【課題】本実施例の一側面における電力増幅器はトランジスタの入力側と出力側の両方に高調波処理を行う整合回路を設けた場合でも発振が生じるのを抑止し、電力増幅器の安定動作を可能とすることを目的とする。
【解決手段】本実施例の一側面における電力増幅器は、基本波と高調波を含む入力信号を入力ノードで受けとり、入力信号の電力を増幅することにより出力信号を生成し、生成された出力信号を出力ノードから出力する増幅回路と、増幅回路の入力ノードに接続され、入力信号の高調波処理を行う入力整合回路と、増幅回路の出力ノードに接続され、出力信号の高調波処理を行う出力整合回路を含む。増幅回路は、入力信号の電力が所定値より大きい値からその所定値より小さい値に低下したとき、生成される出力信号に含まれる高調波の整合点における出力インピーダンスの位相を回転させる。 （もっと読む）

【課題】ユニットセルの組み合わせで形成されるすべてのループ発振を抑制することができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る高周波増幅器は、入力された信号を分配する分配回路と、分配回路が分配した信号を増幅するＦＥＴセルと、分配回路とＦＥＴセルのゲート端子との間に直列に接続され、キャパシタと抵抗との並列回路から構成される安定化回路と、ＦＥＴセルが増幅した信号を合成する合成回路とを備え、安定化回路をＦＥＴセルごとに配置する。 （もっと読む）

【課題】増幅回路を速やかに正常動作に復帰させることが可能な半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、容量素子Ｃ１Ｔ，Ｃ１Ｂを介してそれぞれ供給される第１及び第２電圧信号の電位差を増幅し、第１及び第２増幅信号を出力する全差動増幅回路ＯＰＡ１と、第１増幅信号を全差動増幅回路ＯＰＡ１の反転入力端子に帰還する抵抗素子ＲＦＢＴと、第２増幅信号を全差動増幅回路ＯＰＡ１の非反転入力端子に帰還する抵抗素子ＲＦＢＢと、所定電圧ＶＢを生成する電圧生成部５０と、電圧生成部５０によって生成された所定電圧ＶＢを、全差動増幅回路ＯＰＡ１のそれぞれの入力端子に伝達する抵抗素子ＲＢＴ，ＲＢＢと、を備える。 （もっと読む）

【課題】ガン発振に伴う負性抵抗を抑制し、安定的かつ高効率の電力増幅を得るための安定化回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板上に配置され、ガン発振である高周波負性抵抗発振の発振周波数において負性抵抗を生ずる能動素子１４０と、基板上に配置され、能動素子のドレイン端子電極と出力端子との間に接続され、負性抵抗の絶対値に等しい抵抗値を有する抵抗Ｒと、抵抗Ｒに並列に接続され、高周波負性抵抗発振の発振周波数に同調するインダクタンスＬとキャパシタンスＣからなるタンク回路とからなる安定化回路１２０とを備え、安定化回路１２０は、発振周波数に、インダクタンスＬとキャパシタンスＣからなる共振周波数を同調することによって、発振周波数において、抵抗Ｒによって負性抵抗をキャンセルする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】安定化を図りながらソース接地ＦＥＴ素子が本来持つ最大有能利得を十分に生かせる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】高周波増幅器は、ソース端子が接地される増幅用ソース接地ＦＥＴ素子と、増幅用ＦＥＴ素子のゲート端子に接続され、増幅用ソース接地ＦＥＴ素子のドレイン端子の印加電圧が増えるに応じてインピーダンスが高くなるように変化する安定化回路と、を備える。安定化回路は、例えば、増幅用ソース接地ＦＥＴ素子のゲート端子に接続するコンデンサと、コンデンサにドレイン端子が接続し、ゲート端子が接地し、ソース端子が増幅用ＦＥＴ素子のドレイン端子に接続するインピーダンス調整用ＦＥＴ素子と、インピーダンス調整用ＦＥＴ素子のソース端子に接続され、接地される抵抗と、この抵抗に接続し、接地されるコンデンサと、を備える。 （もっと読む）

【課題】発振抑制が高精度かつ短時間で行える高周波増幅回路を提供すること。
【解決手段】実施形態の高周波増幅器は、複数の領域に区分された増幅素子と、前記増幅素子の区分数の入力整合回路と、前記区分数の出力整合回路と、隣接する前記入力整合回路間を接続する一つ以上の除去可能な抵抗を含む第１の抵抗群と、隣接する前記出力整合回路間を接続する一つ以上の除去可能な抵抗を含む第２の抵抗群と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発振電力を吸収する抵抗の抵抗値を容易に制御できる電力増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る電力増幅器１０は、複数のトランジスタセルが形成された半導体基板１２と、該半導体基板上に形成された、該複数のトランジスタセルのドレイン電極４０と、該半導体基板上に該ドレイン電極と接続されるように形成された、ドレインパッド４２と、該半導体基板に、該ドレインパッドに沿って該ドレインパッドと接するように形成されたイオン注入抵抗４４と、該半導体基板上に該イオン注入抵抗を介して該ドレインパッドと接するように形成されたフローティング電極４６と、該半導体基板の外部に形成された出力整合回路１６と、該ドレインパッドと該出力整合回路を接続する配線１８ａ,１８ｂ,１８ｃ,１８ｄと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 安定した発振抑制効果が得られると共に高精度に発振が抑制できるように回路定数が調整できるようにする。
【解決手段】 回路定数を調整する回路定数調整器１６であって、終端が開放端に形成されたスタブ１６ｅと、一端１７ｂがスタブ１６ｅに接続されると共に、他端１７ａが回路定数調整対象の回路１２に接続され、かつ、抵抗値が設定可能に設けられた可変抵抗器１６ａと、可変抵抗器１６ａに制御信号を出力して、当該可変抵抗器１６ａの抵抗値を設定する抵抗値設定器１６ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】ビアホールの数を少なくしてもループ発振などの特性劣化が生じにくい半導体電力増幅器を提供する。
【解決手段】半導体電力増幅器は、ゲート電極Ｇと、ドレイン電極Ｄと、前記ゲートフィンガー電極に対向して配置されるソースフィンガー電極横手方向の両サイドに引き出される２つのソース電極Ｓと、を有するユニットＦＥＴと、前記ユニットＦＥＴが、前記ソース電極間を結ぶ略直線方向に複数個並列配置され、隣り合うユニットＦＥＴ間に存在する２つのソース電極の両方を共通して高周波グランド面と接続する第１の接地インダクタンス値を有する第１のビアホール１８Ｋと、隣り合うユニットＦＥＴが存在しない側のソース電極上に配置され、接地インダクタンスを等しくするために前記高周波グランド面に接続する第２の接地インダクタンス値を有する第２のビアホール１８Ｄと、を有する。 （もっと読む）

【課題】利得周波数特性の広帯域化と群遅延平坦特性とを両立させる。
【解決手段】ソース接地トランジスタＭ₁、ゲート接地トランジスタＭ₂、および負荷抵抗Ｒ_Lからカスコード接続回路１１を構成し、ソース接地トランジスタＭ₁のドレイン端子とゲート接地トランジスタＭ₂のソース端子と間に第１のインダクタＬ₁を設ける。 （もっと読む）

【課題】複雑な制御を必要とせず、集積回路のトランジスタの閾値電圧バラツキに応じて所望の動作速度に適した電源電圧を提供することができる。
【解決手段】被安定電圧が入力される入力端子１と、安定化された電圧が出力される出力端子２と、入力端子１および出力端子２と電位差を有する一定電圧に設定される共通端子３と、正入力端子および負入力端子を有する差動増幅器４と、差動増幅器４の出力に基づいて入力端子１から出力端子２に流れる電流を制御する電流制御素子５と、出力端子２と共通端子３との間の電位差を分圧し、差動増幅器４の正入力端子に帰還させる分圧回路６と、出力端子２から電力を供給されるが出力端子２の電圧に依存せず、共通端子３の電圧を基準とする当該集積回路のトランジスタの閾値電圧に比例した電圧を差動増幅器４の負入力端子に出力する閾値参照電圧源７とを備える。 （もっと読む）

【課題】ゲート容量が大きなトランジスタを有する増幅器に接続しても発振を防止できる定電圧回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】定電圧回路４０は、所定の電圧が印加される第１の入力端子４４と、出力端子４６に接続された第２の入力端子とを備えた差動増幅部４１と、ソースが接地され、ドレインが出力端子４６に接続され、ゲートに差動増幅部４１の出力が与えられるトランジスタＴ46を備えたソース接地型増幅器４２とを有する。そして、トランジスタＴ46のゲートとドレインとの間には、抵抗４７とコンデンサ４８とが直列に接続されている。定電圧回路４０から出力される電圧Ｖｇは、増幅器２０のバイアス端子２６ｂからバイアス給電用インダクタ２５ａ，２５ｂを介してトランジスタＴ3，Ｔ4に供給される。 （もっと読む）

【課題】高利得の増幅器の発振を防止することができるようにする。
【解決手段】キャビティ２，３の外側に配置されており、一方の端子が増幅器５のバイアス端子５ｃと接続され、他方の端子６ａが増幅器４の入力端子４ａと同じ側に配置されているローパスフィルタ６と、パッケージ１の接地面１ｂと接続されている状態で、パッケージ１及びローパスフィルタ６の周囲を覆っている導電性ケース７と、パッケージ１の上面１ａに配置され、パッケージ１の接地面１ｂと電気的に接続されている導電性のキャップ８と、導電性ケース７の上面７ａと導電性のキャップ８を接続している導電性の弾性体９とを備える。 （もっと読む）

【課題】低周波数帯域の利得を効果的に抑圧して発振の発生を抑制すると共に、回路の高密度実装を可能とする多段増幅器を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１，２に、ゲートバイアス電圧を印加する入力整合回路３，５と、ＦＥＴ１，２に、ドレインバイアス電圧を印加する出力整合回路４，６と、出力整合回路４と入力整合回路５との間に直列接続されたコンデンサ１５，１６、および、一端がコンデンサ１５，１６間の接続点に接続され他端が接地された誘導性の線路１７を含み構成されたハイパスフィルタ１８と、を備え、コンデンサ１５，１６のキャパシタンス値および線路１７のインダクタンス値は、増幅素子の動作周波数よりも低い周波数帯域において、出力整合回路６と出力整合回路４とハイパスフィルタ１８とを介して形成されるドレインバイアスループ１１の損失が、ＦＥＴ２の利得よりも大きくなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】制御開始のタイムラグを低減したアンプ回路とそれを備える充電または放電制御回路とその制御方法とを提供することを目的とする。
【解決手段】誤差アンプと、誤差アンプの出力にベースが接続されたトランジスタと、トランジスタのコレクタとエミッタとの間に接続された負荷と、誤差アンプの出力と誤差アンプのマイナス側入力との間に接続された位相補償コンデンサと、を備えるアンプ回路において、位相補償コンデンサと直列に接続されたフォトモススイッチを備え、フォトモススイッチは、トランジスタのベース電流の有無に対応してオン・オフが制御されるアンプ回路とする。 （もっと読む）

【課題】正確な出力電圧を得る事ができる位相補償回路を有するボルテージレギュレータを提供する。
【解決手段】位相補償回路を出力トランジスタのゲートに接続される第一の定電流回路と、ドレインが出力トランジスタのゲートに接続された第一のトランジスタと、ドレインが第一のトランジスタのゲート及び第二の定電流回路及び抵抗に接続され、ゲートが抵抗及び第一の容量に接続される第二のトランジスタと、もう一方が出力端子に接続される第一の容量で構成する。こうすることで、差動増幅回路の出力端子から第一のトランジスタのドレインへ電流が流れる事を防止することができ、差動増幅回路の入力トランジスタに発生するオフセット電圧が低減され、正確な出力電圧を得ることできる。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを増加させることなく、使用する経路に応じてフィードバック経路の接続・未接続を切替えることができる電力増幅器を得る。
【解決手段】スイッチＳＷ１は、制御信号に従って入力端子Ｔｉｎ１を出力端子Ｔｏｕｔ１と出力端子Ｔｏｕｔ２の何れかに接続する１入力多出力のスイッチである。スイッチＳＷ１の入力端子Ｔｉｎ１は、トランジスタＴｒ１のコレクタ（出力端子）に接続されている。フィードバック経路１２は、スイッチＳＷ１の出力端子Ｔｏｕｒ１をトランジスタＴｒ１のベース（入力端子）に接続させる。 （もっと読む）

【課題】発振抑制用の抵抗を備えながら高周波処理による高効率化を図る。
【解決手段】分配された高周波信号を伝送線路１４ａ，１４ｂの一端の入力部１３ａ，１３ｂに供給し、伝送線路１４ａは直列接続された伝送線路１５ａを介して被増幅用高周波信号として出力部１６ａから次段の増幅用トランジスタに供給する。伝送線路１４ｂは直列接続された伝送線路１５ｂを介して被増幅用高周波信号として出力部１６ｂから次段の増幅用トランジスタに供給する。伝送線路１４ａ，１５ａの接続点Ｐａに一端を接続したスタブ１９ａと伝送線路１４ｂ，１５ｂの接続点Ｐｂに一端を接続したスタブ１９ｂとの間に発振抑制用の抵抗Ｒ１を介挿接続した。接続点Ｐａ，Ｐｂの電位差がない場合は、抵抗Ｒ１が見えない状態となり、スタブ１９ａ，１９ｂは高周波信号処理の効率化に寄与し、抵抗Ｒ１はセルＡ，Ｂ間のループ発振の抑制させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高速シリアルインターフェイスおよび他の用途のために等化器および他の連続時間回路を改善すること。
【解決手段】マルチステージ増幅器チェーンであって、該マルチステージ増幅器チェーンは、該チェーン内に第１の増幅器ステージと最後の増幅器ステージとを含む、マルチステージ増幅器チェーンと、該最後の増幅器ステージの出力を受信することと、オフセット補正電圧信号を該第１の増幅器ステージに提供することとを行うように構成されているオフセットキャンセレーションループとを備えている、回路。 （もっと読む）

【課題】最小ループと２セルループのオッドモード発振を共に抑制する高周波回路を提供する。
【解決手段】半導体基板上に並列に配列された複数のトランジスタと、第１の絶縁基板上に配置され、複数のトランジスタのゲート端子電極にそれぞれ接続された複数の入力整合回路と、第１の絶縁基板上に配置され、入力整合回路に隣接して配置された入力側第４発振抑制抵抗と、入力側第４発振抑制抵抗に直列接続された入力側第１キャパシタと、隣接する入力整合回路間を繋ぐ伝送線路上の点と入力側第１キャパシタ間に接続された入力側第１インダクタとを有する入力側発振抑制回路とを備え、入力側第１インダクタのインダクタンス値をＬ１、入力側第１キャパシタのキャパシタンス値をＣ１とすると、１／{２π（Ｌ１×Ｃ１）^1/2}で表される入力側第１インダクタと入力側第１キャパシタの共振周波数が、２セルループの発振周波数fosc2に等しい高周波回路。 （もっと読む）