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【課題】ICチップのプロセスばらつきによって高周波特性がばらついた場合でも、回路特性を最適化できるICチップを基板にフリップチップ実装する無線装置を提供する。
【解決手段】無線装置は、マイクロ波、ミリ波帯の電力増幅器用高周波ICチップ100、バンプ102、入力端子103、出力端子104、基板105、アンダーフィル106、プロセスばらつき検出部110を有する。プロセスばらつき検出部は、プロセスばらつきによる回路特性の変動量をモニタし、モニタされた回路特性の変動量を用いて、算出されたパラーメータを有するアンダーフィル106が、基板105とミリ波帯の電力増幅器用高周波ICチップ100との間に充填されることで、プロセスばらつき及びアンダーフィルの影響があっても、所望の回路特性が得られる無線装置を提供できる。 (もっと読む)


【課題】高周波電力増幅器の汎用性を確保しつつ、低コスト化及び小型化が可能な半導体パッケージ(P)を提供すること。
【解決手段】接地導体(131)と、前記接地導体(131)の上部に設けられた2層の高周波基板(130)と、上層の前記高周波基板(130)を挟むように設けられた一対の導体(134)と、を含む、半導体パッケージ(P)が提供される。また、この半導体パッケージ(P)を含む高周波電力増幅器(100)が提供される。 (もっと読む)


【課題】新規な負荷変動器を提供する。
【解決手段】 可変位相器を用いた負荷変動器3001であって、前記可変位相器は、信号が入力される第1ポートP1と、信号が出力される第2ポートP2と、第1可変インピーダンス3021が接続される第3ポートP3と、第2可変インピーダンス3022が接続される第4ポートP4と、を備えている。可変位相器は、第1ポートP1から入力された信号の位相が第1可変インピーダンス2021及び第2可変インピーダンス3022によって変化するものである。第1可変インピーダンス3021及び第2可変インピーダンス3022は、前記第1可変インピーダンスと第2可変インピーダンスとの間のインピーダンス差を調整可能に設けられている。インピーダンス差の調整によって、第1ポートP1及び第2ポートP2間の負荷が変動する。 (もっと読む)


【課題】接続される低雑音増幅器の破壊を防止すると共に、この増幅器の飽和の範囲を狭くし正常動作の範囲を広くすることが可能なリミッター回路を提供すること。
【解決手段】一例のリミッター回路は、高周波入力端子に接続され、一定の飽和入力電力範囲を有する低雑音増幅器の入力端子と接地との間に接続されたPINダイオードと、前記低雑音増幅器の入力端子に一端を接続され他端は接地される、所定周波数の1/4波長の長さの伝送線路と、前記低雑音増幅器の入力端子に前記飽和入力電力範囲に入る信号が入力されるときに、前記伝送線路の他端と接地との間に、直列接続される電力設定用抵抗器及び定電圧電源を接続し、前記低雑音増幅器の入力端子に入る信号を、この範囲より電力の小さい正常入力電力範囲の信号に下げて前記低雑音増幅器の入力端子に入力する手段と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 安定した発振抑制効果が得られると共に高精度に発振が抑制できるように回路定数が調整できるようにする。
【解決手段】 回路定数を調整する回路定数調整器16であって、終端が開放端に形成されたスタブ16eと、一端17bがスタブ16eに接続されると共に、他端17aが回路定数調整対象の回路12に接続され、かつ、抵抗値が設定可能に設けられた可変抵抗器16aと、可変抵抗器16aに制御信号を出力して、当該可変抵抗器16aの抵抗値を設定する抵抗値設定器16cと、を備える。 (もっと読む)


【課題】2倍波処理回路の動作の阻害を防ぎ、動作効率の劣化を防ぐ能動回路を得る。
【解決手段】バイアス回路5において、基本波整合回路4の出力側に接続され、基本波周波数成分を全通過させ、2倍波周波数成分を反射するフィルタ回路51と、基本波整合回路4の出力側とフィルタ回路51との間に接続され、基本波周波数で並列共振し、2倍波周波数に対してほぼ純抵抗となる2倍波吸収回路52と、2倍波吸収回路52に接続され、バイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路53とを備えた。
バイアス回路5において、2倍波周波数成分を高周波トランジスタ2側に反射させずに吸収することによって、2倍波処理回路3とバイアス回路5とで並列共振を起こすことがなく、その結果、2倍波処理回路3の動作の阻害を防ぎ、動作効率の劣化を防ぐ能動回路を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】高周波動作と、低コスト化および小型化とを両立させることが可能な高調波抑圧回路を得ること。
【解決手段】基本波の1/8波長の長さを有し、一端が入力端16aを形成し、他端が出力端16bを形成する主線路10と、一端が主線路10の入力端16aに接続された基本波の1/4波長の長さを有する第1の線路11aと、第1の線路11aの他端に一端が接続された抵抗体14および基本波の1/4波長の長さを有する第1のオープンスタブ12aと、抵抗体14の他端に接続された基本波の1/8波長の長さを有する第2のオープンスタブ13aと、一端が主線路10の出力端16bに接続された基本波の1/4波長の長さを有する第2の線路11bと、第2の線路11bの他端に接続された基本波の1/4波長の長さを有する第3のオープンスタブ12bおよび基本波の1/8波長の長さを有する第4のオープンスタブ13bと、を備える。 (もっと読む)


【課題】差分周波数Δfが数百MHzにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力側分布回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力側分布回路と、入力側分布回路に接続された高周波入力端子と、出力側分布回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップのドレイン端子電極近傍に配置された平滑化キャパシタとを備え、高周波半導体チップと、入力側分布回路と、出力側分布回路と、平滑化キャパシタとが1つのパッケージに収納されたことを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】 平衡型増幅器の性能を損なわず、小型のモジュールを提供すること、他の回路機能とともに複合して無線通信装置の高周波回路部を構成可能なモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】
絶縁体層と導体パターンとを含む多層基板に、一対の増幅器の入力側に第1ハイブリッド回路を出力側に第2ハイブリッド回路を有する平衡型増幅器を構成したモジュールで、 積層方向に連なる複数のビアホールでなるビアホール群を縦列して構成されたシールドによって、前記第1ハイブリッド回路と前記第2ハイブリッド回路とを区画した。 (もっと読む)


【課題】分布定数型増幅器を用いた光変調器の駆動回路であって、光変調器からの光出力の立ち上がり時間や立ち下がり時間を短くし得る駆動回路を提供する。
【解決手段】光変調器駆動回路は、複数の第1の非反転増幅器及び反転増幅器を備える。第1の非反転増幅器は、入力端と出力端との間に設けられている。第1の非反転増幅器はそれぞれ、入力端からの入力信号を固有の遅延時間で受け、出力端において第1の遅延時間で出力信号を与える。反転増幅器は、入力端と出力端との間に設けられている。反転増幅器は、入力信号を受け、出力端において第1の遅延時間より大きい第2の遅延時間で出力信号を与える。 (もっと読む)


【課題】広帯域での2倍波整合を取れず、高効率化できる周波数範囲が狭い。
【解決手段】伝送線路2から構成されるメイン線路と、抵抗6と伝送線路5、7とが直列接続された回路から構成され、メイン線路と並列接続されたサブ線路と、一端がメイン線路とサブ線路との接続点に接続されたオープンスタブ3、4とを含んで構成される。 (もっと読む)


【課題】入力信号を複数の信号に低損失で分配することができる分配回路を提供することを課題とする。
【解決手段】分配回路は、信号入力ノードに直列接続される複数のインダクタ(401〜40n+1)と、入力容量を有する入力端子及び出力端子を有し、前記複数のインダクタのそれぞれの間に前記入力端子が接続され、前記入力端子に入力される信号を増幅して前記出力端子から出力する複数の増幅素子(421〜42n)と、前記複数の増幅素子の出力端子と複数の信号出力ノードとの間にそれぞれ接続される複数の整合回路(431〜43n)とを有する。 (もっと読む)


【課題】全てのトランジスタに対して最適かつ等位相で高調波を反射させ、高い出力かつ高い効率で動作する高周波増幅器を得る。
【解決手段】FET1Aのドレイン(D)に一端が接続された四角形線路部5A、FET1BのDに一端が接続された四角形線路部5B、並びに四角形線路部5A及び5Bの他端を接続する弓形線路部5Cを有する伝送線路5と、四角形線路部5A及び5Bの間に配置された伝送線路6Bと、四角形線路部5Aに対して伝送線路6Bと反対側に配置された伝送線路6Aと、四角形線路部5Bに対して伝送線路6Bと反対側に配置された伝送線路6Cとを備え、伝送線路6A、6B、6Cの電気長は、高調波の1/4波長であり、伝送線路6A、6B、6Cのそれぞれのビアホール7A、7B、7Cは、伝送線路6A、6B、6Cの一端に接続される。 (もっと読む)


【課題】差分周波数Δfが数百MHzにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力整合回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力整合回路と、入力整合回路に接続された高周波入力端子と、出力整合回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップに接続される平滑化キャパシタ用端子とを備え、高周波半導体チップと、入力整合回路と、出力整合回路とが1つのパッケージに収納された半導体装置。 (もっと読む)


【課題】高温通電時には、バイアスジャンプを回避することができ、実運用時には、外部電源を製品によらず共通化することができる。
【解決手段】半導体装置24と、入力整合回路17と、出力整合回路18と、入力整合回路17に接続された高温動作用ゲートバイアス回路60および運用時用ゲートバイアス回路70と、高温動作用ゲートバイアス回路60に接続された高温動作用ゲートバイアス端子31aと、運用時用ゲートバイアス回路70に接続された運用時用ゲートバイアス端子41aと、入力整合回路17に接続された高周波入力端子21aと、出力整合回路18に接続されたドレインバイアス回路80と、ドレインバイアス回路80に接続されたドレインバイアス端子41bと、出力整合回路18に接続された高周波出力端子21bとを備え、1つのパッケージに収納された高周波モジュール1。 (もっと読む)


【課題】高温通電時にはバイアスジャンプを回避し、実運用時には外部電源を製品によらず共通化し、かつ端子数を削減する。
【解決手段】半導体装置24と、入力整合回路17と、出力整合回路18と、運用時用ゲートバイアス回路70と、運用時用ゲートバイアス回路70に接続された運用時用ゲートバイアス端子41aと、入力整合回路17に接続された高周波入力端子兼高温動作時用ゲートバイアス端子21aと、出力整合回路18に接続されたドレインバイアス回路80と、ドレインバイアス回路80に接続されたドレインバイアス端子41bと、出力整合回路18に接続された高周波出力端子21bとを備え、1つのパッケージに収納された高周波モジュール1およびその動作方法。 (もっと読む)


【課題】高い入力電力耐性と、低い雑音指数の両者を達成する低雑音増幅器を提供すること。
【解決手段】低雑音増幅器は、第一のIII族窒化物系トランジスタと、第一のIII族窒化物系トランジスタに結合された第二のIII族窒化物系トランジスタとを含んでいる。第一のIII族窒化物系トランジスタは、入力信号に対する第一増幅段を提供するように構成され、第二のIII族窒化物系トランジスタは、入力信号に対する第二増幅段を提供するように構成される。 (もっと読む)


【課題】バイアス回路を組み込んだ通信機器や電子機器の小型化を促進させるため、1つのチップにて構成することができるバイアス回路を提供する。
【解決手段】RFチョークとバイパスコンデンサとを有するバイアス回路において、少なくとも下面もしくはその内部にグランド電極40が形成された誘電体基板30と、前記誘電体基板30の表面に形成された入力端子32及び出力端子34と、前記誘電体基板30内もしくは表面に形成され、一端が前記入力端子32に接続され、且つ、他端が前記出力端子34に接続され、前記RFチョークを形成するRFチョーク形成電極36と、前記誘電体基板30内に、前記グランド電極40に対向して形成され、且つ、一端が前記出力端子34に接続され、前記バイパスコンデンサを形成するためのコンデンサ形成電極38とを有する。 (もっと読む)


【課題】高利得の増幅器であっても空間ループを原因とした異常発振を確実に防止することができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】誘電体基板2上に形成されたマイクロストリップ線路3と、このマイクロストリップ線路3に接続された増幅素子1と、誘電体基板2上に載置された増幅素子1を収容する収容部7aが形成された金属筐体7と、この金属筐体7の収容部7aに嵌合するとともに、増幅素子1と対向する面側に第1の溝部8bが形成された金属体8と、金属体8の第1の溝部8bに嵌挿される第1の導電性ラバー9とを備え、金属筐体7の収容部7aに金属体8を嵌合した時、第1の導電性ラバー9が誘電体基板2上に実装されている増幅素子1を押圧して、増幅素子1上の空間ループを遮断する。 (もっと読む)


【課題】筐体内の空間を導波管モードで伝播する高調波信号と結合して吸収できる終端器装荷アンテナを備えた高周波モジュール筐体構造を得ること。
【解決手段】出力段にマイクロ波増幅器が配置される高周波モジュール筐体において、前記高周波モジュール筐体内の空間を導波管モードで伝播する高調波信号の筐体共振による複数の電界集中箇所の少なくとも1つの電界集中箇所の付近に対応する該高周波モジュール筐体の天井面上所定位置に前記高調波信号と結合できるように配置されたアンテナと、前記アンテナに装荷され、該アンテナに誘起された高調波信号のエネルギーを熱ネルギーに変換して吸収する終端器とを備えた。 (もっと読む)


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