【課題】スプリアス振動を惹起することなく、簡易な構成で反共振周波数を調整可能な加工制御性に優れた薄膜バルク波共振器を提供する。
【解決手段】薄膜バルク波共振器５０は、厚み方向に縦振動する積層共振体５１と、積層共振体５１のインピーダンスを変化させることにより積層共振体５１の反共振周波数を調整するためのインピーダンス調整部５２とを備える。積層共振体５１に並列接続する容量素子をインピーダンス調整部５２として形成することで、積層共振体５１の反共振周波数を調整することが可能となる。積層共振体５１の下部電極２０Ａとインピーダンス調整部５２の下部電極２０Ｂは物理的に分離しており、積層共振体５１中で発生した横波がインピーダンス調整部５２に伝播することによるスプリアス振動の発生を抑制している。 （もっと読む）

【課題】不要振動である横モード振動を抑止する音響共振子構造およびそれを用いた電気フィルタを提供する。
【解決手段】圧電共振子の一種である薄膜バルク音響共振子（ＦＢＡＲ）において、共振子２００は、基板２０５に形成された空洞２０８上に下側電極２０７、圧電素子２０６、上側電極２０１が順次積層されており、下側電極２０７と上側電極２０１は、実質的に同じ形状と寸法を有し、下側電極２０７と上側電極２０１のオーバーラップ領域は、共振子２００の作用領域を画定し、上側電極２０１と上側接続部２０３の界面に、上側電極２０１と上側接続部２０３の間の音響インピーダンス不整合をもたらすフレーム素子２０４を配置した構造とする。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスが簡素で、且つ振動特性の良好な圧電薄膜振動子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電薄膜振動子１は、基板１１の表面に下地層１２を形成してから、この下地層の一部を変質させて、変質部分及び非変質部分の一方を支持層、他方と犠牲層とし、その後、犠牲層の一部を露出面１６として露出させながら、下部電極１３、圧電薄膜１４及び上部電極１５の積層体を、支持層１２及び犠牲層の上面に形成し、最後に露出面１６ａを介して薬液により犠牲層を除去して、基板１１の上面と下部電極１３との間に空隙部１６を形成することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】目的の通過帯域のみを通過させ、目的外の周波数の減衰率を大きくとることができ、しかも小型化が可能な帯域通過フィルタを提供する。
【解決手段】ＢＡＷフィルタ１は、圧電体層１０を上部電極１２および下部電極１１の間に挟み込んだ構造を有し目的の通過帯域に設計されている。平面パターンフィルタ２は、ＢＡＷフィルタ１と共通の基板３に形成され誘電体層２０を介して地導体層２１および帯状の信号導体層２２を積層した伝送線路２３と、信号導体層２２の一部に連続する導体層により形成されたスタブ回路２４とを有しＢＡＷフィルタ１の阻止帯域を減衰させる。ＢＡＷフィルタ１と平面パターンフィルタ２とは信号導体層２２を介して接続される。スタブ回路２４は、信号導体層２２から離間したローディング部２４ａと、一端が伝送線路２３に連続し他端がローディング部２４ａに連続するタップ部２４ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】低損失、且つ平坦な帯域を持ったフィルタ特性を有する二重モード圧電フィルタを提供する。
【解決手段】基板上に形成された高域遮断型の圧電薄膜からなる圧電体層１と、圧電体層の一方の主面上に間隙を設けて形成された第１電極２および第２電極３と、圧電体層の他方の主面上に、第１電極、第２電極、および間隙と対向して形成された第３電極４と、間隙または平面形状における間隙に対応する位置に形成された電極間質量負荷材料部５とを備える。第１電極の密度をρ１、厚みをｈ１、第２電極の密度をρ２、厚みをｈ２、電極間質量負荷材料部の密度をρａ、厚みをｈａとしたとき、（ρ１×ｈ１）≦（ρａ×ｈａ）、および（ρ２×ｈ２）≦（ρａ×ｈａ）の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】自発分極の方向が厚み方向に揃って配向性が高く且つ結晶性の良いＰＺＴ薄膜を容易に製造することが可能なＰＺＴ薄膜の製造方法、自発分極の方向が厚み方向に揃って配向性が高く且つ結晶性の良いＰＺＴ薄膜を圧電薄膜として備えたＢＡＷ共振器およびそれを用いたＵＷＢ用フィルタを提供する。
【解決手段】ベース基板１０と第１の導電性層２０ａとからなる成長用基板の一表面側にＰＺＴの成分元素を含む金属アルコキシドを溶媒に溶かした溶液を塗布した後、溶媒を除去することでＰＺＴ薄膜３０ｂの前駆体膜３０ａを形成し、前駆体膜３０ａの厚み方向に電界を印加しながらレーザアニール法により前駆体膜３０ａをアニールして結晶化することでＰＺＴ薄膜３０ｂを形成し、ＰＺＴ薄膜３０ｂの一部からなる圧電薄膜３０を形成し、第１の導電性層２０ａの一部からなる下部電極２０を形成し、上部電極４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】正圧電効果を利用した場合の、圧力１Ｎ当りに発生する電荷量が大きくすることができるとともに、−４０〜２００℃の温度範囲での２５℃に対する発生電荷の温度安定性に優れ、非鉛系で相対密度の高い圧電磁器および圧電素子を提供することを目的とする。
【解決手段】圧電磁器として、組成式がＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２・ｘ｛（１−ｙ）（Ｓｒ１−ａＣａａ）ＴｉＯ３・ｙＢｉＦｅＯ３｝と表され、１．３≦ｘ≦１．７５、０．００５≦ｙ≦０．１、０．４≦ａ≦０．６を満足するビスマス層状化合物の主成分１００質量部に対して、ＭｎをＭｎＯ２換算で０．０５〜２．０質量部含有するものを用いる
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【課題】配向性の高いＰＺＴ薄膜を容易に製造することが可能なＰＺＴ薄膜の製造方法、配向性の高いＰＺＴ薄膜を圧電薄膜として備えた低コストのＢＡＷ共振器およびそれを用いたＵＷＢ用フィルタを提供する。
【解決手段】ＰＺＴ薄膜３０ａの製造にあたっては、結晶成長用基板１の主表面側の成長表面である最表面Ｓｕｒに電子銃２から電子ビームを照射しながらスパッタ法によりＰＺＴ薄膜３０ａを結晶成長させるので、結晶成長時の最表面Ｓｕｒ付近の電子４に起因した電場と最表面Ｓｕｒに向かって飛来するＰＺＴ粒子３の自発分極との相互作用により、自発分極の方向が厚み方向に揃った配向性の高いＰＺＴ薄膜３０ａを結晶成長させることができる。ＢＡＷ共振器における圧電薄膜の形成方法としてＰＺＴ薄膜３０ａの製造方法を利用すれば、ＢＡＷ共振器およびＵＷＢ用フィルタの低コスト化を図れる。 （もっと読む）

【課題】横音響モードの発生を抑制した高いＱ値を有する薄膜圧電共振器を提供する。
【解決手段】圧電層２とそれを挟んで互いに対向するように形成された上部電極１０及び下部電極８とを有する圧電共振スタック１２と、その下に形成された空隙４と、圧電共振スタック１２を支持する基板６とを含んでなる薄膜圧電共振器。圧電共振スタック１２は、上部電極１０と下部電極８とが圧電層２を介して互いに対向し且つ空隙４に対応して位置する振動領域１８と、基板に接する支持領域２２と、振動領域１８及び支持領域２２の間に位置する緩衝領域２０とからなる。緩衝領域２０は、振動領域１８よりも、１次厚み縦振動の共振周波数が低くなるように構成されている。圧電層２は高域遮断型の分散曲線を示す材料からなる。緩衝領域２０は振動領域１８を内包している。 （もっと読む）

【課題】 圧動的ｄ_３３定数が大きく、２００℃の高温下においても使用可能であり、室温の動的ｄ_３３定数に対する２００℃の動的ｄ_３３定数の変化の小さい圧電磁器および圧電素子を提供する。
【解決手段】 圧電磁器を組成式でＢｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２・β［（１−γＭ１ＴｉＯ_３・γＭ２Ｍ３Ｏ_３］と表したとき、０．４０５≦β≦０．４９８、０≦γ≦０．３を満足するとともに、Ｍ１が、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、（Ｂｉ_０．５Ｎａ_０．５）、（Ｂｉ_０．５Ｌｉ_０．５）および（Ｂｉ_０．５Ｋ_０．５）のうち少なくとも１種であり、Ｍ２が、Ｂｉ、Ｎａ、ＫおよびＬｉのうち少なくとも１種であり、Ｍ３が、ＦｅおよびＮｂのうち少なくとも１種であるビスマス層状化合物の主成分１００質量部に対して、ＭｎおよびＦｅのうち少なくとも１種を酸化物（ＭｎＯ_２、Ｆｅ_２Ｏ_３）換算の合量で０．０５〜１質量部含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 正圧電効果を利用した場合の、圧力１Ｎ当りに発生する電荷量が大きくすることができるとともに、−４０〜２００℃の温度範囲での２５℃に対する発生電荷の温度安定性に優れる非鉛系の圧電磁器および圧電素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 圧電磁器として、組成式がＢｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２・ｘ｛（Ｓｒ_１−ａＣａ_ａ）_{（１−ｂ）}Ｂａ_ｂＴｉＯ_３｝と表され、１．３０≦ｘ≦１．７５、０．４０≦ａ≦０．６０、０≦ｂ≦０．２０を満足するビスマス層状化合物の主成分１００質量部に対して、ＭｎをＭｎＯ_２換算で０．０５〜１．５質量部含有するものを用いる
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【課題】短い製造工程で同一基板上に形成可能なそれぞれ異なる共振周波数を有する複数の圧電薄膜共振器からなる弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１１と、基板１１上に設けられた下部電極１０と、下部電極１０上に設けられた圧電膜１２と、圧電膜１２を挟み下部電極１０と対向する共振部１６を有するように圧電膜１２上に設けられた上部電極１４と、上部電極１４上に設けられた質量負荷膜１８と、を有し、質量負荷膜１８は共振部１６に設けられ、質量負荷膜１８の面積は共振部１６の面積より小さい圧電薄膜共振器を具備する弾性波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】単結晶薄膜等の面内圧電異方性を有する薄膜を圧電体薄膜に採用した場合でも、所望の特性を有する圧電薄膜デバイスを作製することができるようにする。
【解決手段】圧電薄膜フィルタ１は、圧電薄膜共振子１００１，１００２で、対向領域１９６，１９７からの下面電極１４１，１４２の引き出し方向を＋Ｙ方向に揃え、対向領域１９６，１９７からの上面電極１６１，１６２の引き出し方向を−Ｙ方向へ揃えた電極パターンを有している。このような電極パターンを採用すれば、単結晶薄膜等の面内圧電異方性を有する圧電体薄膜１５を採用した場合でも、圧電薄膜共振子１００１，１００２の特性を揃えることができるので、所望の特性を有する圧電薄膜フィルタを作製することが容易になる。 （もっと読む）

【課題】基板に生じる空乏層の影響を受けにくい薄膜圧電共振器及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に設けられ、グランドに接続される導電膜と、前記導電膜の上に設けられ、下部中空部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に支持されて前記下部中空部の上に設けられた下部電極と、前記下部電極の上に設けられた圧電体膜と、前記圧電体膜の上に設けられた上部電極と、前記上部電極の上に設けられ、上部中空部を有する支持膜と、前記支持膜の上に設けられ、前記上部中空部を封止する封止体と、を備えたことを特徴とする薄膜圧電共振器が提供される （もっと読む）

【課題】従来よりも小型でスプリアスが少ないバルク音響波共振子、およびそれを用いたフィルタ，通信装置を提供する。
【解決手段】 第１主面と、第２主面と、を有する基板と、圧電体膜と、前記圧電体膜の厚み方向の一表面上に積層される第１電極と、前記圧電体膜の厚み方向の他表面上に少なくとも一部が積層される第２電極と、で形成される共振部と、前記共振部の前記第１電極と前記基板の前記第１主面との間に設けられ、前記共振部を前記基板から音響的に絶縁する音響アイソレート層と、前記基板の前記第２主面に、前記共振部と対向するように設けられた音響波吸収部と、を含むバルク音響波共振子である。 （もっと読む）

【課題】スプリアスを抑制することが可能な圧電薄膜共振器およびフィルタを提供すること。
【解決手段】本発明は、基板（４１）の空隙（４６）上または基板との間に空隙が形成されるように設けられた下部電極（４３）と、下部電極上に設けられた圧電膜（４４）と、圧電膜を挟み下部電極と対向する共振領域（５０）を有するように圧電膜上に設けられた上部電極（４５）と、共振領域の周辺に設けられ、横方向に伝搬する波動の波長の０．３５倍から０．６５倍の幅を有し波動の通過する支持領域（５２）と、支持領域の周辺に設けられ、横方向に伝搬する波動を遮断する周辺領域（５４）と、を具備する圧電薄膜共振器およびフィルタである。 （もっと読む）

【課題】周波数差が自由に設定でき、より高性能、低コストのバルク音響波共振子を提供する。また、低コストで阻止特性が良いフィルタ、及び安価で感度が良い通信装置を提供する。
【解決手段】 圧電体と、前記圧電体を厚み方向に対して挟持する一対の電極と、を含む共振部と、前記共振部の厚み方向の少なくとも一方に設けられ、概略０．５λ×ｎの厚みを有し、前記共振部の実効電気機械結合係数を所定の目標値に調整する調整膜と、を備えた、バルク音響波共振子である。ただし、λは使用周波数における調整膜中を厚み方向に伝播する音響波の波長であり、ｎは自然数である。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性を有し、且つ製造が容易で歩留りの高い、安価で小型化された圧電薄膜共振子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１１上に下部電極１３，窒化アルミニウムの圧電薄膜１２及び上部電極１４が形成され、下部電極１３の下に位置する領域に空隙１５が形成された圧電薄膜共振子（ＦＢＡＲ）１Ａにおいて、下部電極１３と上部電極１４はそれぞれルテニウム又はルテニウム合金の層を含み、前記下部電極は、その下に形成された空隙に露出している構成である。 （もっと読む）

【課題】エネルギー損失が低減され、広帯域な特性を有するバンドパスフィルタを単体で構成し、かつ第１質量負荷材料部の高精度の形成が容易に可能な薄膜弾性波共振器を提供する。
【解決手段】圧電薄膜からなる圧電体１と、圧電体の各主面上に各々設けられた第１電極２、及び第２電極３とを備え、第１及び第２電極を介して圧電体に電界を印加することにより共振振動を発生させる薄膜弾性波共振器。圧電体主面上における第１電極の平面領域の外側に環状に設けられた、第１電極よりも質量負荷効果が大きい第１質量負荷材料部４を備え、第１電極の外縁と第１質量負荷材料部の内縁とが離間していることにより、両者は電気的に絶縁されている。第１質量負荷材料部は、第１電極と同一材料により同一厚みで圧電体上に形成された補助電極層２ａと、補助電極層の上に形成された負荷材料層４ａとを含む積層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】周波数インピーダンス特性がスプリアスの影響を受けにくい圧電薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜共振子１は、支持基板１１の上に、接着層１２、下面電極１３、圧電体薄膜１４及び上面電極１５をこの順序で積層した構造を有している。上面電極１５の駆動部１５１と下面電極１３の駆動部１３１とは、圧電体薄膜１４を挟んで対向している。駆動部１５１及び１３１は、細長の２次元形状を有しており、その長手方向の大きさが短手方向の大きさの２倍以上、より望ましくは４倍以上、さらに望ましくは１０倍以上となっている。 （もっと読む）