【課題】共振子全体の機械的品質係数を向上でき、且つ、堅牢化が可能なＢＡＷ共振装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板からなる支持基板１の一表面側に下部電極３１と上部電極３３との間に圧電層３２を有する複数個の共振子３が形成されるとともに、各共振子３を取り囲む絶縁層４が形成され、支持基板１の上記一表面に、共振子３の下部電極３１および絶縁層４を露出させる複数の断面逆台形状の空洞１ａがエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されている。空洞１ａを絶縁層４の１つの仮想エッチングホール４０を通した上記異方性エッチングにより形成すると仮定したときの絶縁層４における上記仮想エッチングホール４０の仮想形成領域に上記仮想エッチングホール４０よりも開口サイズの小さな複数のエッチングホール４１の群が形成されている。 （もっと読む）

【課題】共振特性の低下を抑制しつつ堅牢化が可能なＢＡＷ共振装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】平面視において共振子３を取り囲んで形成された絶縁層４が支持基板１に支持されるとともに、支持基板１に、共振子３の下部電極３１および絶縁層４における支持基板１側の表面を露出させる空洞１ａが形成されてなり、支持基板１の上記一表面側において上部電極３３における支持基板１側とは反対側の表面に形成された音響ミラー層２が、絶縁層４のうち支持基板１の上記一表面における空洞１ａの周部に重なる領域の支持基板１側とは反対側の表面上まで延設されている。 （もっと読む）

【課題】各共振子の機械的品質係数を向上できてフィルタ特性を向上可能なＢＡＷフィルタを提供する。
【解決手段】単結晶基板からなる支持基板１の一表面側に下部電極３１と上部電極３３との間に圧電層３２を有する複数個の共振子３が形成され、支持基板１の上記一表面に、共振子３の下部電極３１における支持基板１側の表面を露出させる複数の断面逆台形状の空洞１ａがエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されている。また、各共振子３における各空洞１ａそれぞれの投影領域における中心部に対応する部位に、空洞１ａに連通するエッチングホール５が形成されている。各共振子３は、空洞１ａの投影領域内に圧電層３２が収まり且つ上記投影領域の外周線よりも外側に下部電極３１の外周線が位置している。 （もっと読む）

【課題】共振子の機械的品質係数を向上できるＢＡＷ共振装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ基板からなる支持基板１の一表面における空洞１ａのエッチング開始予定領域をエッチングして凹部１ｂを形成し（図１（ｄ））、その後、支持基板１の上記一表面側に下部電極３１および鉛系圧電材料（例えば、ＰＺＴなど）からなる圧電層３２を形成し（図１（ｌ））、その後、絶縁層４を形成し（図１（ｐ））、上部電極を形成してから共振子を取り囲む絶縁層４にエッチングホール４１を形成し（図１（ｖ））、その後、絶縁層４のエッチングホール４１および凹部１ｂを通してエッチング液を導入して支持基板１をエッチングすることにより空洞１ａを形成する（図１（ｗ））。 （もっと読む）

【課題】各共振子の機械的品質係数を向上できてフィルタ特性を向上可能なＢＡＷフィルタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＢＡＷフィルタは、支持基板１の一表面側に下部電極３１と上部電極３３との間に圧電層３２を有する複数個の共振子３が形成され、支持基板１に、各共振子３の下部電極３１における支持基板１側の表面を露出させる空洞１ａが形成されている。各共振子３は、支持基板１側に凸となる形で反って形に形成され、下部電極３１における空洞１ａ側の表面３１ａが凸曲面となっている。 （もっと読む）

【課題】厚み縦振動の三次高調波モードを利用する発振子に用いられたときに、十分に高いＱ_ｍａｘ、発振周波数Ｆ_０の良好な温度特性、及び高い周波数定数を得ることを可能にする圧電磁器組成物を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト構造を有する複合酸化物を含有し、複合酸化物が、（Ｐｂ_αＬｎ_βＭｅ_γ）（Ｔｉ_{１−（ｘ＋ｙ＋ｚ)}Ｚｒ_ｘＭｎ_ｙＮｂ_ｚ）Ｏ_３［式中、ＬｎはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群より選ばれる少なくとも１種を表し、ＭｅはＳｒ、Ｂａ及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。］で表される組成を有し、０．８７≦α≦０．９８、０＜β≦０．０８、０＜γ≦０．０５、０．１２５≦ｘ≦０．３００、０．０２０≦ｙ≦０．０５０、及び０．０４０≦ｚ≦０．０７０を満たす、圧電磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 スプリアスを抑制するとともに高密度配置が可能な薄膜共振子、フィルタおよびデュプレクサを提供する。
【解決手段】 圧電体薄膜１５と、圧電体薄膜１５を挟み、かつ圧電体薄膜１５を介して対向するように配置される第１、第２電極１６，１７とを有する共振部２０を備える薄膜共振子であって、共振部２０の平面形状が略矩形状であり、共振部２０の少なくとも１つの辺を直線部と切り欠き部３０とで構成する。 （もっと読む）

【課題】厚み縦振動の三次高調波モードを利用する発振子に用いられたときに、十分に高いＱ_ｍａｘを得ることを可能とし、且つ焼成温度の変動に起因する発振周波数Ｆ_０の温度特性のばらつきを抑制できる圧電磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸鉛とＭｎ元素とを含有する複合酸化物と、Ｍｏ元素と、を含み、ＭｏＯ_３に換算したＭｏ元素の含有量が、複合酸化物１００質量部に対して、０質量部より大きく０．６質量部以下である、圧電磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】複数の共振子に共通する振動空間を提供するキャビティを有する共振子フィルタにおいて、構造上の強度を確保するとともに、挿入損失を低減できる共振子構造を有する共振子フィルタを提供する。
【解決手段】共振子フィルタは、複数の積層共振体８１，８２，８３，８４，８５，８６の振動空間を提供するキャビティ２１を有する。積層共振体８２，８３を電気的に接続する配線電極９０は、積層共振体８２の上部電極の最大径Ｌ１と、積層共振体８３の上部電極の最大径Ｌ２とを直線的に結線する配線構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 耐熱性に優れるとともに、正圧電効果により生じる電位差のヒステリシスの小さい圧電磁器および圧電素子を提供する。
【解決手段】 主成分がビスマス層状化合物からなる圧電磁器であって、組成式でＢｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２・α［（１−β）ＭＴｉＯ_３＋βＢｉＦｅＯ_３］と表したとき、ＭがＳｒ、ＢａおよびＣａのうち少なくとも１種であるとともに０．３≦α≦０．９５および０≦β≦０．５である成分１００質量部に対して、ＣｏをＣｏＯ換算で０．０１〜０．７質量部含有する圧電磁器である。 （もっと読む）

【課題】近年の圧電薄膜共振子フィルタに対する要求に対応すべく、横方向漏れを抑制し、低損失化することができる圧電薄膜共振子、フィルタ、通信モジュール、および通信装置を提供する。
【解決手段】基板５と、基板５上に配され、一部が互いに対向するように配置された上部電極１及び下部電極２と、上部電極１と下部電極２との間に配された圧電膜３とを備えた圧電薄膜共振子であって、圧電膜３は、上部電極１と下部電極２とが対向する部位に配され、上部電極１と基板５とが対向する領域の一部に絶縁膜４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜バルク波共振器の形状に因らずに、スプリアス振動を抑制することのできる薄膜バルク波共振器を提供する。
【解決手段】薄膜バルク波共振器１０は、圧電体膜２１、上部電極２２、及び下部電極２３から成る積層共振体２０と、積層共振体２０の自由振動を確保するために形成されたキャビティ３１を有する基板３０とを備える。積層共振体２０の共振周波数一定という条件下で、圧電体膜２１の膜厚と、上部電極２２及び下部電極２３の膜厚との比率Ｒを調整し、スプリアス振動周波数ｆｓを積層共振体２０の共振周波数ｆｒ又は反共振周波数ｆａに一致させることで、縦モードのスプリアス振動は、積層共振体２０の主振動に一致するようになるので、スプリアス振動は見かけ上現れなくなる。 （もっと読む）

【課題】周波数調整における結合係数の劣化を低減した圧電フィルタを提供する。
【解決手段】圧電体１の両主面上に第１電極と第２電極を備えて第１の圧電振動子を形成し、第３電極と第４電極を備えて第２の圧電振動子を形成する。第１の圧電振動子の周波数を調整するため、第１電極と第２電極の最表面上には、第１負荷膜と第２負荷膜が形成され、第２の圧電振動子の周波数を調整するため、第３電極と第４電極の最表面上には、第３負荷膜と第４負荷膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜共振子において、さらなる高周波化を図る。
【解決手段】圧電薄膜共振子２は、基体１０と、第１の振動体２０と、支持膜３０と、第２の振動体４０とを備えている。基体１０には開口１１が形成されている。第１の振動体２０は、第１の電極２１と、第１の圧電薄膜２２と、第２の電極２３とを有する。第１の電極２１は、基体１０の開口１１を覆っている。支持膜３０は、第１の振動体２０の上に形成されている。支持膜３０は、実質的にダイヤモンドからなる膜である。第２の振動体４０は、第３の電極４１と、第２の圧電薄膜４２と、第４の電極４３とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチング法により薄膜圧電共振器を製造するにあたり、プロセス余裕度が高く、そのため工程が容易であり、製造コストの低廉化を図ることができる薄膜圧電共振器の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属膜からなる下部電極及びこの下部電極から引き出される配線部位と、圧電体薄膜とを形成した後、前記基板の表面に金属膜を形成する。次に上部電極となる部位と、圧電体薄膜に覆われていない下部電極から引き出される配線部位とを被覆すると共に、上部電極と下部電極とを分離するために、前記配線部位と上部電極となる部位との間が開口するレジストマスクを基板の表面に形成し、しかる後、前記基板をエッチング液に接触させて、前記レジストマスクに覆われていない金属膜をエッチングにより除去する。 （もっと読む）

【課題】スプリアスの抑制された信頼性の高い共振器応答が得られ、且つ、比較的製作の容易な薄膜バルク波共振器及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】薄膜バルク波共振器１１は、基板２０の上に形成された下部電極２１、圧電薄膜２２、上部電極２３の積層体２５と、基板２０の上面と下部電極２１との間に形成された空隙部２４と、を備え、上部電極２３の表面には、多数の調整孔２３ｃが設けられており、これらの調整孔２３ｃは、いずれの調整孔２３ｃについてもその調整孔２３ｃ（基準孔３１）と当該調整孔に最も近い調整孔２３ｃ（隣接孔３２）とを結ぶ直線及びその延長線（通過線３３）上において規則的な調整孔２３ｃの配列パターンが存在しないように配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＢＡＷ共振器を使用するフィルタ回路が高い電力レベルで駆動されるときに起こる、出力信号中の望ましくない高調波成分が発生を緩和するフィルタ構造を提供する。
【解決手段】ハーフラダー構造を有するフィルタにおいて、フィルタの少なくとも１つの直列分岐または少なくとも１つの並列分岐は、逆並列または逆直列に接続された第１のＢＡＷ共振器１０５２／１０６２および第２のＢＡＷ共振器１０５４／１０６４を備えるＢＡＷ装置として構成される。第１のＢＡＷ共振器１０５２／１０６２によって発生される二次高調波放射は、第２のＢＡＷ共振器１０５４／１０６４の二次高調波放射およびフィルタの少なくとも１つの他の直列分岐または少なくとも１つの他の並列分岐の二次高調波放射を実質的にキャンセルする。 （もっと読む）

【課題】常温のような基準温度から温度が変化した場合、及び常温のような基準温度のいずれにおいても、基本波を抑圧することができ、厚み縦振動の３倍波を良好に利用することが可能とされている圧電振動部品を提供する。
【解決手段】基板２上に、ダンピング層６，７によりエネルギー閉じ込め型の厚み縦振動の３倍波を利用した圧電振動子８が実装されており、ダンピング層６，７の音響インピーダンスが、基板２及び圧電基板９の音響インピーダンスよりも低くされており、ダンピング層６，７が、下記の式（１）で表わされる厚みを有する第１のダンピング層部分６ａ，７ａと、第１のダンピング層部分６ａ，７ａとは厚みが異なる第２のダンピング層部分６ｂ，７ｂとを有する、圧電振動部品１。
厚み＝（ｎ／４）・λ …式（１）
（式中、ｎは１以上の奇数、λは基本波の波長を表わす。） （もっと読む）

【課題】送受信帯域外の減衰特性と送受信端子間のアイソレーション特性を低下させることなく、従来よりも小型化、低背化が可能なアンテナ分波器を提供する。
【解決手段】アンテナ端子と送信端子との間に配置される送信フィルタと前記アンテナ端子と受信端子との間に配置される受信フィルタとをパッケージに実装してなるアンテナ分波器において、パッケージ内の受信フィルタ用のグランドパターン１５２は、他のグランドパターン１５６，１５７とは分離されている。 （もっと読む）

【課題】スプリアス振動を惹起することなく、簡易な構成で反共振周波数を調整可能な加工制御性に優れた薄膜バルク波共振器を提供する。
【解決手段】薄膜バルク波共振器５０は、厚み方向に縦振動する積層共振体５１と、積層共振体５１のインピーダンスを変化させることにより積層共振体５１の反共振周波数を調整するためのインピーダンス調整部５２とを備える。積層共振体５１に並列接続する容量素子をインピーダンス調整部５２として形成することで、積層共振体５１の反共振周波数を調整することが可能となる。積層共振体５１の下部電極２０Ａとインピーダンス調整部５２の下部電極２０Ｂは物理的に分離しており、積層共振体５１中で発生した横波がインピーダンス調整部５２に伝播することによるスプリアス振動の発生を抑制している。 （もっと読む）