【課題】低消費電力化と広範囲の電源電圧への対応の両立が容易な受光回路を提供する。
【解決手段】受光回路が，受光素子に接続されるトランスインピーダンス増幅回路と，電流源が供給する所定の電流により動作し，トランスインピーダンス増幅回路から出力される信号と所定の基準信号との差分信号に対応する電流を出力する差動増幅器と，差動増幅器から出力される電流と対応する電流を出力するカレントミラー回路と，カレントミラー回路から出力される電流を電圧に変換する変換素子と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】拡散抵抗で形成された抵抗素子でゲインを設定する増幅回路において、入力信号の電圧変化に関わらず、ゲイン及び入出力特性のリニアリティを安定化させ得る増幅回路を提供する。
【解決手段】基板上に形成される拡散層と、拡散層を囲むウェルとを有する拡散抵抗であって、複数の拡散抵抗Ｒ１８，Ｒ１９の抵抗値比に基づいてゲインを設定する増幅器１５を備えた増幅回路において、ウェルの電位を、該拡散抵抗Ｒ１８，Ｒ１９の抵抗体のいずれかの端子から常時自己バイアスで供給する電位供給回路１６ａ，１６ｂを備えた。 （もっと読む）

【目的】同相入力電圧レベルの上限値を上げて差動増幅回路としての差動増幅電圧範囲を拡大しながら、差動電圧増幅率を大きくできる差動増幅回路とそれを用いた電流制御装置を提供することである。
【解決手段】オペアンプ１５を含む差動増幅回路１０１の前段を形成する抵抗（Ｒ１，Ｒ２，Ｒｓ，Ｒｆ）の他にさらに上流側に分圧抵抗（Ｒ１．１、Ｒ１．２、Ｒｓ１およびＲｓ２）を挿入することで、ＰｃｈＭＯＳで構成されるオペアンプ１５の入力端子に入力される電圧を低くできるため、差動増幅回路の同相入力電圧レベルを電源電圧付近以上に高めることができて、差動増幅回路における同相入力電圧範囲を拡大することができる。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器の電力利用効率を向上するための小型で伝送ロスの少ない高調波制御回路を提供する。
【解決手段】増幅素子２０４と高調波制御回路２０９と出力整合回路２０７と負荷抵抗２０８にて高周波電力増幅器を構成している。入力端２０１から入力された高周波信号が増幅素子２０４で増幅され、高調波制御回路２０９と出力整合回路２０７を通過し、負荷抵抗２０８に供給される。高調波制御回路２０９は第１の誘電体共振器２０６と第２の誘電体共振器２０５により構成されている。 （もっと読む）

【課題】個々の電流成分における干渉、特にノイズを劇的に減少させる集積回路を提供する。
【解決手段】各場合において固定された態様で予め定められており且つアナログ電流信号を形成するために使用される電流成分Ｉ１〜Ｉ８を供給するために互いに並列して配置されている複数個の電流源トランジスタＮ１〜Ｎ８を具備している少なくとも１個のデジタル・アナログ変換器１２を有しており、電流源トランジスタの制御入力は調節電位線１４により共用される調節電位へ露呈させることが可能であり、その調節電位は個々の電流成分を定義し、且つ調節電位線に調節電位を供給する調節回路１６を有している。 （もっと読む）

出力段は、ＶＤＤＡノードと出力ノードとの間のプルアップ電流経路内において直列に結合された２つのトランジスタ（スイッチングトランジスタ及びバイアシングトランジスタ）を含み、前記出力ノードと接地ノードとの間のプルダウン電流経路内において直列に結合された２つのトランジスタ（スイッチングトランジスタ及びバイアシングトランジスタ）も含む。前記バイアシングトランジスタを提供することは、前記トランジスタにおいて低下される最大電圧を低減させ、それによって前記トランジスタがＶＤＤＡよりも低い破壊電圧を有するのを可能にする。適応型バイアシング回路は、前記出力ノード電圧に基づいてバイアシングトランジスタにおける前記ゲート電圧を調整する。前記出力電圧が中間範囲内にある場合は、前記ゲート電圧は、電圧ストレスを低減させるためにレール電圧から離れた電圧に設定される。前記出力電圧が前記レール電圧の方に近い範囲内にある場合は、前記ゲート電圧は、前記レール電圧により近い電圧に設定され、それによりレールツーレール出力電圧スイングを容易にする。 （もっと読む）

【課題】スイッチト・キャパシタ回路では、ＭＯＳスイッチがオンしているとき、熱雑音が発生する。
【解決手段】オペアンプＯＰ３は、入力信号を受ける第１入力端子と、参照電圧を受ける第２入力端子と、出力端子とを有する。スイッチＳＷ１は、容量Ｃ１と並列に設けられ、オペアンプＯＰ３の第１入力端子と出力端子とを短絡させる。スイッチＳＷ４、ＳＷ５は、容量Ｃ１の出力側端子を、オペアンプＯＰ３の出力端子または所定の電圧源に選択的に接続する。 （もっと読む）

【課題】主電力増幅器と補助電力増幅器を切り替える際における出力電力の立ち上がり遅延を改善する。
【解決手段】主電力増幅器１０と、主電力増幅器１０よりもアイドル電流が小さい補助電力増幅器２０とを切り替えて動作させる。主電力増幅器１０及び補助電力増幅器２０は同一ＧａＡｓチップ上に形成されており、それぞれ、ＲＦ信号を増幅する前段増幅素子１２，２２と、前段増幅素子１２，２２の出力信号を増幅する後段増幅素子１４，２４と、前段増幅素子１２，２２を駆動する前段バイアス回路１６，２６と、後段増幅素子１４，２４を駆動する後段バイアス回路１７，２７とを有する。主電力増幅器の後段増幅素子１４と補助電力増幅器の後段増幅素子２４との間隔は１００μｍ以下である。主電力増幅器の後段増幅素子１４と補助電力増幅器の後段バイアス回路２７との間隔は２００μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】高周波数域での発振を防止して安定した動作を実現できると共に、低雑音で高利得の増幅回路を提供すること。
【解決手段】ＦＥＴ１のドレイン−ゲート間を電圧負帰還部１１を介して接続し、ＦＥＴ１のドレイン−ゲート間に接続される抵抗成分を２分割して一方の抵抗Ｒ１をドレイン近傍に配置し、他方の抵抗Ｒ２をゲートの近傍に配置する。電圧負帰還部１１に含まれるコンデンサ４とゲート側の抵抗Ｒ２との接続点とグラウンドとの間に小容量のコンデンサＣ３を接続し、放送帯域に対応した低周波数では高インピーダンスとなり、高周波数では電圧負帰還部１１を低インピーダンスにするような容量に設定する。さらに、ＦＥＴ１のドレイン直下及びゲート直下のグラウンドパターン２３を切り欠いて切り欠き部２４，２５を形成する。 （もっと読む）

【課題】温度に依存する素子特性のばらつき及び増幅用トランジスタのエミッタ端子への漏れ込み帰還が発生することを防止し、高い安定性を有する電力増幅回路を提供する。
【解決手段】出力整合回路３０の接地容量１０４を増幅用トランジスタ７の接地端子でなく、バイアス回路４０の接地端子に接地する一方で、増幅用トランジスタ７のベース端子を接地抵抗１０３経由で接地する。これにより、漏れ電流が増幅用トランジスタ７に帰還することがなくなり、また、増幅用トランジスタ７のベース端子に流れ込む、バイアス電流の温度変化による変動も接地抵抗１０３経由でグランドに流すことで電力増幅回路の温度特性のばらつきを最小化できる。 （もっと読む）

【課題】複数のローノイズアンプを近接して搭載してもアイソレーションの劣化が無い小型化・高集積化された高周波回路部品が提供できる。
【解決手段】前記誘電体基板に形成された、アンテナ端子を２つ以上、第１通信システム用の送信端子を１つ以上、及び前記第１通信システム用の受信端子を２つ以上有する高周波回路部品であって、前記第１通信システム用の第１受信端子と前記第１アンテナ端子との間の受信経路には第１ローノイズアンプが設けられ、前記第１通信システム用の第２受信端子と前記第２アンテナ端子との間の受信経路には第２ローノイズアンプが設けられ、前記第１、第２ローノイズアンプは平面視が矩形であり、それぞれ、その一辺側に入力端子を、前記一辺側に対向する他辺側に出力端子を備え、前記第１、第２ローノイズアンプは前記一辺側同士または前記他辺側同士が対向するように前記誘電体基板に実装されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高出力電力増幅ＩＣのチャネル温度を低下させ、信頼性を向上した高周波半導体回路を得ることを目的とする。
【解決手段】パッケージ２５のベースに搭載されたＧａＮ−ＨＥＭＴ−ＩＣ１０、ＧａＮ−ＨＥＭＴ−ＩＣ１０のゲートが接続されるインピーダンス整合用キャパシタ１５、ＧａＮ−ＨＥＭＴ−ＩＣ１０のドレインが接続されるインピーダンス整合用薄膜キャパシタｏｎ ｎ形−ＳｉＣ３０、インピーダンス整合用キャパシタ１５とパッケージ２５に形成されたメタライズ１２ａを接続するワイヤ１６ａ及びインピーダンス整合用薄膜キャパシタｏｎ ｎ形−ＳｉＣ３０とメタライズ１２ｂを接続する幅広のリボンワイヤ５５を備える。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化、伝送損失の低減及び高効率化を図ることが可能な増幅器を提供する。
【解決手段】常に信号の増幅動作を行うキャリア増幅器２１と、高電力出力時のみに動作するピーク増幅器２２と、キャリア増幅器２１とピーク増幅器２２の出力を合成して出力する合成器２３と、入力信号をキャリア増幅器２１側とピーク増幅器２２側に分配する分配器２４とを含んで構成される。キャリア増幅器２１およびピーク増幅器２２は１個のパッケージ１（１パッケージトランジスタ）に内蔵される。分配器２４と合成器２３とは、パッケージ１の外部に配置されている。 （もっと読む）

【課題】オープンループゲインが小さなパワーアンプを、歪の発生を抑制しつつ使用することができるようにする。
【解決手段】パワーアンプ２１を備え、パワーアンプを用いて所定の利得で増幅を行う増幅装置において、パワーアンプには、パワーアンプにおいて発生する歪を抑制するための所定の帰還量を設定するとともに、パワーアンプの前には、パワーアンプによる利得を前記所定の利得から差し引いて得られる利得分の増幅を行う、前記パワーアンプより歪率の小さい低歪率増幅手段１２を設ける。パワーアンプが設けられている基板２と、低歪率増幅手段が設けられている基板１とは分離する。 （もっと読む）

【課題】可変インピーダンス回路の歪を低減したい。
【解決手段】第１トランジスタＭ１は、差動入力信号の一方を受ける第１端子と、インピーダンスを変化させるための制御信号を受ける第２端子と、第２トランジスタと接続された第３端子と、基板に電位を供給するための第４端子とを含む。第２トランジスタＭ２は、差動入力信号の他方を受ける第５端子と、制御信号を受ける第６端子と、第１トランジスタと接続された第７端子と、基板に電位を供給するための第８端子とを含む。第３端子、第４端子、第７端子および第８端子が接続される。 （もっと読む）

【課題】高周波、広帯域において高い特性を維持しつつ、パッケージを小型化することができる半導体装置及び増幅器を提供する。
【解決手段】半導体装置20は、内部に半導体チップ22が設けられるとともに、その外郭21ａの主面に入力端子31及び出力端子32を有するパッケージ21と、トランジスタチップ22の入力側を入力端子31に接続する導電性の第１の接続体41と、トランジスタチップ22の出力側を出力端子32に接続する導電性の第２の接続体42と、パッケージ21の外郭２１ａ上に配され、一端が入力端子31に接続され、他端は入力部を有し、入力インピーダンスを調整する入力整合部品５1と、パッケージ21の外郭２１ａ上に配され、一端が出力端子32に接続され、他端は出力部を有し、出力インピーダンスを調整する出力整合部品５2と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力端子の寄生容量を抑えつつ、トランスコンダクタンスの可変域を拡大できるようにする。
【解決手段】ゲートに入力信号Ｖｉが入力された第１のＭＯＳトランジスタＭ１を設ける。また、ゲートにトランスコンダクタを制御する制御信号Ｖｇが入力され、ソースが第１のＭＯＳトランジスタＭ１のドレインと接続され、ドレインから出力信号Ｖｏｕｔが取り出される第２のＭＯＳトランジスタＭ２を設ける。さらに、第２のＭＯＳトランジスタＭ２のドレインに、バイアス電流Ｉｏを供給する第１の電流源１１０を設ける。そして、第２の電流源１２０によって、第１のＭＯＳトランジスタＭ１のドレインに、補正電流Ｉｘを供給する。 （もっと読む）

【課題】挿入損失及び消費電力を抑えることができ、さらに、大型化を防止することができる電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅器１において、入力信号を複数の信号に分けて出力する電力分配器２と、電力分配器２に個別に接続され、電力分配器２から出力された複数の信号の各々の位相をそれぞれ変えて、位相を変えた複数の信号をそれぞれ出力する複数の移相器３と、複数の移相器３に個別に接続された単位増幅器４と、複数の単位増幅器４に接続された電力合成器５と、複数の移相器３に接続された電位供給器６とを備え、複数の移相器３は、電力分配器２から出力された信号が流れる信号線と、その信号線に対して信号線が伸びる方向に並べられた静電容量型の複数のマイクロマシンスイッチとをそれぞれ具備しており、電位供給器６は、複数の移相器３に対して複数のマイクロマシンスイッチに与える電位をそれぞれ供給する。 （もっと読む）

【課題】ＤＡＴ技術を利用した電力増幅器において、能動素子として高耐圧トランジスタを用いた場合に、その特性を十分に活用することができる技術を提供する。
【解決手段】３個のほぼ等価なプッシュプル増幅器を具備している。プッシュプル増幅器における１対のトランジスタ３Ａ〜３Ｆのドレインは、金属配線１Ａ〜１Ｈから成る電流経路により相互に接続され、電流経路の中間点が正電源Ｖｄｄに接続されている。金属配線１Ａ〜１Ｈのうちトランジスタのドレインからその正電源Ｖｄｄに至る部分が１本の１次コイルを構成する。１次コイルが、それらと近接して配置された金属配線２から成る２次コイルと磁気的に結合することにより、１次コイルからの出力を合成し２次コイルの出力端子から出力する。１本の１次コイルに相当する金属配線の長さに対する、２次コイル全体に相当する金属配線の長さの比が、およそ３である。 （もっと読む）

【課題】ほぼ同一の電気的特性を有する複数の増幅器から成る集積増幅器回路を提供する。
【解決手段】少なくとも２つの増幅器部分領域から成る増幅器を有し、該増幅器部分領域は対称性原点を中心として配置されており、各増幅器部分領域はトランジスタ領域として配置された複数のトランジスタを有する、集積増幅器回路において、異なる増幅器部分領域のトランジスタが同じトランジスタ領域内に配置されている。
【効果】各増幅器部分領域の付加的な空間的分離が達成され、特性勾配が平均される。したがって増幅器部分領域ひいては増幅器の全体での均一な特性が得られる。 （もっと読む）