高周波電力増幅器
【課題】高周波電力増幅器の入力端子と増幅回路の入力端子の間で発生するループ発振を抑止することができる高周波電力増幅器を提供する
【解決手段】入力端子２０と入力端子２０により入力された入力信号を分配する複数の分岐端子２１〜２４を有する導体パターン１９を備える分配回路基板４と、各分岐端子からの入力信号をそれぞれ増幅する増幅回路基板５と、増幅回路基板５からの入力信号を合成する合成回路基板６と、を備え、分配回路基板４の導体パターン１９は、絶縁基板に形成された第１導電層１９Ａと、第１導電層１９Ａ上に形成された第２導電層１９Ｂと、第２導電層１９Ｂ上に形成された第３導電層１９Ｃを有し、分配回路基板の導体パターン１９には、入力端子２０から分岐端子２１〜２４が分岐された位置に、第１導電層１９Ａと第２導電層１９Ｂのみからなる抵抗パターン部４１〜４４が形成されている。
【解決手段】入力端子２０と入力端子２０により入力された入力信号を分配する複数の分岐端子２１〜２４を有する導体パターン１９を備える分配回路基板４と、各分岐端子からの入力信号をそれぞれ増幅する増幅回路基板５と、増幅回路基板５からの入力信号を合成する合成回路基板６と、を備え、分配回路基板４の導体パターン１９は、絶縁基板に形成された第１導電層１９Ａと、第１導電層１９Ａ上に形成された第２導電層１９Ｂと、第２導電層１９Ｂ上に形成された第３導電層１９Ｃを有し、分配回路基板の導体パターン１９には、入力端子２０から分岐端子２１〜２４が分岐された位置に、第１導電層１９Ａと第２導電層１９Ｂのみからなる抵抗パターン部４１〜４４が形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力信号を電力増幅する高周波電力増幅器に関し、特に内部で発生するループ発振を抑止する高周波電力増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波電力増幅器は、大電力を得るために入力信号を複数の増幅素子で増幅した後に、増幅された入力信号を合成して出力する。このため、高周波電力増幅器は、入力信号を分配する分配回路と、この分配回路で分配された入力信号を増幅する複数の増幅素子を有する増幅回路と、複数の増幅素子の出力を合成する合成回路とを備えている。このような高周波電力増幅器は、特許文献１に開示されている。
【０００３】
最近になって、高周波電力増幅器はＥ級増幅に用いられることがあり広帯域化されてきており、高調波を使って増幅効率を上げるようになってきている。高周波電力増幅器の後段の合成回路側では、この高調波を反射させて出力端子側には出さない系を作れている。
【０００４】
一方、分配回路の入力端子側の方では、これまでの高周波電力増幅器の方式であると、高周波電力増幅器の入力端子〜分配回路の一方の分岐〜増幅回路〜合成回路の一方の分岐〜高周波電力増幅器の出力端子〜合成回路の他方の分岐〜増幅回路〜分配回路の他方の分岐〜高周波電力増幅器の入力端子に至るループが形成されて、回路条件によっては、このループで発振が起こる場合がある。このループ発振が起こった場合には、それぞれの分配回路の分岐に電気的に接続された増幅素子は互いに逆位相で動作することから、このループ発振をオッドモード発振と呼ぶ。
【０００５】
また、高周波電力増幅器では、高周波電力増幅器の入力端子および出力端子に接続される負荷によっては発振する場合がある。この発振が起こった場合には、増幅回路の複数の増幅素子は同相で動作することから、この発振をイーブンモード発振と呼ぶ。
【０００６】
このイーブンモード発振を防止する方法としては、高周波電力増幅器の入力端子と増幅素子の入力端子の間に直列に抵抗を挿入することが有効である。高周波電力増幅器の増幅回路では、もともと長いチップの上に多くの増幅素子を並べて並列化することで、増幅出力を高くすることが行われている。分配回路の入力端子では、これらの増幅素子に対応して導体パターン部にいちいち１つずつ抵抗を並べて形成するのは作成上大変であることから、単に１つの直列の抵抗を形成している。ところが、複数の増幅素子からの増幅された信号を並列に合成して高出力を得る高周波電力増幅器では、分配回路の複数の分岐同士を導体パターンで繋げてしまうと、この複数の分岐端子と導体パターンで形成されるループには発振防止のための抵抗が存在しないことになり、上述したオッドモード発振を防止することができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８―１６０４４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したように、高周波電力増幅器がＥ級増幅において使われるようになって、目的とする周波数でかなり高い増幅効率の高周波電力増幅器が求められており、目的とする周波数のはるか上の周波数までも対応できるような広帯域の高周波電力増幅器が使われるようになっている。しかし、目的とする周波数のはるか上の周波数は、実際には使われないがこのはるか上の周波数に高調波が乗ってきやすいので、高周波電力増幅器の入力端子と増幅回路の入力端子の間で上述したループ発振が起きやすい。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、高周波電力増幅器の入力端子と増幅回路の入力端子の間で発生するループ発振を抑止することができる高周波電力増幅器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の高周波電力増幅器は、入力端子と前記入力端子により入力された入力信号を分配する複数の分岐端子を有する導体パターンを備える分配回路基板と、
各前記分岐端子からの前記入力信号をそれぞれ増幅する増幅回路基板と、
前記増幅回路基板からの前記入力信号を合成する合成回路基板と、を備え、
前記分配回路基板の前記導体パターンは、絶縁基板に形成された第１導電層と、前記第１導電層上に形成された第２導電層と、前記第２導電層上に形成された第３導電層と、を有し、
前記分配回路基板の前記導体パターンには、前記入力端子から前記分岐端子が分岐された位置に、前記第１導電層と前記第２導電層のみからなる抵抗パターン部が形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、高周波電力増幅器の入力端子と増幅回路の入力端子の間で発生するループ発振を抑止することができる高周波電力増幅器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の高周波電力増幅器の第１実施形態を示す平面図である。
【図２】図１に示す高周波電力増幅器のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】図１に示す高周波電力増幅器をＢ方向から見た側面図である。
【図４】図２に示す分配回路基板と増幅回路基板と合成回路基板と、複数本のボンディングワイヤを示す平面図である。
【図５】図５（Ａ）は、図４に示す分配回路基板上の導体パターンをＣ方向から見た側面図、図５（Ｂ）は、図４に示す分配回路基板上の導体パターンのＤ−Ｄ線における断面図、図５（Ｃ）は、分配回路基板上の導体パターンの斜視図である。
【図６】本発明の高周波電力増幅器の第２実施形態を示す平面図である。
【図７】本発明の高周波電力増幅器の第３実施形態を示す平面図である。
【図８】本発明の高周波電力増幅器の変形例を示す図である。
【図９】本発明の高周波電力増幅器の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１４】
（第１実施形態）
図１は、本発明の高周波電力増幅器の第１実施形態を示す平面図である。図２は、図１に示す高周波電力増幅器のＡ−Ａ線における断面図である。図３は、図１に示す高周波電力増幅器をＢ方向から見た側面図である。
【００１５】
図１に示すように、高周波電力増幅器１は、例えばＥ級増幅に用いることができ、パッケージ２と、入力端子部材３と、分配回路基板４と、増幅回路基板５と、合成回路基板６と、出力端子部材７と、ベース基板８を有する。
【００１６】
図２と図３に示すようにパッケージ２は、ベース基板８の上に配置されており、ベース基板８は、例えば放熱性に優れた材質、ＣｕまたはＣｕ／ＷまたはＣｕ／Ｍｏにより作られている。図２に示すように、ベース基板８の上には、セラミック製の誘電体部材９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄを介してパッケージ２が配置されている。このパッケージ２は、４つの側面部材１０と、これらの側面部材１０上に固定された平面部材１１を有している。側面部材１０と平面部材１１は、例えばコバールにより作られている。誘電体部材９Ａには導体部１２が形成され、導体部１２には入力端子部材３が電気的に接続されている。誘電体部材９Ｂには導体部１３が形成され、導体部１３には出力端子部材７が電気的に接続されている。
【００１７】
図２に示すように、分配回路基板４と増幅回路基板５と合成回路基板６は、ベース基板８上に配置されており、パッケージ２により囲まれて外気からは遮断されている。導体部１２と分配回路基板４は、ボンディングワイヤ１６により電気的に接続されている。分配回路基板４と増幅回路基板５とは、複数本のボンディングワイヤ１４により電気的に接続されている。増幅回路基板５と合成回路基板６とは、複数本のボンディングワイヤ１５により電気的に接続されている。合成回路基板６と導体部１３は、ボンディングワイヤ１７により電気的に接続されている。ボンディングワイヤ１５はボンディングワイヤ１４に比べて数倍以上長い。
【００１８】
図４は、図２に示す分配回路基板４と増幅回路基板５と合成回路基板６と、複数本のボンディングワイヤ１４，１５を示す平面図である。ボンディングワイヤ１４，１５は、例えばＡｕの導体線である。図４に示すように、分配回路基板４と増幅回路基板５と合成回路基板６は、例えば長手方向Ｘに沿って長く形成されたセラミックス製の誘電体基板である。
【００１９】
図４に示す分配回路基板４上には、導体パターン１９が基板の長手方向Ｘに沿って形成されている。この導体パターン１９は、高周波電力増幅器１の入力端子２０と、複数の分岐端子２１，２２，２３，２４と、を有している。入力端子２０は図２に示す入力端子部材３に電気的に接続されている。入力端子２０は入力端子の中間部分１８を介して分岐端子２１，２２，２３，２４に電気的に接続されている。入力端子２０は入力端子の中間部分１８の中間位置からＫ方向に突出するように形成されている。
【００２０】
図５（Ａ）は、図４に示す分配回路基板４上の導体パターン１９をＣ方向から見た側面図であり、図５（Ｂ）は、図４に示す分配回路基板４上の導体パターン１９のＤ−Ｄ線における断面図である。図５（Ｃ）は、分配回路基板４上の導体パターン１９の斜視図である。
【００２１】
図５に示すように、導体パターン１９は、分配回路基板４上に形成された第１導電層１９Ａと、第１導電層１９Ａの上に形成された第２導電層１９Ｂと、第２導電層１９Ｂの上に形成された第３導電層１９Ｃとを有している。第１導電層１９Ａは例えばＮｉであり、第２導電層１９Ｂは例えばタンタルであり、第３導電層１９Ｃは例えばＡｕである。第１導電層１９Ａは最下層であり、第２導電層１９Ｂは中間層であり、第３導電層１９Ｃは最上層である。
【００２２】
図４と図５（Ａ）に示すように、導体パターン１９の入力端子の中間部分１８は、基板の長手方向Ｘに沿って連続に形成されている。分岐端子２１，２２，２３，２４は、切り欠き部３１，３２，３３を設けることにより、入力端子の中間部分１８に対して４つに分岐されており、基板の長手方向Ｘに沿って配列されている。
【００２３】
図４と図５（Ｂ）に示すように、分岐端子２１，２２，２３，２４に対応する位置には、それぞれ抵抗パターン部４１，４２，４３，４４が形成されている。これらの抵抗パターン部４１，４２，４３，４４はスリット（溝）状の部分であり、各抵抗パターン部４１，４２，４３，４４は基板の長手方向Ｘに沿って直列に形成されている。
【００２４】
図５（Ｃ）に示すように、各抵抗パターン部４１，４２，４３，４４の基板の長手方向Ｘの長さＭは、分岐端子２１，２２，２３，２４の基板の長手方向Ｘの長さＮと同じである。入力端子の中間部分１８の全長Ｓは、分岐端子２１，２２，２３，２４の各長さＮと切り欠き部３１，３２，３３の各長さＧを加えた長さである。
【００２５】
図４と図５（Ｂ）と図５（Ｃ）に示すように、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４は、対応する分岐端子２１，２２，２３，２４と入力端子２０の間に、基板の長手方向Ｘに沿ってそれぞれ形成されている。
【００２６】
抵抗パターン部４１，４２，４３，４４は、図５（Ｂ）と図５（Ｃ）に示すように、第１導電層１９Ａと第２導電層１９Ｂを残した状態で、第３導電層１９Ｃだけを除去することで形成されている。すなわち、入力端子２０と分岐端子２１，２２，２３，２４の間に分岐端子２１，２２，２３，２４に対応して、第１導電層１９Ａと第２導電層１９Ｂだけからなる抵抗パターン部４１，４２，４３，４４が形成されている。これにより、第３導電層１９Ｃだけを除去しているので、第１導電層１９Ａと第２導電層１９Ｂと第３導電層１９Ｃがすべて形成されている入力端子の中間部分１８の電気抵抗値と各分岐端子２１，２２，２３，２４の電気抵抗値に比べて、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４では電流が通り断面積が減少することから電気抵抗値を増加させることができる。
【００２７】
このように、導体パターン１９の入力端子の中間部分１８と分岐端子２１，２２，２３，２４は、第１導電層１９Ａと第２導電層１９Ｂと第３導電層１９Ｃにより形成されているが、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４は、第１導電層１９Ａと第２導電層１９Ｂだけで形成されて第３導電層１９Ｃが除去されているので、電気抵抗値を増加させることができる。
【００２８】
図４に示す抵抗パターン部４１，４２，４３，４４は、入力信号を導通する方向である信号導通方向Ｔに対して垂直に横切る方向（基板の長手方向Ｘ）に沿って形成されている。すなわち、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４は、高周波電力増幅器１の入力端子２０および入力端子の中間部分１８と、複数の分岐端子２１，２２，２３，２４との間に挿入されるようにして形成されている。
【００２９】
図４に示す増幅回路基板５には、増幅素子であるトランジスタ素子５１，５２，５３，５４が形成されている。トランジスタ素子５１，５２，５３，５４は、例えば電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）であり、分岐端子２１，２２，２３，２４にそれぞれ対応している。分岐端子２１，２２，２３，２４は、増幅回路基板５のトランジスタ素子５１，５２，５３，５４の入力端子に対してそれぞれボンディングワイヤ１４により電気的に接続されている。
【００３０】
また、図４に示すように、合成回路基板６と増幅回路基板５の間隔は、分配回路基板４と増幅回路基板５の間隔に比べて大きくなっている。合成回路基板６の上には導体パターン６０が、基板の長手方向Ｘに沿って形成されており、増幅回路基板５のトランジスタ素子５１，５２，５３，５４の出力端子は、合成回路基板６の導体パターン６０に対してそれぞれボンディングワイヤ１５により電気的に接続されている。ボンディングワイヤ１５の長さは、ボンディングワイヤ１４の長さに比べて数倍以上長い。
【００３１】
次に、上述した高周波電力増幅器１の動作を説明する。
【００３２】
図１に示す高周波電力増幅器１では、高周波の入力信号が入力端子部材３から図４に示す分配回路基板４の入力端子２０に入力されて、入力端子の中間部分１８を通り分岐端子２１，２２，２３，２４により分配される。分配された入力信号は、ボンディングワイヤ１４を通じて増幅回路基板５の対応するトランジスタ素子５１，５２，５３，５４によりそれぞれ電力増幅される。電力増幅された入力信号は、ボンディングワイヤ１４を通じて合成回路基板６において合成される。
【００３３】
図４に示す高周波電力増幅器１の分配回路基板４では、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４が対応する分岐端子２１，２２，２３，２４と入力端子の中間部分１８の間に、基板の長手方向Ｘに沿ってそれぞれ形成されている。分配回路基板４の導体パターン１９には、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４が、信号導通方向Ｔに垂直に横切る方向（基板の長手方向Ｘ）に沿って形成されており、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４では、入力端子２０と分岐端子２１，２２，２３，２４に比べて電気抵抗値が大きくなるように設定されている。
【００３４】
このように、分配回路基板４の入力端子２０と増幅回路基板５のトランジスタ素子５１，５２，５３，５４の間において、図５（Ｂ）と図５（Ｃ）に示すように第３導電層１９Ｃを除去することで抵抗パターン部４１，４２，４３，４４が形成されている。入力端子２０と増幅回路基板５の入力端子の間に抵抗パターン部４１，４２，４３，４４が形成されているので、高周波電力増幅器のイーブンモード発振を防止できる。
【００３５】
しかも、図４と図５（Ｃ）に示すように、分配回路基板４の入力端子の中間部分１８から分岐端子２１，２２，２３，２４が分岐した後の位置であって、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４が分岐端子２１，２２，２３，２４にそれぞれ対応する位置に配置されている。つまり、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４は分岐端子２１，２２，２３，２４に対してそれぞれ対応して形成され、分岐端子２１，２２，２３，２４は入力端子２０と入力端子の中間部分１８に対してそれぞれ抵抗パターン部４１，４２，４３，４４を介在させているので、抵抗が挿入されないループが構成されてしまうことがなく、この抵抗パターン部４１，４２，４３，４４が高周波電力増幅器のオッドモード発振をも防止することができる。
【００３６】
次に説明する本発明の第２実施形態と第３実施形態の高周波電力増幅器および変形例の高周波電力増幅器の箇所が、図４に示す高周波電力増幅器１の対応する箇所と実質的に同じである場合には、同じ符号を記して、その説明を用いることにする。
（第２実施形態）
図６は、本発明の高周波電力増幅器の第２実施形態を示す平面図である。図６に示す高周波電力増幅器１Ａが、図４に示す高周波電力増幅器１と比較して異なるのは、抵抗パターン部１４１の長さである。
【００３７】
図４に示す各抵抗パターン部４１，４２，４３，４４の基板の長手方向Ｘの長さＭは、分岐端子２１，２２，２３，２４の基板の長手方向Ｘの長さＮと同じに設定されていて、各抵抗パターン部４１，４２，４３，４４は切り欠き部３１，３２，３３により互いに離れて形成されている。
【００３８】
これに対して、図６に示す抵抗パターン部１４１は、基板の長手方向Ｘに沿って導体パターン１９の一端部から他端部まで切れ目なく形成されており、抵抗パターン部１４１は分岐端子２１，２２，２３，２４毎に対応して分離して形成されていない。抵抗パターン部１４１は、分配回路基板４の入力端子の中間部分１８から分岐端子２１，２２，２３，２４が分岐した後の位置に形成されている。図６に示す高周波電力増幅器１Ａも図４に示す高周波電力増幅器１と同様な効果を発揮できる。
【００３９】
（第３実施形態）
図７は、本発明の高周波電力増幅器の第３実施形態を示す平面図である。図７に示す高周波電力増幅器１Ｂが、図４に示す高周波電力増幅器１と比較して異なるのは、分配回路基板４と増幅回路基板５の間に整合回路部７０が挿入されていることである。
【００４０】
整合回路部７０は、平行平板コンデンサ７１と、ボンディングワイヤ７２，７３から成る。分岐端子２１，２２，２３，２４は、平行平板コンデンサ７１のコンデンサ部７１Ｃに対してボンディングワイヤ７２によりそれぞれ電気的に接続されている。増幅回路基板５のトランジスタ素子５１，５２，５３，５４の入力端子は、平行平板コンデンサ７１のコンデンサ部７１Ｃに対してボンディングワイヤ７３により電気的に接続されている。整合回路部７０は、分配回路基板４と増幅回路基板５のインピーダンス整合を取るために配置され、イーブンモード発振は抑止できるがオットモード発振し易い。通常整合回路部７０が挿入されることにより位相回転が大きくなるのでよりループ発振が起こり易い。
【００４１】
しかし、分配回路基板４の入力端子２０と増幅回路基板５のトランジスタ素子５１，５２，５３，５４の間において、図５（Ｂ）と図５（Ｃ）に示すように第３導電層１９Ｃを除去することで抵抗パターン部４１，４２，４３，４４が形成されているので、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４がループ内に存在していることから、イーブンモード発振を防止できる。
【００４２】
しかも、分配回路基板４の入力端子の中間部分１８から分岐端子２１，２２，２３，２４が分岐した後の位置であって、抵抗パターン部１４１が分岐端子２１，２２，２３，２４にそれぞれ対応する位置に配置されている。つまり、抵抗パターン部１４１は分岐端子２１，２２，２３，２４に対して対応して形成され、分岐端子２１，２２，２３，２４は入力端子２０と入力端子の中間部分１８に対してそれぞれ抵抗パターン部１４１を介在させているので、抵抗が挿入されないループが構成されてしまうことがなく、この抵抗パターン部１４１が高周波電力増幅器のオッドモード発振をも防止することができる。
【００４３】
図８と図９は、本発明の高周波電力増幅器の変形例を示している。
【００４４】
図８に示す高周波電力増幅器１Ｃでは、増幅回路基板５と合成回路基板６の間に整合回路部８０が挿入されている。整合回路部８０は、平行平板コンデンサ８１と、ボンディングワイヤ８２，８３から成る。増幅回路基板５のトランジスタ素子５１，５２，５３，５４の入力端子は平行平板コンデンサ８１のコンデンサ部８１Ｃに対してそれぞれボンディングワイヤ８２により電気的に接続されている。平行平板コンデンサ８１のコンデンサ部８１Ｃは合成回路基板６の導体パターン６０に対してそれぞれボンディングワイヤ８３により電気的に接続されている。整合回路部８０が挿入されることで、高調波を反射させて高調波が出力端子６２側に出るのを防いで出力信号の出力効率を上げる。
【００４５】
図９に示す高周波電力増幅器１Ｄでは、図６に示す合成回路基板６に代えて、信号合成基板８５が配置されている。信号合成基板８５はコンデンサである。増幅回路基板５のトランジスタ素子５１，５２，５３，５４の出力端子は信号合成基板８５に対してそれぞれボンディングワイヤ９０により電気的に接続されている。
【００４６】
本発明の高周波電力増幅器では、入力端子側に抵抗パターン部を形成することが目的であるので、出力端子側では上述した変形例のような構成を採用でき、出力端子側には抵抗パターン部を形成しないことで、効率よく高周波電力増幅させる。
【００４７】
本発明の高周波電力増幅器は、入力端子と前記入力端子により入力された入力信号を分配する複数の分岐端子を有する導体パターンを備える分配回路基板と、各前記分岐端子からの前記入力信号をそれぞれ増幅する増幅回路基板と、前記増幅回路基板からの前記入力信号を合成する合成回路基板と、を備え、前記分配回路基板の前記導体パターンは、絶縁基板に形成された第１導電層と、前記第１導電層上に形成された第２導電層と、前記第２導電層上に形成された第３導電層と、を有し、前記分配回路基板の前記導体パターンには、前記入力端子から前記分岐端子が分岐された位置に、前記第１導電層と前記第２導電層のみからなる抵抗パターン部が形成されていることを特徴とする。
【００４８】
これにより、抵抗パターン部がループ内に存在していることから、イーブンモード発振を防止できる。しかも、分岐端子は入力端子２０と入力端子に対して抵抗パターン部を介在させているので、抵抗が挿入されないループが構成されてしまうことがなく、この抵抗パターン部が高周波電力増幅器のオッドモード発振をも防止することができる。
【００４９】
本発明は、上記実施形態に限定されない。本発明の高周波電力増幅器はＥ級増幅だけでなくＦ級増幅に用いることもできる。図示の実施形態では、分配回路基板４が４つの分岐端子２１〜２４を有しているが、これに限らず４つを超える分岐端子を形成しても良い。
【００５０】
さらに、本発明の実施の形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることにより種々の発明を形成できる。例えば、本発明の実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００５１】
１・・・高周波電力増幅器、２・・・パッケージ、４・・・分配回路基板、５・・・増幅回路基板、６・・・合成回路基板、８・・・ベース基板、１４，１５・・ボンディングワイヤ、１８・・・中間部分、１９・・・導体パターン、１９Ａ・・・第１導電層、１９Ｂ・・・第２導電層、１９Ｃ・・・第３導電層、２１，２２，２３，２４・・・分岐端子、４１，４２，４３，４４・・・抵抗パターン部、Ｔ・・・信号導通方向、Ｘ・・・基板の長手方向Ｘ、５１，５２，５３，５４・・・トランジスタ素子（増幅素子）、
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力信号を電力増幅する高周波電力増幅器に関し、特に内部で発生するループ発振を抑止する高周波電力増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波電力増幅器は、大電力を得るために入力信号を複数の増幅素子で増幅した後に、増幅された入力信号を合成して出力する。このため、高周波電力増幅器は、入力信号を分配する分配回路と、この分配回路で分配された入力信号を増幅する複数の増幅素子を有する増幅回路と、複数の増幅素子の出力を合成する合成回路とを備えている。このような高周波電力増幅器は、特許文献１に開示されている。
【０００３】
最近になって、高周波電力増幅器はＥ級増幅に用いられることがあり広帯域化されてきており、高調波を使って増幅効率を上げるようになってきている。高周波電力増幅器の後段の合成回路側では、この高調波を反射させて出力端子側には出さない系を作れている。
【０００４】
一方、分配回路の入力端子側の方では、これまでの高周波電力増幅器の方式であると、高周波電力増幅器の入力端子〜分配回路の一方の分岐〜増幅回路〜合成回路の一方の分岐〜高周波電力増幅器の出力端子〜合成回路の他方の分岐〜増幅回路〜分配回路の他方の分岐〜高周波電力増幅器の入力端子に至るループが形成されて、回路条件によっては、このループで発振が起こる場合がある。このループ発振が起こった場合には、それぞれの分配回路の分岐に電気的に接続された増幅素子は互いに逆位相で動作することから、このループ発振をオッドモード発振と呼ぶ。
【０００５】
また、高周波電力増幅器では、高周波電力増幅器の入力端子および出力端子に接続される負荷によっては発振する場合がある。この発振が起こった場合には、増幅回路の複数の増幅素子は同相で動作することから、この発振をイーブンモード発振と呼ぶ。
【０００６】
このイーブンモード発振を防止する方法としては、高周波電力増幅器の入力端子と増幅素子の入力端子の間に直列に抵抗を挿入することが有効である。高周波電力増幅器の増幅回路では、もともと長いチップの上に多くの増幅素子を並べて並列化することで、増幅出力を高くすることが行われている。分配回路の入力端子では、これらの増幅素子に対応して導体パターン部にいちいち１つずつ抵抗を並べて形成するのは作成上大変であることから、単に１つの直列の抵抗を形成している。ところが、複数の増幅素子からの増幅された信号を並列に合成して高出力を得る高周波電力増幅器では、分配回路の複数の分岐同士を導体パターンで繋げてしまうと、この複数の分岐端子と導体パターンで形成されるループには発振防止のための抵抗が存在しないことになり、上述したオッドモード発振を防止することができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８―１６０４４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したように、高周波電力増幅器がＥ級増幅において使われるようになって、目的とする周波数でかなり高い増幅効率の高周波電力増幅器が求められており、目的とする周波数のはるか上の周波数までも対応できるような広帯域の高周波電力増幅器が使われるようになっている。しかし、目的とする周波数のはるか上の周波数は、実際には使われないがこのはるか上の周波数に高調波が乗ってきやすいので、高周波電力増幅器の入力端子と増幅回路の入力端子の間で上述したループ発振が起きやすい。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、高周波電力増幅器の入力端子と増幅回路の入力端子の間で発生するループ発振を抑止することができる高周波電力増幅器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の高周波電力増幅器は、入力端子と前記入力端子により入力された入力信号を分配する複数の分岐端子を有する導体パターンを備える分配回路基板と、
各前記分岐端子からの前記入力信号をそれぞれ増幅する増幅回路基板と、
前記増幅回路基板からの前記入力信号を合成する合成回路基板と、を備え、
前記分配回路基板の前記導体パターンは、絶縁基板に形成された第１導電層と、前記第１導電層上に形成された第２導電層と、前記第２導電層上に形成された第３導電層と、を有し、
前記分配回路基板の前記導体パターンには、前記入力端子から前記分岐端子が分岐された位置に、前記第１導電層と前記第２導電層のみからなる抵抗パターン部が形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、高周波電力増幅器の入力端子と増幅回路の入力端子の間で発生するループ発振を抑止することができる高周波電力増幅器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の高周波電力増幅器の第１実施形態を示す平面図である。
【図２】図１に示す高周波電力増幅器のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】図１に示す高周波電力増幅器をＢ方向から見た側面図である。
【図４】図２に示す分配回路基板と増幅回路基板と合成回路基板と、複数本のボンディングワイヤを示す平面図である。
【図５】図５（Ａ）は、図４に示す分配回路基板上の導体パターンをＣ方向から見た側面図、図５（Ｂ）は、図４に示す分配回路基板上の導体パターンのＤ−Ｄ線における断面図、図５（Ｃ）は、分配回路基板上の導体パターンの斜視図である。
【図６】本発明の高周波電力増幅器の第２実施形態を示す平面図である。
【図７】本発明の高周波電力増幅器の第３実施形態を示す平面図である。
【図８】本発明の高周波電力増幅器の変形例を示す図である。
【図９】本発明の高周波電力増幅器の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１４】
（第１実施形態）
図１は、本発明の高周波電力増幅器の第１実施形態を示す平面図である。図２は、図１に示す高周波電力増幅器のＡ−Ａ線における断面図である。図３は、図１に示す高周波電力増幅器をＢ方向から見た側面図である。
【００１５】
図１に示すように、高周波電力増幅器１は、例えばＥ級増幅に用いることができ、パッケージ２と、入力端子部材３と、分配回路基板４と、増幅回路基板５と、合成回路基板６と、出力端子部材７と、ベース基板８を有する。
【００１６】
図２と図３に示すようにパッケージ２は、ベース基板８の上に配置されており、ベース基板８は、例えば放熱性に優れた材質、ＣｕまたはＣｕ／ＷまたはＣｕ／Ｍｏにより作られている。図２に示すように、ベース基板８の上には、セラミック製の誘電体部材９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄを介してパッケージ２が配置されている。このパッケージ２は、４つの側面部材１０と、これらの側面部材１０上に固定された平面部材１１を有している。側面部材１０と平面部材１１は、例えばコバールにより作られている。誘電体部材９Ａには導体部１２が形成され、導体部１２には入力端子部材３が電気的に接続されている。誘電体部材９Ｂには導体部１３が形成され、導体部１３には出力端子部材７が電気的に接続されている。
【００１７】
図２に示すように、分配回路基板４と増幅回路基板５と合成回路基板６は、ベース基板８上に配置されており、パッケージ２により囲まれて外気からは遮断されている。導体部１２と分配回路基板４は、ボンディングワイヤ１６により電気的に接続されている。分配回路基板４と増幅回路基板５とは、複数本のボンディングワイヤ１４により電気的に接続されている。増幅回路基板５と合成回路基板６とは、複数本のボンディングワイヤ１５により電気的に接続されている。合成回路基板６と導体部１３は、ボンディングワイヤ１７により電気的に接続されている。ボンディングワイヤ１５はボンディングワイヤ１４に比べて数倍以上長い。
【００１８】
図４は、図２に示す分配回路基板４と増幅回路基板５と合成回路基板６と、複数本のボンディングワイヤ１４，１５を示す平面図である。ボンディングワイヤ１４，１５は、例えばＡｕの導体線である。図４に示すように、分配回路基板４と増幅回路基板５と合成回路基板６は、例えば長手方向Ｘに沿って長く形成されたセラミックス製の誘電体基板である。
【００１９】
図４に示す分配回路基板４上には、導体パターン１９が基板の長手方向Ｘに沿って形成されている。この導体パターン１９は、高周波電力増幅器１の入力端子２０と、複数の分岐端子２１，２２，２３，２４と、を有している。入力端子２０は図２に示す入力端子部材３に電気的に接続されている。入力端子２０は入力端子の中間部分１８を介して分岐端子２１，２２，２３，２４に電気的に接続されている。入力端子２０は入力端子の中間部分１８の中間位置からＫ方向に突出するように形成されている。
【００２０】
図５（Ａ）は、図４に示す分配回路基板４上の導体パターン１９をＣ方向から見た側面図であり、図５（Ｂ）は、図４に示す分配回路基板４上の導体パターン１９のＤ−Ｄ線における断面図である。図５（Ｃ）は、分配回路基板４上の導体パターン１９の斜視図である。
【００２１】
図５に示すように、導体パターン１９は、分配回路基板４上に形成された第１導電層１９Ａと、第１導電層１９Ａの上に形成された第２導電層１９Ｂと、第２導電層１９Ｂの上に形成された第３導電層１９Ｃとを有している。第１導電層１９Ａは例えばＮｉであり、第２導電層１９Ｂは例えばタンタルであり、第３導電層１９Ｃは例えばＡｕである。第１導電層１９Ａは最下層であり、第２導電層１９Ｂは中間層であり、第３導電層１９Ｃは最上層である。
【００２２】
図４と図５（Ａ）に示すように、導体パターン１９の入力端子の中間部分１８は、基板の長手方向Ｘに沿って連続に形成されている。分岐端子２１，２２，２３，２４は、切り欠き部３１，３２，３３を設けることにより、入力端子の中間部分１８に対して４つに分岐されており、基板の長手方向Ｘに沿って配列されている。
【００２３】
図４と図５（Ｂ）に示すように、分岐端子２１，２２，２３，２４に対応する位置には、それぞれ抵抗パターン部４１，４２，４３，４４が形成されている。これらの抵抗パターン部４１，４２，４３，４４はスリット（溝）状の部分であり、各抵抗パターン部４１，４２，４３，４４は基板の長手方向Ｘに沿って直列に形成されている。
【００２４】
図５（Ｃ）に示すように、各抵抗パターン部４１，４２，４３，４４の基板の長手方向Ｘの長さＭは、分岐端子２１，２２，２３，２４の基板の長手方向Ｘの長さＮと同じである。入力端子の中間部分１８の全長Ｓは、分岐端子２１，２２，２３，２４の各長さＮと切り欠き部３１，３２，３３の各長さＧを加えた長さである。
【００２５】
図４と図５（Ｂ）と図５（Ｃ）に示すように、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４は、対応する分岐端子２１，２２，２３，２４と入力端子２０の間に、基板の長手方向Ｘに沿ってそれぞれ形成されている。
【００２６】
抵抗パターン部４１，４２，４３，４４は、図５（Ｂ）と図５（Ｃ）に示すように、第１導電層１９Ａと第２導電層１９Ｂを残した状態で、第３導電層１９Ｃだけを除去することで形成されている。すなわち、入力端子２０と分岐端子２１，２２，２３，２４の間に分岐端子２１，２２，２３，２４に対応して、第１導電層１９Ａと第２導電層１９Ｂだけからなる抵抗パターン部４１，４２，４３，４４が形成されている。これにより、第３導電層１９Ｃだけを除去しているので、第１導電層１９Ａと第２導電層１９Ｂと第３導電層１９Ｃがすべて形成されている入力端子の中間部分１８の電気抵抗値と各分岐端子２１，２２，２３，２４の電気抵抗値に比べて、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４では電流が通り断面積が減少することから電気抵抗値を増加させることができる。
【００２７】
このように、導体パターン１９の入力端子の中間部分１８と分岐端子２１，２２，２３，２４は、第１導電層１９Ａと第２導電層１９Ｂと第３導電層１９Ｃにより形成されているが、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４は、第１導電層１９Ａと第２導電層１９Ｂだけで形成されて第３導電層１９Ｃが除去されているので、電気抵抗値を増加させることができる。
【００２８】
図４に示す抵抗パターン部４１，４２，４３，４４は、入力信号を導通する方向である信号導通方向Ｔに対して垂直に横切る方向（基板の長手方向Ｘ）に沿って形成されている。すなわち、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４は、高周波電力増幅器１の入力端子２０および入力端子の中間部分１８と、複数の分岐端子２１，２２，２３，２４との間に挿入されるようにして形成されている。
【００２９】
図４に示す増幅回路基板５には、増幅素子であるトランジスタ素子５１，５２，５３，５４が形成されている。トランジスタ素子５１，５２，５３，５４は、例えば電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）であり、分岐端子２１，２２，２３，２４にそれぞれ対応している。分岐端子２１，２２，２３，２４は、増幅回路基板５のトランジスタ素子５１，５２，５３，５４の入力端子に対してそれぞれボンディングワイヤ１４により電気的に接続されている。
【００３０】
また、図４に示すように、合成回路基板６と増幅回路基板５の間隔は、分配回路基板４と増幅回路基板５の間隔に比べて大きくなっている。合成回路基板６の上には導体パターン６０が、基板の長手方向Ｘに沿って形成されており、増幅回路基板５のトランジスタ素子５１，５２，５３，５４の出力端子は、合成回路基板６の導体パターン６０に対してそれぞれボンディングワイヤ１５により電気的に接続されている。ボンディングワイヤ１５の長さは、ボンディングワイヤ１４の長さに比べて数倍以上長い。
【００３１】
次に、上述した高周波電力増幅器１の動作を説明する。
【００３２】
図１に示す高周波電力増幅器１では、高周波の入力信号が入力端子部材３から図４に示す分配回路基板４の入力端子２０に入力されて、入力端子の中間部分１８を通り分岐端子２１，２２，２３，２４により分配される。分配された入力信号は、ボンディングワイヤ１４を通じて増幅回路基板５の対応するトランジスタ素子５１，５２，５３，５４によりそれぞれ電力増幅される。電力増幅された入力信号は、ボンディングワイヤ１４を通じて合成回路基板６において合成される。
【００３３】
図４に示す高周波電力増幅器１の分配回路基板４では、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４が対応する分岐端子２１，２２，２３，２４と入力端子の中間部分１８の間に、基板の長手方向Ｘに沿ってそれぞれ形成されている。分配回路基板４の導体パターン１９には、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４が、信号導通方向Ｔに垂直に横切る方向（基板の長手方向Ｘ）に沿って形成されており、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４では、入力端子２０と分岐端子２１，２２，２３，２４に比べて電気抵抗値が大きくなるように設定されている。
【００３４】
このように、分配回路基板４の入力端子２０と増幅回路基板５のトランジスタ素子５１，５２，５３，５４の間において、図５（Ｂ）と図５（Ｃ）に示すように第３導電層１９Ｃを除去することで抵抗パターン部４１，４２，４３，４４が形成されている。入力端子２０と増幅回路基板５の入力端子の間に抵抗パターン部４１，４２，４３，４４が形成されているので、高周波電力増幅器のイーブンモード発振を防止できる。
【００３５】
しかも、図４と図５（Ｃ）に示すように、分配回路基板４の入力端子の中間部分１８から分岐端子２１，２２，２３，２４が分岐した後の位置であって、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４が分岐端子２１，２２，２３，２４にそれぞれ対応する位置に配置されている。つまり、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４は分岐端子２１，２２，２３，２４に対してそれぞれ対応して形成され、分岐端子２１，２２，２３，２４は入力端子２０と入力端子の中間部分１８に対してそれぞれ抵抗パターン部４１，４２，４３，４４を介在させているので、抵抗が挿入されないループが構成されてしまうことがなく、この抵抗パターン部４１，４２，４３，４４が高周波電力増幅器のオッドモード発振をも防止することができる。
【００３６】
次に説明する本発明の第２実施形態と第３実施形態の高周波電力増幅器および変形例の高周波電力増幅器の箇所が、図４に示す高周波電力増幅器１の対応する箇所と実質的に同じである場合には、同じ符号を記して、その説明を用いることにする。
（第２実施形態）
図６は、本発明の高周波電力増幅器の第２実施形態を示す平面図である。図６に示す高周波電力増幅器１Ａが、図４に示す高周波電力増幅器１と比較して異なるのは、抵抗パターン部１４１の長さである。
【００３７】
図４に示す各抵抗パターン部４１，４２，４３，４４の基板の長手方向Ｘの長さＭは、分岐端子２１，２２，２３，２４の基板の長手方向Ｘの長さＮと同じに設定されていて、各抵抗パターン部４１，４２，４３，４４は切り欠き部３１，３２，３３により互いに離れて形成されている。
【００３８】
これに対して、図６に示す抵抗パターン部１４１は、基板の長手方向Ｘに沿って導体パターン１９の一端部から他端部まで切れ目なく形成されており、抵抗パターン部１４１は分岐端子２１，２２，２３，２４毎に対応して分離して形成されていない。抵抗パターン部１４１は、分配回路基板４の入力端子の中間部分１８から分岐端子２１，２２，２３，２４が分岐した後の位置に形成されている。図６に示す高周波電力増幅器１Ａも図４に示す高周波電力増幅器１と同様な効果を発揮できる。
【００３９】
（第３実施形態）
図７は、本発明の高周波電力増幅器の第３実施形態を示す平面図である。図７に示す高周波電力増幅器１Ｂが、図４に示す高周波電力増幅器１と比較して異なるのは、分配回路基板４と増幅回路基板５の間に整合回路部７０が挿入されていることである。
【００４０】
整合回路部７０は、平行平板コンデンサ７１と、ボンディングワイヤ７２，７３から成る。分岐端子２１，２２，２３，２４は、平行平板コンデンサ７１のコンデンサ部７１Ｃに対してボンディングワイヤ７２によりそれぞれ電気的に接続されている。増幅回路基板５のトランジスタ素子５１，５２，５３，５４の入力端子は、平行平板コンデンサ７１のコンデンサ部７１Ｃに対してボンディングワイヤ７３により電気的に接続されている。整合回路部７０は、分配回路基板４と増幅回路基板５のインピーダンス整合を取るために配置され、イーブンモード発振は抑止できるがオットモード発振し易い。通常整合回路部７０が挿入されることにより位相回転が大きくなるのでよりループ発振が起こり易い。
【００４１】
しかし、分配回路基板４の入力端子２０と増幅回路基板５のトランジスタ素子５１，５２，５３，５４の間において、図５（Ｂ）と図５（Ｃ）に示すように第３導電層１９Ｃを除去することで抵抗パターン部４１，４２，４３，４４が形成されているので、抵抗パターン部４１，４２，４３，４４がループ内に存在していることから、イーブンモード発振を防止できる。
【００４２】
しかも、分配回路基板４の入力端子の中間部分１８から分岐端子２１，２２，２３，２４が分岐した後の位置であって、抵抗パターン部１４１が分岐端子２１，２２，２３，２４にそれぞれ対応する位置に配置されている。つまり、抵抗パターン部１４１は分岐端子２１，２２，２３，２４に対して対応して形成され、分岐端子２１，２２，２３，２４は入力端子２０と入力端子の中間部分１８に対してそれぞれ抵抗パターン部１４１を介在させているので、抵抗が挿入されないループが構成されてしまうことがなく、この抵抗パターン部１４１が高周波電力増幅器のオッドモード発振をも防止することができる。
【００４３】
図８と図９は、本発明の高周波電力増幅器の変形例を示している。
【００４４】
図８に示す高周波電力増幅器１Ｃでは、増幅回路基板５と合成回路基板６の間に整合回路部８０が挿入されている。整合回路部８０は、平行平板コンデンサ８１と、ボンディングワイヤ８２，８３から成る。増幅回路基板５のトランジスタ素子５１，５２，５３，５４の入力端子は平行平板コンデンサ８１のコンデンサ部８１Ｃに対してそれぞれボンディングワイヤ８２により電気的に接続されている。平行平板コンデンサ８１のコンデンサ部８１Ｃは合成回路基板６の導体パターン６０に対してそれぞれボンディングワイヤ８３により電気的に接続されている。整合回路部８０が挿入されることで、高調波を反射させて高調波が出力端子６２側に出るのを防いで出力信号の出力効率を上げる。
【００４５】
図９に示す高周波電力増幅器１Ｄでは、図６に示す合成回路基板６に代えて、信号合成基板８５が配置されている。信号合成基板８５はコンデンサである。増幅回路基板５のトランジスタ素子５１，５２，５３，５４の出力端子は信号合成基板８５に対してそれぞれボンディングワイヤ９０により電気的に接続されている。
【００４６】
本発明の高周波電力増幅器では、入力端子側に抵抗パターン部を形成することが目的であるので、出力端子側では上述した変形例のような構成を採用でき、出力端子側には抵抗パターン部を形成しないことで、効率よく高周波電力増幅させる。
【００４７】
本発明の高周波電力増幅器は、入力端子と前記入力端子により入力された入力信号を分配する複数の分岐端子を有する導体パターンを備える分配回路基板と、各前記分岐端子からの前記入力信号をそれぞれ増幅する増幅回路基板と、前記増幅回路基板からの前記入力信号を合成する合成回路基板と、を備え、前記分配回路基板の前記導体パターンは、絶縁基板に形成された第１導電層と、前記第１導電層上に形成された第２導電層と、前記第２導電層上に形成された第３導電層と、を有し、前記分配回路基板の前記導体パターンには、前記入力端子から前記分岐端子が分岐された位置に、前記第１導電層と前記第２導電層のみからなる抵抗パターン部が形成されていることを特徴とする。
【００４８】
これにより、抵抗パターン部がループ内に存在していることから、イーブンモード発振を防止できる。しかも、分岐端子は入力端子２０と入力端子に対して抵抗パターン部を介在させているので、抵抗が挿入されないループが構成されてしまうことがなく、この抵抗パターン部が高周波電力増幅器のオッドモード発振をも防止することができる。
【００４９】
本発明は、上記実施形態に限定されない。本発明の高周波電力増幅器はＥ級増幅だけでなくＦ級増幅に用いることもできる。図示の実施形態では、分配回路基板４が４つの分岐端子２１〜２４を有しているが、これに限らず４つを超える分岐端子を形成しても良い。
【００５０】
さらに、本発明の実施の形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることにより種々の発明を形成できる。例えば、本発明の実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００５１】
１・・・高周波電力増幅器、２・・・パッケージ、４・・・分配回路基板、５・・・増幅回路基板、６・・・合成回路基板、８・・・ベース基板、１４，１５・・ボンディングワイヤ、１８・・・中間部分、１９・・・導体パターン、１９Ａ・・・第１導電層、１９Ｂ・・・第２導電層、１９Ｃ・・・第３導電層、２１，２２，２３，２４・・・分岐端子、４１，４２，４３，４４・・・抵抗パターン部、Ｔ・・・信号導通方向、Ｘ・・・基板の長手方向Ｘ、５１，５２，５３，５４・・・トランジスタ素子（増幅素子）、
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子と前記入力端子により入力された入力信号を分配する複数の分岐端子を有する導体パターンを備える分配回路基板と、
各前記分岐端子からの前記入力信号をそれぞれ増幅する増幅回路基板と、
前記増幅回路基板からの前記入力信号を合成する合成回路基板と、を備え、
前記分配回路基板の前記導体パターンは、絶縁基板に形成された第１導電層と、前記第１導電層上に形成された第２導電層と、前記第２導電層上に形成された第３導電層と、を有し、
前記分配回路基板の前記導体パターンには、前記入力端子から前記分岐端子が分岐された位置に、前記第１導電層と前記第２導電層のみからなる抵抗パターン部が形成されていることを特徴とする高周波電力増幅器。
【請求項２】
前記分配回路基板の複数の前記分岐端子と前記増幅回路基板との間には、整合回路が挿入され、前記整合回路は、コンデンサと、各前記分岐端子と前記コンデンサを電気的に接続する第１ボンディングワイヤと、前記コンデンサと前記増幅回路基板の入力端子を電気的に接続する第２ボンディングワイヤと、を有することを特徴とする請求項１に記載の高周波電力増幅器。
【請求項１】
入力端子と前記入力端子により入力された入力信号を分配する複数の分岐端子を有する導体パターンを備える分配回路基板と、
各前記分岐端子からの前記入力信号をそれぞれ増幅する増幅回路基板と、
前記増幅回路基板からの前記入力信号を合成する合成回路基板と、を備え、
前記分配回路基板の前記導体パターンは、絶縁基板に形成された第１導電層と、前記第１導電層上に形成された第２導電層と、前記第２導電層上に形成された第３導電層と、を有し、
前記分配回路基板の前記導体パターンには、前記入力端子から前記分岐端子が分岐された位置に、前記第１導電層と前記第２導電層のみからなる抵抗パターン部が形成されていることを特徴とする高周波電力増幅器。
【請求項２】
前記分配回路基板の複数の前記分岐端子と前記増幅回路基板との間には、整合回路が挿入され、前記整合回路は、コンデンサと、各前記分岐端子と前記コンデンサを電気的に接続する第１ボンディングワイヤと、前記コンデンサと前記増幅回路基板の入力端子を電気的に接続する第２ボンディングワイヤと、を有することを特徴とする請求項１に記載の高周波電力増幅器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１１−４４８１２（Ｐ２０１１−４４８１２Ａ）
【公開日】平成２３年３月３日（２０１１．３．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１９０３４９（Ｐ２００９−１９０３４９）
【出願日】平成２１年８月１９日（２００９．８．１９）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年３月３日（２０１１．３．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年８月１９日（２００９．８．１９）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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