【課題】ユニットセルの組み合わせで形成されるすべてのループ発振を抑制することができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る高周波増幅器は、入力された信号を分配する分配回路と、分配回路が分配した信号を増幅するＦＥＴセルと、分配回路とＦＥＴセルのゲート端子との間に直列に接続され、キャパシタと抵抗との並列回路から構成される安定化回路と、ＦＥＴセルが増幅した信号を合成する合成回路とを備え、安定化回路をＦＥＴセルごとに配置する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップのプロセスばらつきによって高周波特性がばらついた場合でも、回路特性を最適化できるＩＣチップを基板にフリップチップ実装する無線装置を提供する。
【解決手段】無線装置は、マイクロ波、ミリ波帯の電力増幅器用高周波ＩＣチップ１００、バンプ１０２、入力端子１０３、出力端子１０４、基板１０５、アンダーフィル１０６、プロセスばらつき検出部１１０を有する。プロセスばらつき検出部は、プロセスばらつきによる回路特性の変動量をモニタし、モニタされた回路特性の変動量を用いて、算出されたパラーメータを有するアンダーフィル１０６が、基板１０５とミリ波帯の電力増幅器用高周波ＩＣチップ１００との間に充填されることで、プロセスばらつき及びアンダーフィルの影響があっても、所望の回路特性が得られる無線装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器の汎用性を確保しつつ、低コスト化及び小型化が可能な半導体パッケージ（Ｐ）を提供すること。
【解決手段】接地導体（１３１）と、前記接地導体（１３１）の上部に設けられた２層の高周波基板（１３０）と、上層の前記高周波基板（１３０）を挟むように設けられた一対の導体（１３４）と、を含む、半導体パッケージ（Ｐ）が提供される。また、この半導体パッケージ（Ｐ）を含む高周波電力増幅器（１００）が提供される。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力側分布回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力側分布回路と、入力側分布回路に接続された高周波入力端子と、出力側分布回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップのドレイン端子電極近傍に配置された平滑化キャパシタとを備え、高周波半導体チップと、入力側分布回路と、出力側分布回路と、平滑化キャパシタとが１つのパッケージに収納されたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力整合回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力整合回路と、入力整合回路に接続された高周波入力端子と、出力整合回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップに接続される平滑化キャパシタ用端子とを備え、高周波半導体チップと、入力整合回路と、出力整合回路とが１つのパッケージに収納された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても電力増幅器用バイアス回路のリップル電圧ΔＶが抑制されてバイアス回路電圧が平滑化され、マイクロ波／ミリ波／サブミリ波帯の高周波に適用可能な電力増幅器用バイアス回路を提供する。
【解決手段】電力増幅器の出力側整合伝送線路のバイアス回路接続点に接続された第１ボンディングワイヤと、第１ボンディングワイヤの終端に接続された第２ボンディングワイヤと、第１ボンディングワイヤの終端に接続されたオープンスタブ伝送線路と、第２ボンディングワイヤの終端に接続されたバイパスリザバーキャパシタとを備える電力増幅器用バイアス回路。 （もっと読む）

【課題】分布定数線路の長さの誤差または製造ばらつき等による特性変動を抑制すること。
【解決手段】制御端子と、第１端子と、第２端子と、を有する第１トランジスタＴ１と、制御端子に前記第１トランジスタの第２端子が接続し、第２端子に直流電源が接続される第２トランジスタＴ２と、前記第２トランジスタの第１端子から前記第１トランジスタの第２端子に直流電流を供給する、互いに独立した配線からなる複数の直流経路１１、１２と、前記複数の直流経路内にそれぞれ直列に設けられた分布定数線路Ｌ１１、Ｌ１２と、を具備する電子回路。 （もっと読む）

【課題】パッケージの電極部と整合回路との間で生ずるインピーダンスの不整合を改善することができる高周波半導体装置を提供すること。
【解決手段】入出力用電極部１６、１７を有するパッケージ１１とパッケージ内部に載置された半導体チップ１２と半導体チップおよび入出力用電極部にそれぞれ電気的に接続された入出力整合回路パターン２２、３１と、入出力整合回路パターンと入出力用電極部１６、１７とをそれぞれ接続する第１、第５の導体線２３、３２と、入力整合回路パターン２２および出力整合回路パターン３１上にそれぞれ載置された小型チップコンデンサ２４、３３と、これらの小型チップコンデンサと入力用電極部とを接続する第２、第６の導体線２５、３４と、を具備し、小型チップコンデンサは、小型チップコンデンサの容量および第２、第６の導体線２５、３４のインダクタンスによって決定される共振周波数が、使用周波数帯に含まれる容量を有する。 （もっと読む）

【課題】シャントの寄生キャパシタンス成分を相殺することができ、高域周波数帯における特性劣化を抑圧することができる高周波多段能動回路を得る。
【解決手段】高周波多段能動回路の段間インピーダンス整合回路２０として、誘電体基板２１上において一対の長さ１／４波長未満のくし型の導体電極パターンを対向して形成されるインターデジタルキャパシタを含み、かつこのインターデジタルキャパシタのくし型電極２３ａ、２３ｂの要部に誘導性スタブを接続し、かつこの誘導性スタブを介して能動デバイス１０、３０へのバイアス電圧を印加した。 （もっと読む）

【課題】発振対策を容易に講ずることができる高周波半導体増幅装置を提供すること。
【解決手段】パッケージ１４内部に、半導体増幅素子１１、入力整合回路基板１７の表面上に形成された入力整合回路パターン１５、および出力整合回路基板２４の表面上に形成された出力整合回路パターン２３を、パッケージ１４内部に有する高周波半導体装置であって、出力整合回路基板２４の表面上には、出力整合回路基板２４の表面上に、出力整合回路パターン２３に接続するように形成された出力信号ライン２５に対して、容易に電気的に接続・切断可能な減衰器２９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高温通電時には、バイアスジャンプを回避することができ、実運用時には、外部電源を製品によらず共通化することができる。
【解決手段】半導体装置２４と、入力整合回路１７と、出力整合回路１８と、入力整合回路１７に接続された高温動作用ゲートバイアス回路６０および運用時用ゲートバイアス回路７０と、高温動作用ゲートバイアス回路６０に接続された高温動作用ゲートバイアス端子３１ａと、運用時用ゲートバイアス回路７０に接続された運用時用ゲートバイアス端子４１ａと、入力整合回路１７に接続された高周波入力端子２１ａと、出力整合回路１８に接続されたドレインバイアス回路８０と、ドレインバイアス回路８０に接続されたドレインバイアス端子４１ｂと、出力整合回路１８に接続された高周波出力端子２１ｂとを備え、１つのパッケージに収納された高周波モジュール１。 （もっと読む）

【課題】高温通電時にはバイアスジャンプを回避し、実運用時には外部電源を製品によらず共通化し、かつ端子数を削減する。
【解決手段】半導体装置２４と、入力整合回路１７と、出力整合回路１８と、運用時用ゲートバイアス回路７０と、運用時用ゲートバイアス回路７０に接続された運用時用ゲートバイアス端子４１ａと、入力整合回路１７に接続された高周波入力端子兼高温動作時用ゲートバイアス端子２１ａと、出力整合回路１８に接続されたドレインバイアス回路８０と、ドレインバイアス回路８０に接続されたドレインバイアス端子４１ｂと、出力整合回路１８に接続された高周波出力端子２１ｂとを備え、１つのパッケージに収納された高周波モジュール１およびその動作方法。 （もっと読む）

【課題】高い入力電力耐性と、低い雑音指数の両者を達成する低雑音増幅器を提供すること。
【解決手段】低雑音増幅器は、第一のIII族窒化物系トランジスタと、第一のIII族窒化物系トランジスタに結合された第二のIII族窒化物系トランジスタとを含んでいる。第一のIII族窒化物系トランジスタは、入力信号に対する第一増幅段を提供するように構成され、第二のIII族窒化物系トランジスタは、入力信号に対する第二増幅段を提供するように構成される。 （もっと読む）

【課題】広帯域特性の改善と隣接セルからの干渉問題の抑制を両立できる増幅器を得る。
【解決手段】３セル以上のユニットセルトランジスタ（１１）が等間隔に配置されたマルチセルトランジスタ（１０）と、スリット（２３）で区切られたオープンスタブ（２２）により、基本波の整数倍の周波数で短絡状態を形成するように各ユニットセルトランジスタに対応して設けられた高調波処理回路（２１）を複数有し、各高調波処理回路がトーナメント構成となるように線路構成された出力整合回路（２０）とを備えた増幅器であって、各高調波処理回路（２１）は、マルチセルトランジスタを構成する各ユニットセルトランジスタのゲートまたはドレイン端子の少なくとも一方から、電気長で１／２波長未満の距離に配置され、オープンスタブ（２２）が、主線路と平行して片側に１本で配置されている。 （もっと読む）

【課題】小型で伝送損失の少ないインピーダンス変換器、集積回路装置を実現する。
【解決手段】集積回路装置は、インピーダンス変換器15と、集積回路11A,11Bとを有し、インピーダンス変換器15は、第１の誘電率を有する第１の基板21の上方に設けられ、第１のインピーダンスを有する第１の伝送線路22A,22Bと、第１の誘電率より高い誘電率を有する第２の基板31の上方に設けられ、第１の伝送線路22A,22Bと電気的に接続され、第１のインピーダンスよりも低い特性インピーダンスを有する第２の伝送線路32AA,32ABおよび第３の伝送線路32BA,32BBと、第２の伝送線路32AA,32ABと第３の伝送線路32BA,32BBとの間に接続される抵抗35A,35Bとを有し、集積回路11A,11Bは、第２の伝送線路32AA,32ABおよび第３の伝送線路32BA,32BBと電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構造で枝回路間の位相ずれによる利得低下を防止可能な信号合成分配回路を提供する。
【解決手段】 本発明の信号合成分配回路１０は、基板１１に、信号合成点または信号分配点１４を有する複数の枝回路１２ａ、１２ｂおよび１２ｃが配線され、前記複数の枝回路の少なくとも１本の枝回路１２ｂが、他の枝回路１２ａおよび１２ｃと異なる線路長であり、前記異なる線路長の枝回路１２ｂの一部または全部１５が、前記基板１１中に配線されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高調波信号を抑制し、且つ、通過信号である基本波信号の減衰量を低減させる。
【解決手段】フィルタ２００は、基本波信号ｆ０及び基本波信号ｆ０の高調波信号群２ｆ０、３ｆ０、４ｆ０、５ｆ０、６ｆ０が入力される入力端子２１０と、入力端子２１０に入力された基本波信号ｆ０を出力する出力端子２２０と、入力端子２１０と出力端子２２０とを接続する伝送線路２３０と、高調波信号群２ｆ０〜６ｆ０のうちの奇数高調波信号３ｆ０、５ｆ０に対応して設けられ、伝送線路２３０に接続し、対応する奇数高調波信号３ｆ０、５ｆ０の波長の１／４の長さを備えたオープンスタブ２４３、２４５と、伝送線路２３０に接続し、基本波信号ｆ０の波長の１／４の長さを備えた第１のショートスタブ２５１と、伝送線路２３０に接続した第２のショートスタブ２５２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波・ミリ波における集積回路寸法を小型化し、安価なマルチチップモジュール構造を有する高周波回路を提供する。
【解決手段】複数のディスクリートトランジスタＦＥＴ１〜ＦＥＴ３をそれぞれ形成する半導体基板１６₁〜１６₃と、複数のキャパシタＣ１〜Ｃ４をそれぞれ形成する第１誘電体基板１４₁〜１４₄と、複数の整合回路をそれぞれ形成する第２誘電体基板１８₁,１８₂とを備え、複数のディスクリートトランジスタＦＥＴ１〜ＦＥＴ３は直列接続されたことを特徴とするマルチチップモジュール構造を有する高周波回路３０。 （もっと読む）