【課題】 除去できる差周波数の周波数範囲の広帯域化が可能で非線形性によって生じる歪による影響を効果的に避けることができ、小型でかつ生産性の高い高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】 互いに周波数の異なる複数の搬送波を含む高周波信号を増幅する能動素子と、その能動素子の出力端子に接続された出力側整合回路とを含む高周波増幅器であって、出力側整合回路と接地導体の間に、内部インダクタンス成分を有する容量素子が接続されており、搬送波周波数における出力側整合回路のインピーダンスを搬送波周波数における容量素子のインピーダンスより低く、複数の搬送波の差周波数における出力側整合回路のインピーダンスを、差周波数における容量素子のインピーダンスより高くした。 （もっと読む）

本発明は、集積化ドハティ型増幅装置、およびこのような装置向けの増幅方法に関し、この増幅装置では、主およびピーク増幅ステージ（２０，３０，４０）の入力信号を、所定の位相シフトおよび不均等な分割レートで、第１および少なくとも１つの第２の信号に分割するための、集中素子ハイブリッド電力分割手器（１２）と、前記第１の増幅信号を受信し、前記所定の位相シフトを、前記第１の増幅信号およびより高いその高調波に適用するための、広帯域の補償回路と組み合わされた少なくとも１つの広帯域の集中素子擬似ライン（Ｚ１，Ｚ２）とが設けられる。これにより、ピーク増幅器の低い利得が、入力での不均等な電力分割を提供することによって補償される。その上、集中素子ハイブリッド電力分割器の使用は、主およびピーク増幅器の入力ポートの間で、改善された分離をもたらし、出力信号の最終的な歪みを減少させる。
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【課題】回路の特定部分における過熱を回避し、回路一面に適切な温度分布を実現する電子回路を提供する。
【解決手段】本発明にかかる電子回路は、第１端子（１００）と、第２端子（２００）と、並列に配列された少なくとも３つのトランジスタ（１）とを備え、各トランジスタは、前記第１端子（１００）に接続され、制御信号を受け入れる制御端子（２）と、前記第２端子（２００，３００）に接続され、前記制御信号に依存した出力信号を供給する出力端子（３，４）とを有する。前記トランジスタ（１）は、他のトランジスタから受ける熱に起因するトランジスタの配熱が全ての前記トランジスタにおいて略同一になるように、対称点を基準に対称に配列されている。本発明はまた、電子回路の製造方法にも関する。 （もっと読む）

開示されたのは、いくつかのトランジスタ（Ｐ１、Ｐ２）が集積回路中に直列に配置され、個々の電力制御された電圧源（Ｑ１、Ｑ２）によって始動される出力段システムである。これにより出力（Ａ）でトランジスタ（Ｐ１、Ｐ２）の定格電圧よりも高い電圧を供給することを可能にしながら、トランジスタを異なる絶対ポテンシャルで動作することを可能にする。開示された出力段システムは完全に集積回路技術に従って製造が可能であり、それぞれ高い電圧範囲でディジタル及びアナログ信号出力を供給するのに適している。
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磁気差動入力回路（２０）は、少なくとも２つのループ（Ｌ１及びＬ２）を決定するよう構成され、各ループは受信回路の入力を通る。ループ（Ｌ１及びＬ２）は、干渉源（Ｌ３）がループ（Ｌ１及びＬ２）に反対方向の信号を生じるよう、物理的に構成される。従って、ループ（Ｌ１及びＬ２）は、受信回路の入力（２３１）における干渉のキャンセルをもたらす。ある実施例では、入力回路（２０）は、電気差動装置であるとともに磁気差動装置であるよう構成される。
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【課題】高周波電力増幅器の放熱性を改善することにより、送信特性を維持するとともに、製造コストのより安い高周波モジュールを提供する。
【解決手段】高周波電力増幅器を構成する半導体集積回路素子２４，２５と、アンテナ共用器を構成するフィルタ素子３ａ，４ａ，３ｂ，４ｂとを、それぞれ半田３０又は半田バンプ３１にて誘電体基板２３上の導体パターンに接合する。導体パターンには、サーマルビア導体５０が接続されている。
【効果】高周波電力増幅器から発生する熱が、半田を介して効率よく放熱されるため、送信特性を維持するとともに、製造コストのより安い高周波モジュールを提供できる。 （もっと読む）

本明細書の開示はＲＦ出力半導体デバイスに関する。本明細書に開示の一実施形態において、ＲＦ出力プラスチック半導体デバイス（１０）は、半導体（ＲＦ）デバイス（１２）、ＲＦデバイスに電気的に接続されている低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）インピーダンスマッチング構造体（１４）、並びにＲＦデバイス及びインピーダンスマッチング構造体の上方に形成されているプラスチックパッケージ本体（２２）を備える。ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体は、インピーダンスマッチング構造体の主要本体部分の上方に位置する金属化層（２８，３６）と、金属化層上のパッシベーション層（４４）からなる。パッシベーション層により、金属化層に対するプラスチックパッケージ本体の金型成形コンパウンドの結合強度が増大する。ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体とＲＦデバイスとの間に電気的な相互接続部が形成されるように、金属化層のうちの一部はパッシベーション層を通じて露出される。好適には、本明細書に開示の実施形態によるＲＦ出力プラスチックパッケージは、従来のＲＦ出力プラスチックパッケージの終端インピーダンスの約２倍以上の終端インピーダンスを示す。
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【課題】　デュアルバンド送受信用半導体集積回路の低雑音増幅器と受信ミキサの周波数特性を劣化させない。
【解決手段】　低雑音増幅器のパッケージ外ピン先端からパッドまでの距離が最短となる位置に低雑音増幅器を配置する。接地ピン同士、及び高周波信号ピン同士が隣接しない配置とする。低雑音増幅器の接地ピンと、バイアス回路の接地を分ける。高周波信号線同志が交差しないピンレイアウトとする。 （もっと読む）

【課題】従来の技術による諸問題を解決するため、高放熱効能の電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅集積回路１０は、基板５０と、放熱するためのヒートシンクと、基板５０に設けられてコレクター１２と、ベース１６と、少なくとも１個のエミッター１４ａ、１４ｂとを含むトランジスターと、ヒートシンクとエミッター１４ａ、１４ｂと直接に電気的に接続されるエミッター電極２０とを含む。 （もっと読む）

【課題】 高周波の電力増幅器とその周辺回路を設計するには、高周波回路専門の技術者が必要であった。
【解決手段】 入力端子１１と、この入力端子１１の信号が供給される電力増幅器１３と、この電力増幅器１３の出力が供給される方向性結合器１５と、この方向性結合器１５の出力が供給される出力端子１６と、方向性結合器１５の結合出力端子１５ａが入力１７ａに接続されるとともに、その出力１７ｂが電力増幅器１３の電力制御端子１３ａに接続された自動電力制御回路１７とが一つの多層基板に形成されたものである。これにより、高周波回路専門の技術者を必要としない電力増幅器モジュールが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来より著しく小型で、伝送信号の波長によっては、定在波が発生することのない特性の安定した高信頼度の電力増幅モジュールを提供する。
【解決手段】伝送信号の周波数ｆ（Ｈｚ）、真空中での波長λ０（ｍ）、光速Ｃｏ（ｍ／ｓ）、誘電体基板１５の比誘電率εｒに関して、｛（Ｃｏ／ｆ）／（εｒ）^1/2｝／４に対応する長さを持つ導体パターン２０を含む。導体パターン２０は誘電体基板１５によって支持されている。誘電体基板１５は、その最大差し渡し寸法をＬｍ（ｍ）としたとき、Ｌｍ＜｛（Ｃｏ／ｆ）／（εｒ）^1/2｝／４を満たす。誘電体基板は、エポキシ樹脂材料とセラミック材料とを含む複合材料でなる。 （もっと読む）