【課題】差動信号を伝送することを可能としつつ、差動信号のコモン電位を調整する。
【解決手段】電流源ＧｏＰ、ＧｏＮにてそれぞれ生成された差動電流ＩｏＰ、ＩｏＮを差動電圧ＶｏＰ、ＶｏＮに変換する負荷インピーダンスＺＬＰ、ＺＬＮに共通抵抗ＲＣ１を接続し、電流源Ｇｃにて生成された一定の電流Ｉｃを共通抵抗ＲＣ１に供給することで、共通抵抗ＲＣ１に同相電圧を発生させコモン電位Ｖｃｍを設定させる。 （もっと読む）

【課題】負荷条件が異なっても高調波を適切なインピーダンスで終端し、基本波に対しては影響のない高調波終端回路を得る。
【解決手段】高調波終端回路は、マイクロ波電力増幅器（４）のマイクロ波出力または入力を高調波処理する高調波終端回路において、基本波のおよそ４分の１波長の先端短絡スタブ（１ａ、１ｂ、１ｃ）および上記先端短絡スタブに直列に接続される抵抗（３ａ、３ｂ、３ｃ）を有する並列回路（３０ａ、３０ｂ、３０ｃ）を３組備え、上記並列回路は、二次高調波のおよそ４分の１波長ずつ離れて伝送線路（２ａ、２ｂ）に並列に接続される。 （もっと読む）

【課題】無線周波数集積回路において位相エラーを十分に低減する。
【解決手段】無線周波数集積回路は、与えられた電圧に応じた発振周波数の発振周波数信号を生成する電圧制御発振器を有し、発振周波数信号を分周して得られる搬送波に信号波を乗せた無線周波数信号を生成する送信部と、無線周波数回路からの前記無線周波数信号を増幅する電力増幅器と電力増幅器から送信部に回り込む、少なくとも前記発振周波数の同じ周波数の高調波成分を低減する低減手段と、
を有する。 （もっと読む）

【課題】増幅器の出力性能を低下させること無く、電源に供給される電流を検出できる増幅器、高周波集積回路、電源電流検出方法及びその温度補償方法を提供する。
【解決手段】増幅器１００は、電源として供給される電流を検出する。増幅器１００におけるＦＥＴ１は、入力された信号を増幅する。抵抗２は、ＦＥＴ１の近傍に配置され、ＦＥＴ１の温度を検出する。抵抗２は、ＦＥＴ１と同じ温度特性を有し、ＦＥＴ１に供給される電源の電流値の変化に応じてインピーダンス値が変化する。 （もっと読む）

【課題】反射特性や利得特性の劣化を小さくすることができる高周波増幅器を得ることを目的とする。
【解決手段】入力端子１から入力された信号を増幅する複数のトランジスタ９のドレイン側と接続されている複数のショートスタブ１２と、出力側伝送線路６と並列に接続されている複数の容量１０とを備え、複数のショートスタブ１２における何れかのショートスタブ１２にドレインバイアス端子１３を接続するように構成する。これにより、反射特性や利得特性の劣化を小さくすることができるとともに、レイアウトの自由度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】回路構成を複雑にすることなく、所望の周波数帯域において利得を向上させる増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明の増幅回路は、半導体基板３と、前記半導体基板３上に形成され、高周波信号を増幅するトランジスタ１と、前記トランジスタ１のソース電極１０ｓに接続された誘導性リアクタンス素子とを有し、前記誘導性リアクタンス素子は、前記半導体基板１の上方に形成され、有機物で構成される有機誘電体層６と、前記有機誘電体層６の前記半導体基板３側と反対側の面上に形成された配線を有する金属再配線層７とを含み、前記配線の一端は、前記トランジスタ１のソース電極１０ｓに接続され、前記配線の他端は接地され、前記誘導性リアクタンス素子のリアクタンス値は、前記高周波信号の周波数帯域の中心周波数において１０Ω以下である。 （もっと読む）

信号増幅を含む種々の用途のための電子回路及び方法が提供される。模範的な電子回路はカスコード構成にされたＭＯＳＦＥＴ及びデュアルゲートＪＦＥＴを備える。デュアルゲートＪＦＥＴはチャネルの上及び下に配置されたトップ及びボトムゲートを含む。ＪＦＥＴのトップゲートはＭＯＳＦＥＴのゲートを制御する信号に依存する信号で制御される。ＪＦＥＴのボトムゲートはトップゲートに依存して又は独立して制御することができる。ＭＯＳＦＥＴ及びＪＦＥＴは同じ基板上に個別の構成要素として、異なる寸法、例えばゲート幅で実装することができる。
（もっと読む）

【課題】 電力分配器で分岐された複数の増幅回路の相互干渉を防止し、伝送線路長の短い電力合成増幅器を提供する。
【解決手段】 電力分配回路から分岐された第１増幅器４ａからの高周波をインピーダンス整合する第１変成回路１０ａと、第１変成回路より細長の第２変成回路１１ａと、第２変成回路より細長の第３変成回路１２ａと、電力分配回路から分岐された第２増幅器４ｂからの高周波をインピーダンス整合する第４変成回路１０ｂと、第４変成器より細長の第５変成回路１１ｂと、第５変成器より細長の第６変成回路１２ｂと、第３変成回路及び第６変成回路のそれぞれの出力側に接続された電力合成器とを設けて、第３変成回路及び第６変成回路を屈曲させると共に第１及び第２増幅器出力端から電力合成器６出力端までの伝送線路長を伝送周波数波長に略等しくするようにした。 （もっと読む）

本発明は、平面ＸＹに平行な少なくとも１つのプレートと、そのプレート上に装着される少なくとも２つの増幅器モジュール（４１ａ、４１ｂ）とを含む低容積の増幅装置に関する。各増幅器モジュール（４１ａ、４１ｂ）は、増幅器素子（１１ａ、１１ｂ）と、縦の伝播の方向に合致する同じ方向Ｘに配置される入力接続導波路（１２ａ、１２ｂ）および出力接続導波路（１３ａ、１３ｂ）とを含み、その増幅器素子（１１ａ、１１ｂ）は、伝播の方向Ｘに垂直な方向Ｙに配置される入力および出力軸（１８ａ、１８ｂ）を有するこの低容積の増幅装置において、２つの増幅器モジュール（４１ａ、４１ｂ）の入力接続導波路（１２ａ、１２ｂ）は、別個のものであって、異なる長さ（Ｌａ１、Ｌａ２）を有すると共に互いに平行に装着され、前記２つの増幅器モジュール（４１ａ、４１ｂ）の出力接続導波路（１３ａ、１３ｂ）は、別個のものであって、異なる長さ（Ｌａ２、Ｌｂ２）を有すると共に互いに平行に装着されること、および、同じ増幅器モジュールの入力および出力導波路の長さの合計（Ｌａ１＋Ｌａ２、Ｌｂ１＋Ｌｂ２）は各増幅器モジュールについて同一である、すなわち、Ｌａ１＋Ｌａ２＝Ｌｂ１＋Ｌｂ２であること、が特徴である。
（もっと読む）

【課題】グランドバウンスに基づくノイズが少ない増幅回路が容易に製造可能となる回路基板を提供する。
【解決手段】長尺な正極側接続部３２と、長尺な負極側接続部３４と、正極側接続部３２の一端側と負極側接続部３４の一端側とを接続する入力側電源ライン３７と、入力側電源ライン３７の中途部に設けられた第１のコンデンサ配置部３８および第２のコンデンサ配置部４０と、第１のコンデンサ配置部３８と第２のコンデンサ配置部４０との間に設けられた入力部３６と、正極側接続部３２の他端側と負極側接続部３４の他端側とを接続する出力側電源ライン４５と、出力側電源ライン４５の中途部に設けられた第３のコンデンサ配置部４６および第４のコンデンサ配置部４８と、第３のコンデンサ配置部４６と第４のコンデンサ配置部４８との間に設けられた出力部４４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】10Ｇｂ／ｓで50ｍＡ以上の大きな出力電流でも安定に動作することができる差動駆動回路を実現する。
【解決手段】差動入力端子ＩＮＰ，ＩＮＮから入力する差動信号を増幅し、差動出力端子ＬＤＰ，ＬＤＮからレーザダイオードの駆動信号を出力する差動駆動回路において、差動入力端子ＩＮＰ，ＩＮＮにバッファ回路を接続し、その差動出力をエミッタフォロワ回路および終端回路を介してドライバ回路に接続し、ドライバ回路の差動出力を差動出力端子ＬＤＰ，ＬＤＮに接続する構成であり、エミッタフォロワ回路を駆動する電源電圧ＶCC２と終端回路を駆動する電源電圧ＶCC３について、ＶCC２＜ＶCC３となる関係に設定する構成である。 （もっと読む）

【課題】異なる系統の電力増幅回路を含む半導体装置を小型にする。
【解決手段】２つの周波数帯の高周波信号を取り扱うことが可能なデュアル方式のデジタル携帯電話機のＲＦパワーモジュールを構成する系統の異なる電力増幅回路２Ａ，２Ｂを同一のＩＣチップ１Ｃ内に配置した。この場合、電力増幅回路２Ａ，２ＢをＩＣチップ１Ｃの周辺に配置し、周辺回路３を電力増幅回路２Ａ，２Ｂの間に配置させた。これにより、異なる系統の電力増幅回路２Ａ，２Ｂを同一のＩＣチップ１Ｃ内に設けて小型化が図れる上、異なる系統の電力増幅回路２Ａ，２Ｂを同一のＩＣチップ１Ｃに設けても電力増幅回路２Ａ，２Ｂ間の距離が確保されるので電力増幅回路２Ａ，２Ｂ間の結合を抑制させることができ、電力増幅回路２Ａ，２Ｂ間でのクロストークを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波帯及びミリ波帯において用いられる高出力且つ高利得な電力増幅器を得られるようにする。
【解決手段】マイクロストリップ線路１０９上には、入力整合回路１０２の中央部へ入力端子１１０から入力される高周波信号の高周波信号の伝送方向に沿って、スリット１１６及びスリット１１７が形成され、スリット１１７の長さより上記中央部の隣接位置のスリット１１６の長さが長く設定される。 （もっと読む）

【課題】回路面積を増大させずにインダクタンスを大きくすることができる増幅器及び無線機を提供すること。
【解決手段】増幅器が、基板と、前記基板上に配置され、入力信号を増幅して出力する第１〜第４の増幅部と、前記基板上に配線され、前記第１の増幅部の出力と前記第２の増幅部の出力、前記第２の増幅部の出力と前記第３の増幅部の出力、前記第３の増幅部の出力と前記第４の増幅部の出力、及び前記第４の増幅部の出力と前記第１の増幅部の出力とをそれぞれ接続し、少なくとも一つの蛇行部を備えた第１〜第４の誘導性線路と、前記第１〜第４の誘導性線路と磁界結合する第５の誘導性線路とを備える。 （もっと読む）

【課題】携帯電話機などの移動体通信機器に搭載される電力増幅器をバランスアンプから構成する場合に、バランスアンプの特性向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】実施の形態の特徴の１つは、ローバンド信号用ネガティブパスに配置される受動部品と、ローバンド信号用ポジティブパスに配置される受動部品とを半導体チップＣＨＰの中心線ＣＬ１に対して対称となる位置に配置することにある。これにより、ローバンド信号用ネガティブパスと、ローバンド信号用ポジティブパスとの対称性が高められる。この結果、ローバンド信号用ネガティブパスと、ローバンド信号用ポジティブパスとの経路差による整合ロスを充分低減することができ、ローバンド信号用バランスアンプの特性を向上することができる。 （もっと読む）

【目的】位相変動を抑制させて安定した動作が可能な演算増幅器を提供することを目的とする。
【構成】第１及び第２入力信号各々に対応した電流を送出する入力段に対して電流を供給する第１トランジスタ、及び、入力段から送出された電流に応じた電位レベルを有する出力信号を生成する出力段に対して電流を供給する第２トランジスタに、夫々バイアス電圧を供給するにあたり、第１トランジスタにバイアス電圧を供給する為の配線と、第２トランジスタにバイアス電圧を供給する為の配線とを互いに電気的に絶縁する。 （もっと読む）

【課題】複数のサーキュレータを用いることなく、受信系の低雑音増幅器および送信系の高出力増幅器を外来干渉波から保護すること。
【解決手段】リミッタ８の前段にＳＰＤＴスイッチ７を設け、ＳＰＤＴスイッチ７の入力端子はサーキュレータ５に接続し、ＳＰＤＴスイッチ７の一方の出力端子はリミッタ８の入力側に接続し、ＳＰＤＴスイッチ７の他方の出力端子は終端器１１に接続し、高出力増幅器４およびＳＰＤＴスイッチ７は、ＧａＮ基板に形成された電界効果トランジスタを用いて構成する。 （もっと読む）

【課題】増幅用ＩＣ及びスイッチ回路を多層基板を用いてモジュール化し、電力効率の良い増幅器モジュールを提供する。
【解決手段】増幅器モジュールは少なくとも２つの枝Ｂ１１，Ｂ１２を有する第１の増幅器回路ＰＡＣ１を含む集積回路デバイスを有する。各枝は所望の電力レベルの増幅された信号を出力端子Ｔｏｕｔ１、Ｔｏｕｔ２、Ｔｏｕｔ３に送出するようになされる。各枝は整合回路ＭＣ１１，ＭＣ１２によって所望の出力インピーダンスレベルに整合され、それぞれの枝を所望の出力端子に接続するようになされた切り替え装置ＳＷに接続される。集積回路デバイスおよび切り替え装置は多層基板に取り付けられた別々の構成要素である。整合回路の部分であるパッシブな整合要素は多層基板へと統合されてもよく、集積回路であってもよく、個々の構成要素として形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】マルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴを有する電力増幅器で生ずるＲＦ動作の不安定性を抑制し、大出力でも安定して動作する電力増幅器を提供する。
【解決手段】シリコン基板と、このシリコン基板内に形成されるＮウェルと、このＮウェル内に形成される独立した複数のＰウェルと、これらのＰウェル上に形成されるマルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴと、外部よりグラウンド電位を与えるための単数または複数のグラウンド電極パッドと、上述の複数のＰウェルの各々とグラウンド電極パッド間の配線経路に設けられるインダクターを備えることを特徴とする電力増幅器。 （もっと読む）

無線アプリケーション用の５Ｗを超える電力で動作する高出力半導体素子（４００）は、高出力半導体素子の活性領域（４０４）を含む半導体基板（４０２）と、高出力半導体素子の活性領域にコンタクトを提供する、半導体基板上に形成された接触領域（４０８）と、半導体基板の一部を覆うように形成された誘電体層（４１２）と、高出力半導体素子に外部接続部を提供するリード線（５００、５０２）と、高出力半導体素子の活性領域とリード線との間の半導体基板上に形成されたインピーダンス整合回路網（５１０、５１２）であって、インピーダンス整合回路網は、誘電体層上に形成された複数の導体線（４１４）であって、活性領域の接触領域に高出力接続部を提供する、接触領域に結合された複数の導体線を含み、該複数の導体線はインピーダンス整合のための所定のインダクタンスを有する、インピーダンス整合回路網とを備える。
（もっと読む）