【課題】本発明は増幅器の異常発振を抑制することを目的とするものである。
【解決手段】基板１２の上面又は下面又は内部に配置されたグランド板１８は、半導体回路１３の上に配置されると共に半導体回路１３に接続された第１グランド領域２０と、増幅器１４の下に配置されると共に増幅器１４に接続された第２グランド領域２１とを有し、上方向から見て第１グランド領域２０と第２グランド領域２１とは重複する領域を有さない構成とする。 （もっと読む）

【課題】オフセット電圧を精度良くキャンセルすることが可能な増幅器を提供することにある。
【解決手段】アンプ１は、入力段の回路２と増幅部１０とから構成され、オペアンプＯＰ２で発生するオフセット電圧Ｖｏｓを、オフセット電圧キャンセル回路１２で発生させる電圧を論理回路１１が制御することでキャンセルする。オフセット電圧キャンセル回路１２は抵抗と、その一端に接続された第一の電流源と、他端に接続された第二の電流源とから構成され、第一の電流源から該抵抗に流し込む電流値と、該抵抗から第二の電流源へ流し出す電流値とを一致させることで、該抵抗の両端にオフセットをキャンセルする電圧を発生させる。このとき、該抵抗の両端に接続される回路に電流が流れ込むことがないため、回路の動作に影響を与えることなくオフセット電圧をキャンセルできる。 （もっと読む）

パワーアンプモジュールが、熱ビア及び端子、並びに半導体材料の相互接続基板を有するプラットフォームデバイスを備えた積層基板を備えている。この基板は、その第１面に電気相互接続が設けられ、反対側の第２面は積層基板上に装着されている。導電接続部が、第１面から基板を通って第２面に延びる。パワーアンプデバイスが基板の第２面に取り付けられている。相互接続基板を通る導電接続部の１つはパワーアンプ用の接地経路であり、熱経路は半導体材料によって設ける。相互接続基板には最適な厚さが存在し、この厚さにおいて、適切な接地及び許容可能な熱放散が共に行われる。
（もっと読む）

【課題】演算増幅器の出力信号のオフセット及びゲインを調整するための抵抗値を、回路素子の信頼性が低下することなく、精度良く、製造コストを下げることなく容易に調整すること。
【解決手段】オペアンプ７３の＋入力端子の電位を半分に設定し、オペアンプ７３の−入力端子と電源との間、並びに同−入力端子とアースとの間に、それぞれ同数のオフセット調整用抵抗器Ｒ１３、Ｒ１３Ａ〜Ｒ１３Ｃ及びＲ１６Ａ〜Ｒ１６Ｃを並列接続する。また、オペアンプ７３の−入力端子と出力端子との間に、増幅率の分子を決定するための抵抗器として複数の抵抗器Ｒ１５Ａ〜Ｒ１５Ｃを並列接続し、−入力端子とこの端子に接続されるバッファ回路７１の出力端子との間に、同増幅率の分母を決定するための抵抗器として複数の抵抗器Ｒ１４Ａ〜Ｒ１４Ｃを並列接続する。それら抵抗器のうち調整で不要となった抵抗器を並列接続から切り離す。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器をより小型化する。
【解決手段】高周波電力増幅器１は、ベースバンド信号をローカル信号によりアップコンバートするＲＦ−ＩＣ５と、ＲＦ−ＩＣ５によりアップコンバートされた信号からローカル信号を除去する入力フィルタ２と、入力フィルタ２によりローカル信号を除去された基本波信号を増幅するパワーアンプ３と、ＲＦ−ＩＣ５の出力インピーダンスと、この出力インピーダンスよりも低いパワーアンプ３の入力インピーダンスとを整合させる入力整合回路４とを備え、入力フィルタ２は、入力整合回路４とパワーアンプ３との間に配置され、入力フィルタ２は、パワーアンプ３の入力インピーダンスと等しい入出力インピーダンスを有している。 （もっと読む）

【課題】基準電圧を明確にすることで、安定して動作させる。
【解決手段】電気的に絶縁されて配置されるプリアンプ回路１１とメインアンプ回路２１とを接続するオーディオ用接続構造において、プリアンプ回路１１の出力信号をメインアンプ回路２１に入力する信号線３１と、メインアンプ回路２１のアースラインをプリアンプ回路１１の筐体アースＥ１に電気的に接続するアース線３２と、プリアンプ回路１１とメインアンプ回路２１との筐体アースＥ１、Ｅ２を電気的に接続するアース線３３とを備えた構成にする。 （もっと読む）

【課題】ヒーターの電位をカソードの電位より低くし、ヒーターからカソードへ電流が流れなく、ノイズの発生しないヒーター回路を提供する。
【解決手段】ヒーターを直流点火し、電源のプラスをアースするヒーター回路を用いることにより上記問題を解決した。 （もっと読む）

【課題】移動機のマルチバンド化への対応により２系統以上の高周波電力増幅器を搭載する必要がある場合においても、薄型で高周波特性に優れた高周波電力増幅器を低コストで提供する。
【解決手段】インピーダンス変換回路３６は、モノリシックマイクロ波集積回路５９及び６０として構成された５系統の高周波電力増幅器の出力端子７３Ａ〜７３Ｅから出力された高周波信号を、当該各出力端子７３Ａ〜７３Ｅに相対するように配置された複数の入力端子７７Ａ〜７７Ｅから入力してインピーダンス変換を行う。 （もっと読む）

ノイズを最小にする構成を有する単一シリコン基板ダイ上の集積化ノイズ遮断回路であって、この回路は、入力段を含むノイズの影響を受けやすい回路、出力段を含むノイズ発生回路、信号を入力段から出力段へ伝達するためにノイズ発生回路とノイズの影響を受けやすい回路を結合する少なくとも１つの高電圧レベルシフト回路、およびノイズの影響を遮断する少なくとも１つの浮遊体を備えている。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化が可能で、かつ、コスト低減が可能な定振幅波合成形の増幅器を提供する。
【解決手段】一つの入力信号を二分配した分配器１からの一方の信号を増幅する第１の増幅器３ａと、他方の信号を増幅する第２の増幅器３ｂと、２系統の第１、第２の増幅器３ａ、３ｂからのそれぞれの出力信号を合成器２で合成して出力する定振幅波合成形の増幅器として、第１、第２の増幅器３ａ、３ｂを、１個のパッケージに内蔵された少なくとも２個の増幅素子によって構成する。また、第１、第２の増幅器３ａ、３ｂをそれぞれ構成する前記増幅素子を、互いに密着して実装する。さらに、第１、第２の増幅器３ａ、３ｂをそれぞれ構成する前記増幅素子を、電界効果トランジスタ又はバイポーラトランジスタを用いて構成する。 （もっと読む）

【課題】基準電圧発生回路の基準電圧Ｖrefの経時変化を低減する。
【解決手段】Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２は同じ構造をもち、ともにフローティングゲート及びコントロールゲートをもち、初期しきい値電圧はエンハンスメント側である。ＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２はともにフローティングゲートにホールが注入されており、ＭＯＳＦＥＴＱ１はデプレッション型にされ、ＭＯＳＦＥＴＱ２はＭＯＳＦＥＴＱ１よりも少ない量のホールが注入されてエンハンスメント型にされている。ＭＯＳＦＥＴＱ１の定電流性を利用し、ＭＯＳＦＥＴＱ２をその定電流で動作させ、ＭＯＳＦＥＴＱ２に発生する電圧を基準電圧として取り出す。 （もっと読む）

【課題】デュアルバンド無線装置に用いられる高周波回路、高周波部品において、小型化を可能とする。
【解決手段】アンテナ端子に繋がるスイッチ回路と、スイッチ回路に繋がる第１と第２の分波回路と、第１の分波回路に繋がる第１と第２のパワーアンプ回路と、前記第１と第２のパワーアンプ回路に繋がる第１と第２のバンドパスフィルタ回路と、前記第２の分波回路に繋がる第３のバンドパスフィルタ回路と、前記スイッチ回路と前記第１の分波回路との間に設けられた検波回路と、前記スイッチ回路と前記第２の分波回路との間に設けられたローノイズアンプ回路とを具備し、セラミック誘電体からなる複数の層に電極パターンを形成し積層一体化してなる積層体と、前記積層体の表面に搭載された素子とから構成される高周波部品。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ基板上に製造される差動構成のスイッチトキャパシタ回路において、一端がＶssとＶdd間の中間電位であるアナロググランドに接続されるスイッチに用いるトランジスタとして、スイッチオフ時のリーク電流を少なくする。
【解決手段】 ＳＯＩ基板上に製造されたトランジスタであり、活性領域中に形成されたチャネル領域、ソースおよびドレインと、チャネル領域上に形成されたゲート電極と、チャネル領域に接し、かつソースおよびドレインに接しない活性領域中に形成され、チャネル領域と同一伝導型の第１の領域と、チャネル領域に接し、かつソースおよびドレインに接しない活性領域中に形成され、ソースおよびドレインと同一伝導型の第２の領域とを有し、第１の領域と第２の領域とは金属コンタクトにより電気的に相互に接続されてチャネル領域に対する電位固定作用を有するソースタイトランジスタを用いる。 （もっと読む）

入力ボンド・パッド（ＩＢＰ）と第１の方向（ＦＤ）に互いに変位された複数のセル（ＣＥ１、ＣＥ２）と出力ボンド・パッド（ＯＢＰ）とをこの順序で第１の方向（ＦＤ）に備えた集積ＨＦ増幅器構造体。セル（ＣＥ１、ＣＥ２）の各々は入力パッド（ＧＰ１、ＧＰ２）とアクティブ領域（Ａ１、Ａ２）と出力パッド（ＤＰ１、ＤＰ２）とを有する増幅器を備える。アクティブ領域（Ａ１、Ａ２）は、入力パッド（ＧＰ１、ＧＰ２）と出力パッド（ＤＰ１、ＤＰ２）の間に配置され、入力パッド（ＧＰ１、ＧＰ２）とアクティブ領域（Ａ１、Ａ２）と出力パッド（ＤＰ１、ＤＰ２）は第１の方向（ＦＤ）に対してほぼ直角な第２の方向（ＳＤ）に互いに変位される。第１の回路網（Ｎ１）は、複数のセル（ＣＥ１、ＣＥ２）のうちの隣接するセルの入力パッド（ＧＰ１、ＧＰ２）を相互接続するための第１の相互接続手段（Ｌｉ、Ｃｉ；Ｌｉ１、Ｌｉ２、Ｃｉ１）を備え、且つ第１の方向（ＦＤ）に延びる。第２の回路網（Ｎ２）は、複数のセル（ＣＥ１、ＣＥ２）のうちの隣接するセルの出力パッド（ＤＰ１、ＤＰ２）を相互接続するための第２の相互接続手段（Ｌｏ、Ｃｏ；Ｌｏ１、Ｌｏ２、Ｃｏ１）を備え、且つ第１の方向（ＦＤ）に延びる。第１の回路網（Ｎ１）及び第２の回路網（Ｎ２）は、すべての相互接続されたセル（ＣＥ１、ＣＥ２）について、出力ボンド・パッド（ＯＢＰ）にて、入力ボンド・パッド（ＩＢＰ）での同じ入力信号（ＩＳ）に対して等しい位相シフト及び振幅を有する出力信号（ＯＳ）を得るように構成される。特定のバイアス及び位相シフト条件において、構造体は出力バックオフでの効率が改善されたドハティ増幅器を実現する。
（もっと読む）

集積ドハティ増幅器構造体は、入力ボンドパッド（ＩＢＰ）と、出力ボンドパッド（ＯＢＰ）とを備える。第１のトランジスタ（Ｔ１）は、ドハティ増幅器のピーク増幅段を形成し且つドハティ増幅器の入力信号である第１の入力信号（ＩＳ１）を受け取るための制御入力（Ｇ１）とドハティ増幅器の出力で増幅された第１の入力信号（ＯＳ１）を供給するための出力（Ｄ１）とを有する。第２のトランジスタ（Ｔ２）は、ドハティ増幅器のメイン増幅段を形成し且つ第２の入力信号（ＩＳ２）を受け取るための制御入力（Ｇ２）と増幅された第２の入力信号（ＯＳ２）を供給するための出力（Ｄ２）とを有する。第１の入力信号（ＩＳ１）と第２の入力信号（ＩＳ２）とは９０度の位相オフセットを有する。第１のボンドワイヤ（ＢＷ１）は、第１のインダクタンス（Ｌ１）を形成し、第１の方向に延在するとともに、入力ボンドパッド（ＩＢＰ）と第１のトランジスタ（Ｔ１）の制御入力（Ｇ１）との間に配置される。第２のボンドワイヤ（ＢＷ２）は、第２のインダクタンス（Ｌ２）を形成し、第１の方向に延在するとともに、出力ボンドパッド（ＯＢＰ）と第１のトランジスタ（Ｔ１）の出力（Ｄ１）との間に配置される。第３のボンドワイヤ（ＢＷ３）は、第３のインダクタンス（Ｌ３）を形成し、第１の方向に対して略垂直な第２の方向に延在するとともに、第１のトランジスタ（Ｔ１）の出力（Ｄ１）と第２のトランジスタ（Ｔ２）の出力（Ｄ２）との間に配置される。
（もっと読む）

【課題】半導体チップの発熱領域が集中して配置されていることによって熱抵抗が増大することを防止し、パッケージ筐体のサイズを大きくすることなく発熱領域を分散させ、かつ高周波特性を犠牲にすることのない半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１１を互いに前後して配置する。半導体チップ１１を2つずつペアにし、入力側には第１のT型分配回路１４、出力側には第1のT型合成回路１５を配置する。第１のT型分配回路１４と第1のT型合成回路１５の２分岐されている経路を伝搬する時間が等しくなるようにその線路長を決定する。この構成により分岐された信号の伝搬時間が等しくなり出力合成された利得の低下は生じない。また第１のT型分配回路１４と第1のT型合成回路１５をセラミック等の基板で構成し、接続のためのボンディングワイヤ１３を極力短く、並列に複数配置しているので高周波に対応でき、かつ高周波特性のばらつきも減少できる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ帯からＫｕ帯にわたる高周波領域で動作する大きなサイズのパワートランジスタを用いた高出力増幅器において、低インピーダンスの入力整合回路を実現すると共に実装ばらつきを低減する。
【解決手段】ソース端子とゲート端子とが複数交互に配置されたトランジスタ１と入力整合回路２とを含む高出力増幅器であって、入力整合回路２において、トランジスタ１のソース端子に対向する位置にグランドに導通したビア８を設け、トランジスタ１のゲート端子に対向する位置に信号線としての導体６を設け、ソース端子と当該ソース端子に対向する位置に設けられたビア８とをソースワイヤ１２を用いて接続し、ゲート端子と当該ゲート端子に対向する位置に設けられた導体６とをゲートワイヤ１３を用いて接続する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スイッチング回路部から出力されるオーディオ信号によってスピーカをダイレクトで駆動した場合でも、高域ノイズの装置外への輻射を防止することができるオーディオ装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ＯＮ／ＯＦＦ処理によって増幅を行うスイッチング素子が実装されているデジタルアンプ基板１０を、スピーカ６が取り付けられているスピーカボックス１６内のスピーカ６の後方近傍に所定の間隔をおいて配置するように構成することにより、スピーカ６の音響特性を損なうことなく、スピーカボックス６内にデジタルアンプ基板１０を収納させることができると共に、共通の第１のシールド１３を用いてデジタルアンプ基板１０およびスピーカ６を簡単に電磁遮蔽することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スイッチング回路部から出力されるオーディオ信号によってスピーカをダイレクトで駆動した場合でも、高域ノイズの装置外への輻射を防止することができるオーディオ装置を提供することを課題とする。
【解決手段】スイッチング回路が実装されたデジタルアンプ基板１０とスピーカ６との周囲を取り囲んで電磁遮蔽を行う第１のシールド１３と、デジタルアンプ基板１０で発生する熱を第１のシールド１３に伝達する放熱ガイド１５と設けるように構成することにより、第１のシールド１３によってデジタルアンプ基板１０からの不要輻射を遮蔽できると共に、デジタルアンプ基板１０からスピーカ６にオーディオ信号を供給するケーブル１２からの不要輻射も遮蔽することができると共に、第１のシールド１３を放熱板として用いてデジタルアンプ基板１０で発生する熱を効率よく放熱することができるる。 （もっと読む）

【課題】デュアルバンド送受信用半導体集積回路の低雑音増幅器と受信ミキサの周波数特性を劣化させない。
【解決手段】低雑音増幅器のパッケージ外ピン先端からパッドまでの距離が最短となる位置に低雑音増幅器を配置する。接地ピン同士、及び高周波信号ピン同士が隣接しない配置とする。低雑音増幅器の接地ピンと、バイアス回路の接地を分ける。高周波信号線同志が交差しないピンレイアウトとする。 （もっと読む）