【課題】トランスを用いて複数の増幅器対の出力を合成する電力増幅装置において、各増幅器対の差動動作のずれによって生じる出力の低下を抑制する。
【解決手段】電力増幅装置１１０は、基板上に全体で環状に設けられた複数の一次インダクタ７，８と、複数の増幅器対３〜６と、二次インダクタ９と、接続配線１０とを備える。各増幅器対は、対応の一次インダクタの両端に接続され、差動入力信号として与えられた一対の第１および第２の信号ＩＮ（＋），ＩＮ（−）をそれぞれ増幅して対応の一次インダクタに出力する。二次インダクタ９は、複数の一次インダクタ７，８に隣接して環状に設けられ、各一次インダクタで合成された第１および第２の信号の合成信号をさらに合成して出力する。接続配線１０は、基板上で複数の一次インダクタ７，８の内側に設けられ、各一次インダクタの中点ＭＰ１，ＭＰ２を互いに電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】低電圧での動作を可能とし、アーリー効果による電流比の悪化を抑圧可能とする。
【解決手段】
ＮＰＮ型の第１及び第２のトランジスタ１，２のベース、第１のトランジスタ１のコレクタ、及び、デプレッション型のＮチャンネルＭＯＳトランジスタである第３のトランジスタ３のゲートが相互に接続されると共に、定電流源４に接続される一方、第１及び第２のトランジスタ１，２のエミッタは、共にグランドに接続され、第２のトランジスタ２のコレクタは、第３のトランジスタ３のソースに接続されて、この第３のトランジスタ３のドレインに出力可能に構成されてなり、低電圧での動作を可能とし、アーリー効果による電流比の悪化が抑圧可能となっている。 （もっと読む）

【課題】回路面積を増加させることなく、動作状態のトランジスタからの発熱を抑制することによって、小型化及び低コスト化を図ることができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】複数の単位トランジスタ３が並列に接続されたトランジスタ列からなり、高周波を増幅する増幅素子と、トランジスタ列の隣り合った単位トランジスタ３のフィンガ間にそれぞれ形成された出力整合回路の回路素子２とを備える。 （もっと読む）

【課題】マルチバンド、かつ各バンドにおいてマルチモードで動作するアイソレーションの高い高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】本発明に係る高周波電力増幅器は、第１周波数帯域内の第１高周波信号を線形動作により増幅する電力増幅器ＡＭＰ１と、第１周波数帯域よりも低い第２周波数帯域内の第２高周波信号を線形動作により増幅する電力増幅器ＡＭＰ２と、第１周波数帯域内の第３高周波信号を非線形動作により増幅する電力増幅器ＡＭＰ３と、第２周波数帯域内の第４高周波信号を非線形動作により増幅する電力増幅器ＡＭＰ４とを有し、電力増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ４の入力配線は、半導体基板１２０及び１３０において互いに交差せず、電力増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ４の出力配線は、半導体基板１２０及び１３０において互いに交差しない。 （もっと読む）

【課題】マルチバンド、かつ各バンドにおいてマルチモードで動作するアイソレーションの高い高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】本発明に係る高周波電力増幅器は、第１電力増幅回路１と、第２電力増幅回路２と、第３電力増幅回路３と、第４電力増幅回路４とを有し、第１〜第４電力増幅回路１〜４は、それぞれ半導体基板に形成されたワイヤーボンディング用の入力パッド１０１〜１０４と、入力配線Ｌ１１〜Ｌ１４と、電力増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ４と、出力配線Ｌ２１〜Ｌ２４と、出力パッド１１１〜１１４とを有し、入力配線Ｌ１１〜Ｌ１４は、チップ２００および２０１において互いに交差せず、電力増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ４の出力配線Ｌ２１〜Ｌ２４は、チップ２００および２０１において互いに交差しない。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器の入力端子と増幅回路の入力端子の間で発生するループ発振を抑止することができる高周波電力増幅器を提供する
【解決手段】入力端子２０と入力端子２０により入力された入力信号を分配する複数の分岐端子２１〜２４を有する導体パターン１９を備える分配回路基板４と、各分岐端子からの入力信号をそれぞれ増幅する増幅回路基板５と、増幅回路基板５からの入力信号を合成する合成回路基板６と、を備え、分配回路基板４の導体パターン１９は、絶縁基板に形成された第１導電層１９Ａと、第１導電層１９Ａ上に形成された第２導電層１９Ｂと、第２導電層１９Ｂ上に形成された第３導電層１９Ｃを有し、分配回路基板の導体パターン１９には、入力端子２０から分岐端子２１〜２４が分岐された位置に、第１導電層１９Ａと第２導電層１９Ｂのみからなる抵抗パターン部４１〜４４が形成されている。 （もっと読む）

通信衛星上に設置されるように設計されたデュアルＲＦチャンネル用リニアライザ・チャンネル増幅器装置は、各々が無線周波数信号通信チャネルに対応し、かつ、チャンネル増幅器モジュール（１０、２０）を備える２つの独立した無線周波数チャンネル（ＲＦ１、ＲＦ２）を備え、２つの無線周波数チャンネル（ＲＦ１、ＲＦ２）は、２つのチャンネル増幅器モジュール（１０、２０）の各々専用の遠隔制御信号をルーティングしかつ管理し、かつ、２つのチャンネル増幅器モジュール（１０、２０）により生成された遠隔測定結果を管理するように設計されたまったく同一の遠隔制御遠隔測定モジュール（３０）に接続される。顕著に衛星通信の分野、及び、特に、衛星中継器の無線周波数伝送システムに適用される。 （もっと読む）

【課題】広帯域にわたって良好なインピーダンス整合を与えることができ、高調波処理を高い効率で可能とする広帯域増幅器を得る。
【解決手段】高周波信号を増幅するトランジスタ１と、トランジスタ１の出力端子に一端が直列接続された直列インダクタ６と、直列インダクタ６の他端に一端が並列接続されたショートスタブ２と、ショートスタブ２の他端を高周波短絡するためのキャパシタ３と、直列インダクタ６の他端に一端が並列接続されたオープンスタブ７と、ショートスタブ２の一端及びオープンスタブ７の一端の接続点に一端が接続されたインピーダンス変成器４とを備え、インピーダンス変成器４は、使用周波数の１／４波長の長さの線路であり、トランジスタ１の効率最適負荷インピーダンスは、５０Ωより低く、容量性の領域にあり、前記接続点とインピーダンス変成器４の間のインピーダンスは、効率最適負荷インピーダンスと５０Ωの間である。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅装置を小型化すること。
【解決手段】増幅回路１１、温度補償用回路１３、出力検波回路１２をパッケージ内に有する高周波電力増幅装置であって、増幅回路１１の入力端子１９はパッケージ側面に設けられたＲＦ入力端子１５に接続されるとともに、温度補償用回路１３の入力端子２５も、第１のＡＣカット抵抗２６を介してＲＦ入力端子１５に接続される。また、増幅回路１１の出力端子２０はパッケージ側面に設けられたＲＦ出力端子１６に接続されるとともに、出力検波回路１２のバイアス入力端子３０も、第２のＡＣカット抵抗３１を介してＲＦ出力端子１６に接続される。 （もっと読む）

【課題】液晶表示パネルを駆動するデータ線ドライバの差動増幅器回路に望ましい振幅差偏差特性を実現する。
【解決手段】差動増幅器回路１が、正転入力端子９及び反転入力端子１０にそれぞれに接続された一対のノンドープ型ＮＭＯＳトランジスタＭＮ_１、ＭＮ_２で構成されたＮＭＯＳトランジスタ対２と、正転入力端子９及び反転入力端子１０にそれぞれに接続された一対のＰＭＯＳトランジスタＭＰ_１、ＭＰ_２で構成されたＰＭＯＳトランジスタ対３と、ノンドープ型ＮＭＯＳトランジスタＭＮ_１、ＭＮ_２のドレインに接続されたフォールディッドカスコード型のカレントミラー４を含み、且つ、ノンドープ型ＮＭＯＳトランジスタＭＮ_１、ＭＮ_２及びＰＭＯＳトランジスタＭＰ_１、ＭＰ_２を流れる電流に応答して出力電圧Ｖ_ＯＵＴを生成する出力回路部（４、５、６、ＭＰ_８、ＭＮ_８）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】出力される高周波信号の特性の劣化を抑制することができる高周波回路を提供すること。
【解決手段】基板１２上に形成され、一端が外部と接続される入力線路１６に接続された入力パッド１３と、基板１２上に形成され、一端が外部と接続される出力線路１７に接続された出力パッド１４と、入力パッド１３と出力パッド１４との間の基板１２上に配列され、入力パッド１３および出力パッド１４と、それぞれ入出力用ワイヤ１８、１９により接続された複数のＦＥＴ１５と、を具備し、入力パッド１３と複数の入力用ワイヤ１８との接触点２０および、出力パッド１４と複数の出力用ワイヤ１９との接触点２１を、それぞれ、入出力パッド上１３、１４における直径がλ／１６である円の内部の領域に集中させる。 （もっと読む）

【課題】広帯域に渡りインピーダンス整合する接続構造を実現すること。
【解決手段】高周波回路チップ１００と伝送線路Ｆとの間に、高周波回路チップに対してワイヤボンディングされ、誘電体上に形成された第１信号線路６１Ｌと、誘電体上において第１信号線路の両側に形成され、誘電体の裏面全体に形成された裏面接地導体と接続された、表面導体５０Ｌの第１部分５１Ｌから成る第１コプレーナ部Ａと、第１コプレーナ部の第１信号線路に接続され、信号の伝送方向に沿った２辺に沿って、裏面接地導体と電気的に接続する複数のビアホールから成る側壁導体と、第１信号線路と連続する表面導体の第２部分と、裏面接地導体と、から成る集積導波管とを有する。第１信号線路と第２部分との接続点を、側壁導体間の幅の中点からずれた位置にすることで、この接続点から高周波回路チップ側を見たインピーダンスと集積導波管側を見たインピーダンスを等しくした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、増幅回路を小型化できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第１の信号入力端子、第１の信号出力端子及び第１の接地端子を有する第１のトランジスタと、第１の給電端子と、前記第１の給電端子と前記第１の信号入力端子の間に接続された第１の抵抗と、前記第１の給電端子と接地点の間に接続された第１のキャパシタと、を備え、前記第１のトランジスタ、前記第１の給電端子、前記第１の抵抗、及び前記第１のキャパシタは、同一のチップに設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

コンパクトな集積電力増幅器について、本明細書に述べられる。例示的な設計では、装置が、（ｉ）電力増幅器用の少なくとも１つのトランジスタを有する集積回路（ＩＣ）ダイと、（ｉｉ）電力増幅器用の負荷インダクタを有するＩＣパッケージとを含む。ＩＣダイは、トランジスタ（複数可）が負荷インダクタの上に配置される状態でＩＣパッケージ上に取り付けられる。例示的な設計では、ＩＣダイは、ＩＣパッケージ上の負荷インダクタの上に置かれるトランジスタマニホールドを含む。トランジスタ（複数可）は、トランジスタマニホールド内に作製され、トランジスタマニホールドの中心にドレイン接続を有し、トランジスタマニホールドの両側にソース接続を有する。ＩＣダイおよびＩＣパッケージは、１つまたは複数の追加の増幅器を含んでよい。各電力増幅器用のトランジスタ（複数可）は、その電力増幅器用の負荷インダクタの上に配置することができる。
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【課題】各電力増幅素子から見込んだインピーダンス整合回路のインピーダンス偏差を低減して、信号の合成効率および出力電力を向上可能なマイクロ波電力増幅器を得る。
【解決手段】同一構造の単位トランジスタ２２ａ〜２２ｄが３つ以上並列に配置されたトランジスタチップ２０と、トランジスタチップ２０の入力側に設けられた入力側インピーダンス整合回路１２と、トランジスタチップ２０の出力側に設けられた出力側インピーダンス整合回路３２と、単位トランジスタ２２ａ〜２２ｄを、入力側インピーダンス整合回路１２および出力側インピーダンス整合回路３２とそれぞれ接続するボンディングワイヤ４１ａ〜４１ｄ、４２ａ〜４２ｄとを備えたマイクロ波電力増幅器であって、ボンディングワイヤ４１ａ〜４１ｄ、４２ａ〜４２ｄの自己インダクタンスと相互インダクタンスとの和が、全ての単位トランジスタ２２ａ〜２２ｄについて互いに等しくされている。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタの高周波領域におけるトランスコンダクタンスの劣化を招くことなく、低消費電力化を図ることが可能な増幅器などの提供。
【解決手段】この発明は、ＭＯＳトランジスタＱ１などを含む増幅器である。ＭＯＳトランジスタＱ１のゲートには第１の入力信号が入力され、ＭＯＳトランジスタＱ１のバルクには第２の入力信号が入力され、ＭＯＳトランジスタＱ１のソースから出力信号が出力される。そして、第１の入力信号と第２の入力信号とは同相の信号である。 （もっと読む）

【課題】ＥＣＭのインピーダンス変換および増幅に、Ｊ−ＦＥＴを入力としバイポーラトランジスタを出力とする増幅素子に、バックゲート構造のＪ−ＦＥＴを用いると、バックゲート−半導体基板間の容量が、増幅素子の入出力間の寄生容量（ミラー容量）となり、増幅素子の入力ロスが増大する問題に対し有効な半導体装置を提供する。
【解決手段】接地されたｐ型半導体基板11にｐ型半導体層12を積層し、ｐ型半導体層12にｎ型チャネル領域22を有するＪ−ＦＥＴと、ｎ型コレクタ領域33ｂを有するバイポーラトランジスタを設けた増幅素子とする。これにより、増幅素子の入出力間の寄生容量が発生しなくなるため、ミラー容量による入力ロスの増大を防止できる。また、Ｊ−ＦＥＴのチャネル領域は、エミツタ拡散31と同時に形成できるため、ＩＤＳＳＳや、ピンチオフ電圧が安定し、増幅素子としての消費電流のばらつきが低減し、生産性が向上する。 （もっと読む）

【課題】差動信号を伝送することを可能としつつ、差動信号のコモン電位を調整する。
【解決手段】電流源ＧｏＰ、ＧｏＮにてそれぞれ生成された差動電流ＩｏＰ、ＩｏＮを差動電圧ＶｏＰ、ＶｏＮに変換する負荷インピーダンスＺＬＰ、ＺＬＮに共通抵抗ＲＣ１を接続し、電流源Ｇｃにて生成された一定の電流Ｉｃを共通抵抗ＲＣ１に供給することで、共通抵抗ＲＣ１に同相電圧を発生させコモン電位Ｖｃｍを設定させる。 （もっと読む）

【課題】接続線路のようなレイアウト寄生成分による帯域劣化を抑制する。
【解決手段】差動分布回路は、入力コプレナー線路ＣＰＷ１Ｐ，ＣＰＷ１Ｎおよび出力コプレナー線路ＣＰＷ２Ｐ，ＣＰＷ２Ｎに沿って配置された複数の差動増幅器とを備える。各差動増幅器は、電流源ＩＳと、トランジスタＱ１Ｐを含む差動半回路ＤＰと、トランジスタＱ１Ｎを含む差動半回路ＤＮと、一端がトランジスタＱ１Ｐのエミッタに接続され、他端が電流源ＩＳに接続された接続線路ＭＥ１Ｐと、一端がトランジスタＱ１Ｎのエミッタに接続され、他端が電流源ＩＳに接続された接続線路ＭＥ１Ｎとから構成される。接続線路ＭＥ１Ｐ，ＭＥ１Ｎは、キャパシタンス成分がインダクタンス成分よりも大きい線路である。 （もっと読む）

【課題】複数の増幅部（例えばキャリア増幅器及びピーク増幅器等）を有する増幅器を小型化することを目的としている。
【解決手段】入力信号が入力される入力部３と、入力信号を複数の信号に分岐させる分岐部４と、分岐部４で分岐された信号を増幅させる第一及び第二増幅部５、６と、第一及び第二増幅部５、６からそれぞれ出力されて合成された信号を出力する出力部９と、第一及び第二増幅部５、６が実装された基板２と、を備えており、第一増幅部５は、基板２の一方の主面２ａに設けられ、第二増幅部６は、基板２の他方の主面２ｂに設けられている。 （もっと読む）