電極３、１３、第２電極５、１５及び圧電薄膜４、１４の下方の基板２と第１電極３、１３に隣接した側方の基板２とを除去する除去工程とを備え、基板２の開口部２ａ内に配される振動部６、１６を形成した。 （もっと読む）

【課題】単数又は複数の圧電薄膜共振子を含む圧電薄膜デバイスにおいて、周波数インピーダンス特性がスプリアスの影響を受けにくくする。
【解決手段】圧電薄膜共振子１においては、圧電体薄膜１４が接着層１２を介して支持基板１１に支持されている。圧電体薄膜１４の上面及び下面には、それぞれ、所定のパターンを有する上面電極１５及び下面電極１３が形成されている。また、圧電体薄膜１４の上面には、励振領域１４１の外側に質量を付加する付加膜１６が上面電極１５の上に重ねて形成されている。 （もっと読む）

【課題】横方向伝播によるスプリアスを低減した、高性能な圧電薄膜共振子を提供する。
【解決手段】本発明の圧電薄膜共振子１０は、基板１と、基板１の上方に形成された共振部１０であって、第１電極層１２と、圧電体層１４と、第２電極層１６とを有し、第１電極層１２と第２電極層１６とによって圧電体層１４に電界を与えることにより、圧電体層１４の厚み方向に音響振動が生成される共振部１０と、を含無電解めっき。共振部１０の平面形状において、少なくとも一組の辺は平行をなし、かつ、平行をなす組の辺の間隔において最短の間隔Ｗは、少なくとも共振部１０の厚みＨ以下である。 （もっと読む）

メガソニックプロセス装置および方法は、少なくとも３００ｋＨｚの基本共振周波数で厚さ方向モードで作動する１つ以上の圧電振動子を備える。発生器は、所定のスイープ周波数領域で変動する変動周波数駆動信号で振動子を起動する。発生器は、全振動子の共振周波数を含むスイープ周波数領域中で駆動信号の周波数を繰り返し変動させあるいはスイープする。 （もっと読む）

【課題】単数又は複数の圧電薄膜共振子を含む圧電薄膜デバイスにおいて、周波数インピーダンス特性がスプリアスの影響を受けにくくする。
【解決手段】上面電極１５及び下面電極１３は、励振信号が印加される励振電極となっており、振動が励振される正方形の励振領域１４１において、圧電体薄膜１４を挟んで対向している。圧電体薄膜１４の上面に形成された上面電極１５は、励振領域１４１から、＋方向及び−Ｘ方向の両方向に直線的に引き出されている。圧電体薄膜１４の下面に形成された下面電極１３は、励振領域１４１から、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向の両方向に直線的に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】単数又は複数の圧電薄膜共振子を含む圧電薄膜デバイスにおいて、周波数インピーダンス特性がスプリアスの影響を受けにくくする。
【解決手段】圧電薄膜共振子１においては、圧電体薄膜１４が接着層１２を介して支持基板１１に支持されている。圧電体薄膜１４の上面及び下面には、それぞれ、上面電極１５及び下面電極１３が形成されている。圧電体薄膜１４の上面は、平坦となっているが、下面は、円柱形状の陥没１４９が形成され、非平坦となっている。陥没１４９は、励振電極となる上面電極１５１及び下面電極１３１が対向する励振領域１４１に形成されており、励振領域１４１における圧電体薄膜１４の膜厚は非励振領域１４２よりも薄くなっている。 （もっと読む）

【課題】単数又は複数の圧電薄膜共振子を含む圧電薄膜デバイスにおいて、周波数インピーダンス特性がスプリアスの影響を受けにくくする。
【解決手段】圧電薄膜共振子１においては、圧電体薄膜１４の上面の、励振電極となる上面電極１５１が形成されていない領域にも、上面電極１５１との間の間隙及び圧電体薄膜１４の縁辺を除くほぼ全面に、励振信号が印加されない上面電極１５２が形成されている。同様に、圧電体薄膜１４の下面の、励振電極となる下面電極１３１が形成されていない領域にも、下面電極１３１との間の間隙及び圧電体薄膜１４の縁辺を除くほぼ全面に、励振信号が印加されない下面電極１３２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜デバイスの特性を向上する。
【解決手段】４個の圧電薄膜共振子Ｒ１１〜Ｒ１４を含む圧電薄膜フィルタ１は、単独で自重に耐え得ない圧電体薄膜１１１を含むフィルタ部１１と、フィルタ部１１を機械的に支持する平坦なベース基板１３とを接着層１２を介して接着した構造を有している。圧電体薄膜１１１を構成する圧電材料としては、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、四ホウ酸リチウム、酸化亜鉛、ニオブ酸カリウム及びランガサイトから選択された、粒界を含まない単結晶材料が望ましい。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜デバイスにおいて、圧電体薄膜を構成する圧電材料や圧電体薄膜における結晶方位の選択の自由度を高める。
【解決手段】４個の圧電薄膜共振子Ｒ１１〜Ｒ１４を含む圧電薄膜フィルタ１は、圧電薄膜フィルタ１のフィルタ機能を提供するフィルタ部１１と、フィルタ部１１を機械的に支持する平坦なベース基板１３とを接着層１２を介して接着した構造を有している。圧電薄膜フィルタ１の製造にあたっては、圧電体基板を除去加工することにより圧電体薄膜１１１を得ているが、除去加工によって得られる圧電体薄膜１１１は単独で自重に耐え得ないので、除去加工に先立って、圧電体基板を含む所定の部材を、支持体となるベース基板１３にあらかじめ接着しておく。 （もっと読む）

【課題】 横音響モードの発生を抑制した高いＱ値を有する薄膜圧電共振器を提供するとともに、低挿入損失を実現できる薄膜圧電共振器フィルタを容易に提供する。
【解決手段】 圧電層と該圧電層を挟んで対向するように形成された上部電極と下部電極とを有する圧電共振器スタックと、該圧電共振器スタックの下に形成された空隙部と、該空隙部を形成するように圧電共振器スタックを支持する基板とからなる薄膜圧電共振器であり、前記圧電共振器スタックは、前記基板面に並行な平面方向において、前記上部電極と下部電極とが厚み方向で互いに重なる振動領域と、基板に接する支持領域、および、前記振動領域と前記支持領域の間の緩衝領域とからなり、前記振動領域と支持領域との距離である前記緩衝領域の幅ｗが、前記振動領域の圧電共振器スタックの厚みｔに対して、０．２５＜ｗ／ｔ＜２の範囲にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜デバイスにおいて、圧電体薄膜の見かけ上の電気機械結合係数の低下を防止する。
【解決手段】圧電薄膜フィルタ１の圧電薄膜共振子Ｒ１１においては、全面が均一に配向した圧電体薄膜１１１の上面及び下面に、励振領域Ｅ１１において対向する上部電極１１２１及び下部電極１１３１が形成されている。上部電極１１２１は、励振領域Ｅ１１から＋Ｘ方向へ向かって非励振領域Ｅ１Ｘに引き出され、下部電極１１３１は、圧電体薄膜１１１の下面において、励振領域Ｅ１１から−Ｘ方向へ向かって非励振領域Ｅ１Ｘに引き出されている。 （もっと読む）

【課題】低い周波数帯で動作するＥＢＧマテリアルであっても、小形でスルーホールを必要としないＥＢＧマテリアルを得る。
【解決手段】特定周波数帯にバンドギャップを有するＥＢＧマテリアルにおいて、基板３表面上に圧電共振子１を一次元的あるいは二次元的に配列し、隣接する前記圧電共振子同士を容量性リアクタンス要素により電気的に接続する。また、前記容量性リアクタンス要素として、インターディジタルキャパシタ、メアンダライン、チップコンデンサのいずれかを用いる。または、基板３表面上に圧電共振子１を一次元的あるいは二次元的に配列し、圧電共振子１を、各端部間の距離が互いに等間隔となるように配置する。 （もっと読む）

【課題】 電気素子を気密封止する基板とキャップとの接着面における接着幅の不足による気密性の低下の有無を容易に確認することができる電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 容量内蔵基板30と、容量内蔵基板30の上面に搭載された圧電共振素子40と、下面にキャビティ11を有し、圧電共振素子40がキャビティ11に収容されるように下面の周辺部が容量内蔵基板30の上面に接着された直方体状のキャップ10とを備え、キャップ10の上面に、キャップ10の下面におけるキャビティ11の開口の外周12に対して上面から透視して輪郭の一部が一致した、キャビティ11の開口の位置および形状を示す目印14が形成された電子部品とする。これによって、キャビティ11の周囲のキャップ10と容量内蔵基板30との接着面における接着幅の不足による気密性の低下の有無を容易に確認することが可能な電子部品を得ることができる。 （もっと読む）