【課題】ドハティ増幅装置の効率低下を防止する。
【解決手段】ドハティ増幅装置は、メインアンプを構成するメインアンプデバイス１と、ピークアンプを構成するピークアンプデバイス２と、メインアンプデバイス１及びピークアンプ２が実装された基板１５とを有している。メインアンプデバイス１は、第１デバイス本体１ｃ、第１入力端子１ａ、及び、第１出力端子１ｂを備え、第１入力端子１ａ及び第１出力端子１ｂが第１デバイス本体１ｃを挟んで対向して配置されている。ピークアンプデバイス２は、第２デバイス本体２ｃ、第２入力端子２ａ、及び、第２出力端子２ｂを備え、第２入力端子２ａ及び第２出力端子２ｂが第２デバイス本体２ｃを挟んで対向して配置されている。ピークアンプデバイス２は、メインアンプデバイス１の位置に対して、メインアンプデバイス１の第１入力端子から第１出力端子に向かう入出力方向Ｄｓにずれた位置に、実装されている。 （もっと読む）

【課題】Ｆ級増幅器における効率を改善することができる電力増幅回路を提供する。
【解決手段】電力増幅回路は、予め定められた周波数の基本波を含む信号を増幅する増幅素子と、増幅素子が増幅した信号に含まれる基本波と、基本波の２倍波と、基本波の３倍波とそれぞれの特性インピーダンスとのインピーダンス整合をとる出力整合回路と、２倍波の反射位相を変化させる２倍波用チューナーと、３倍波の反射位相を変化させる３倍波用チューナーと、出力整合回路が出力する信号に含まれる基本波を通過させるとともに、信号に含まれる２倍波及び３倍波を反射する高調波反射フィルタであって、２倍波用チューナー及び３倍波用チューナーが接続され、２倍波用チューナー及び３倍波用チューナーを用いて２倍波及び３倍波の反射位相を独立に変化させる高調波反射フィルタとを備える。 （もっと読む）

【課題】 電力合成器の横寸法を低減しつつ、横寸法の低減に伴う特性劣化を防止する。
【解決手段】 入力側から第１線路、折返し線路、第２線路、直線線路が接続される直列回路を構成し、入力側が入力端子に接続される第１インピーダンス変成器と、第１インピーダンス変成器と同構成の第２インピーダンス変成器と、第１及び第２インピーダンス変成器とループを構成するアイソレーション回路と、第１及び第２インピーダンス変成器が共有する出力接点と出力端子との間に配置される出力インピーダンス変成器とを有する電力合成器であって、第１線路と第２線路は互いに平行に配置され、ループの横縦アスペクト比が１より小さく、第１線路の線幅を第１折返し線路の線幅より狭くして入力信号位相を９０度回転し、アイソレーション回路で入力インピーダンスと整合し、出力インピーダンス変成器で出力インピーダンスと整合する。 （もっと読む）

【課題】シャントの寄生キャパシタンス成分を相殺することができ、高域周波数帯における特性劣化を抑圧することができる高周波多段能動回路を得る。
【解決手段】高周波多段能動回路の段間インピーダンス整合回路２０として、誘電体基板２１上において一対の長さ１／４波長未満のくし型の導体電極パターンを対向して形成されるインターデジタルキャパシタを含み、かつこのインターデジタルキャパシタのくし型電極２３ａ、２３ｂの要部に誘導性スタブを接続し、かつこの誘導性スタブを介して能動デバイス１０、３０へのバイアス電圧を印加した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、整合条件を変更するための制御回路を必要とせずに、複数の周波数帯で利用可能となる簡素な構成の高周波増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】パッケージ基板と、該パッケージ基板の表面に設置された増幅能動素子と、該増幅能動素子と接続されて高周波信号を伝送する伝送線路とを有する。そして、一端が該伝送線路にシャント接続されたＳＭＤ部品と、該ＳＭＤ部品の他端と接続され一部が該パッケージ基板の裏面に露出するＳＭＤ部品用端子と、該伝送線路のうち該増幅能動素子と接続された部分と反対側の端部と接続され、一部が該パッケージ基板の裏面に露出する外部端子とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高調波信号を抑制し、且つ、通過信号である基本波信号の減衰量を低減させる。
【解決手段】フィルタ２００は、基本波信号ｆ０及び基本波信号ｆ０の高調波信号群２ｆ０、３ｆ０、４ｆ０、５ｆ０、６ｆ０が入力される入力端子２１０と、入力端子２１０に入力された基本波信号ｆ０を出力する出力端子２２０と、入力端子２１０と出力端子２２０とを接続する伝送線路２３０と、高調波信号群２ｆ０〜６ｆ０のうちの奇数高調波信号３ｆ０、５ｆ０に対応して設けられ、伝送線路２３０に接続し、対応する奇数高調波信号３ｆ０、５ｆ０の波長の１／４の長さを備えたオープンスタブ２４３、２４５と、伝送線路２３０に接続し、基本波信号ｆ０の波長の１／４の長さを備えた第１のショートスタブ２５１と、伝送線路２３０に接続した第２のショートスタブ２５２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波・ミリ波における集積回路寸法を小型化し、安価なマルチチップモジュール構造を有する高周波回路を提供する。
【解決手段】複数のディスクリートトランジスタＦＥＴ１〜ＦＥＴ３をそれぞれ形成する半導体基板１６₁〜１６₃と、複数のキャパシタＣ１〜Ｃ４をそれぞれ形成する第１誘電体基板１４₁〜１４₄と、複数の整合回路をそれぞれ形成する第２誘電体基板１８₁,１８₂とを備え、複数のディスクリートトランジスタＦＥＴ１〜ＦＥＴ３は直列接続されたことを特徴とするマルチチップモジュール構造を有する高周波回路３０。 （もっと読む）

【課題】トランスを用いて複数の増幅器対の出力を合成する電力増幅装置において、各増幅器対の差動動作のずれによって生じる出力の低下を抑制する。
【解決手段】電力増幅装置１１０は、基板上に全体で環状に設けられた複数の一次インダクタ７，８と、複数の増幅器対３〜６と、二次インダクタ９と、接続配線１０とを備える。各増幅器対は、対応の一次インダクタの両端に接続され、差動入力信号として与えられた一対の第１および第２の信号ＩＮ（＋），ＩＮ（−）をそれぞれ増幅して対応の一次インダクタに出力する。二次インダクタ９は、複数の一次インダクタ７，８に隣接して環状に設けられ、各一次インダクタで合成された第１および第２の信号の合成信号をさらに合成して出力する。接続配線１０は、基板上で複数の一次インダクタ７，８の内側に設けられ、各一次インダクタの中点ＭＰ１，ＭＰ２を互いに電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器の入力端子と増幅回路の入力端子の間で発生するループ発振を抑止することができる高周波電力増幅器を提供する
【解決手段】入力端子２０と入力端子２０により入力された入力信号を分配する複数の分岐端子２１〜２４を有する導体パターン１９を備える分配回路基板４と、各分岐端子からの入力信号をそれぞれ増幅する増幅回路基板５と、増幅回路基板５からの入力信号を合成する合成回路基板６と、を備え、分配回路基板４の導体パターン１９は、絶縁基板に形成された第１導電層１９Ａと、第１導電層１９Ａ上に形成された第２導電層１９Ｂと、第２導電層１９Ｂ上に形成された第３導電層１９Ｃを有し、分配回路基板の導体パターン１９には、入力端子２０から分岐端子２１〜２４が分岐された位置に、第１導電層１９Ａと第２導電層１９Ｂのみからなる抵抗パターン部４１〜４４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】
従来のＳＳＰＡの出力回路と入力回路の整合方法では、期待した特性が得られなかった場合、ＦＥＴ１の出力とＦＥＴ２の入力に接続されているマイクロストリップラインの線路長および線路幅を変化させて整合させる変更が必要であった。この方法では整合のため、PCB外形、筐体外形の変更が必要になり、大幅なコストアップが発生した。
【解決手段】
期待した特性が得られなかった場合、ＦＥＴの入出力に接続されている共振電極の線路長を変えることで特性改善ができ、筐体の変更は必要でなく、試作費用を削減できる。また、共振電極の線路長を設計値より少し長めにしておき、トリミングすることにより簡単に希望する特性にすることができる。 （もっと読む）

本開示は信号電力を混合する手法を含む。一実施形態では、複数の電力増幅器が増幅信号を生成する。複数の第１伝送線は電力増幅器の出力に電気的に結合される。複数の第２伝送線は複数の第１伝送線に磁気的に結合され増幅信号を受信する。増幅信号は複数の第２伝送線を中央導電域内からノードへと伝播する。増幅信号はノードで加算される。ノードはアンテナ端子に結合される。 （もっと読む）

本発明は、平面ＸＹに平行な少なくとも１つのプレートと、そのプレート上に装着される少なくとも２つの増幅器モジュール（４１ａ、４１ｂ）とを含む低容積の増幅装置に関する。各増幅器モジュール（４１ａ、４１ｂ）は、増幅器素子（１１ａ、１１ｂ）と、縦の伝播の方向に合致する同じ方向Ｘに配置される入力接続導波路（１２ａ、１２ｂ）および出力接続導波路（１３ａ、１３ｂ）とを含み、その増幅器素子（１１ａ、１１ｂ）は、伝播の方向Ｘに垂直な方向Ｙに配置される入力および出力軸（１８ａ、１８ｂ）を有するこの低容積の増幅装置において、２つの増幅器モジュール（４１ａ、４１ｂ）の入力接続導波路（１２ａ、１２ｂ）は、別個のものであって、異なる長さ（Ｌａ１、Ｌａ２）を有すると共に互いに平行に装着され、前記２つの増幅器モジュール（４１ａ、４１ｂ）の出力接続導波路（１３ａ、１３ｂ）は、別個のものであって、異なる長さ（Ｌａ２、Ｌｂ２）を有すると共に互いに平行に装着されること、および、同じ増幅器モジュールの入力および出力導波路の長さの合計（Ｌａ１＋Ｌａ２、Ｌｂ１＋Ｌｂ２）は各増幅器モジュールについて同一である、すなわち、Ｌａ１＋Ｌａ２＝Ｌｂ１＋Ｌｂ２であること、が特徴である。
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【課題】反射特性や利得特性の劣化を小さくすることができる高周波増幅器を得ることを目的とする。
【解決手段】入力端子１から入力された信号を増幅する複数のトランジスタ９のドレイン側と接続されている複数のショートスタブ１２と、出力側伝送線路６と並列に接続されている複数の容量１０とを備え、複数のショートスタブ１２における何れかのショートスタブ１２にドレインバイアス端子１３を接続するように構成する。これにより、反射特性や利得特性の劣化を小さくすることができるとともに、レイアウトの自由度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 電力分配器で分岐された複数の増幅回路の相互干渉を防止し、伝送線路長の短い電力合成増幅器を提供する。
【解決手段】 電力分配回路から分岐された第１増幅器４ａからの高周波をインピーダンス整合する第１変成回路１０ａと、第１変成回路より細長の第２変成回路１１ａと、第２変成回路より細長の第３変成回路１２ａと、電力分配回路から分岐された第２増幅器４ｂからの高周波をインピーダンス整合する第４変成回路１０ｂと、第４変成器より細長の第５変成回路１１ｂと、第５変成器より細長の第６変成回路１２ｂと、第３変成回路及び第６変成回路のそれぞれの出力側に接続された電力合成器とを設けて、第３変成回路及び第６変成回路を屈曲させると共に第１及び第２増幅器出力端から電力合成器６出力端までの伝送線路長を伝送周波数波長に略等しくするようにした。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波帯及びミリ波帯において用いられる高出力且つ高利得な電力増幅器を得られるようにする。
【解決手段】マイクロストリップ線路１０９上には、入力整合回路１０２の中央部へ入力端子１１０から入力される高周波信号の高周波信号の伝送方向に沿って、スリット１１６及びスリット１１７が形成され、スリット１１７の長さより上記中央部の隣接位置のスリット１１６の長さが長く設定される。 （もっと読む）

【課題】大電流を流すことができ、かつ十分広い通過帯域を確保できるバイアス回路を提供することを課題とする。
【解決手段】キャリア信号を入力する入力ノード（ＲＦＩＮ）と、キャリア信号を出力する出力ノード（ＲＦＯＵＴ）と、前記入力ノード及び第１のノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して１／４波長のインピーダンス変換を行う第１のインピーダンス変換素子（２０１）と、前記第１のノード及び前記出力ノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して１／４波長のインピーダンス変換を行う第２のインピーダンス変換素子（２０２）と、前記第１のノード及び第２のノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して１／４波長のインピーダンス変換を行う第３のインピーダンス変換素子（２０３）と、前記第２のノードに接続される直流電源電圧ノード（２０４）と、前記第２のノードを交流接地状態にする接地回路（２０５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】 広い帯域に亘る周波数範囲で良好な振幅補償や反射特性を得ることが可能であると共に、部品の性能ばらつきによる特性変化を軽減したイコライザを提供する。
【解決手段】 一端を入力端とし、他端を入力側開放端（Ａ）とした入力側線路と、入力側開放端（Ａ）から１／４波長分入力側に離間した位置（Ｂ）と対向する位置を出力側開始端（Ｃ）とし前記入力側開放端（Ａ）と対向する位置（Ｄ）まで入力側線路と平行配置して終端を出力端とした出力側線路と、Ｂ点とＣ点とを抵抗器を介して減衰させる回路と、Ａ点とＤ点とを抵抗器を介して減衰させる回路とを備え、Ａ点、Ｂ点、Ｃ点、Ｄ点をそれぞれスタブを用いて高周波開放点とし、減衰回路に挟まれた入出力線路の平行領域でカップリングさせて高周波帯域内の振幅又は電力を減衰制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】 主線路に近接して設けたバイアス回路の面積のコンパクト化を図ると共に電源回路に対する不要放射や回り込みを抑圧することが可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】 増幅器２で増幅された高周波を伝送する主線路１２と、主線路１２に沿って設けられた高調波抑圧スタブ１４と、主線路１２を介して前記増幅器２にバイアス電力を印加するバイアス線路１６と、バイアス線路１６から分岐した高調波短絡オープンスタブ２２と、主線路１２からバイアス線路１６に沿って高周波周波数の１／４波長離間した点でバイアス線路１６から分岐した第１の基本波短絡オープンスタブ２０と、第１の基本波短絡オープンスタブ２０の短絡点からバイアス線路１６に沿って高周波周波数の１／４波長離間した点でバイアス線路１６から分岐したシャント抵抗を設けた第２の基本波短絡オープンスタブ２１と、バイアス線路１６にバイアス電力を供給する電源５とを設けた。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数特性を得ることができるバイアス回路を提供する。
【解決手段】信号が入力される信号線路入力端子１２から能動素子１０の入力端子に至る入力線路１１と、能動素子の出力端子から信号を出力する信号線路出力端子２２に至る出力線路２１とを備えた回路に設けられ、能動素子に直流電力を供給する基板上に形成されたバイアス回路において、直流電力が供給される給電線路２７ａと、出力線路と給電線路とを接続する曲げ加工された架橋形の金属構造体２０と、給電線路と金属構造体との接続点と接地との間に設けられた容量素子２６を備えている。 （もっと読む）

【課題】歪特性を改善することができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】複数のトランジスタセル１１を電気的に並列接続することで、マルチフィンガー型のトランジスタが形成されている。複数のトランジスタセル１１のゲート電極は入力側整合回路１３に接続されている。各トランジスタセル１１のゲート電極と入力側整合回路１３の間に共振回路１７がそれぞれ接続されている。共振回路１７は、トランジスタの動作周波数の２次高調波の周波数又は２次高調波の周波数を中心とした所定の範囲内で共振して、２次高調波に対して高インピーダンス負荷又は開放負荷となる。 （もっと読む）