【課題】他の回路との磁気的結合による干渉を引き起こしにくい無線周波送信機回路のための差動シングルエンド変換回路を提供する。
【解決手段】異なる位相を有する複数の差動入力波形から無線周波波形を受信するための複数の入力３６１ａ、３６１ｂと、波形を複数の差動入力波形から非反転入力波形とほぼ同じ位相に反転させるためのインバータ回路３６６とを具備する回路が開示される。回路は、反転及び非反転入力波形を出力波形に組み合わせるためのコンバイナノード３６８をさらに具備する。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ電力増幅器の高効率動作
【解決手段】入力電力は分割され、不均等にキャリア増幅器および複数のピーク増幅器に供給されることによって、増加された電力負荷効率（ＰＡＥ）および直線性を実現できる。それぞれのピーク増幅器は、キャリア増幅器へ提供される入力信号レベルより高い入力信号レベルを提供される。ピーク増幅器は、均等電力分割を用いて達成されえるよりも、より効率的にＲＦ信号によって持ち上げられえ、よってスレッショルド近くにトランジスタのトランスコンダクタンス特性を補償し、同じ効率についてのバックオフ能力を増し、または同じバックオフ点における直線性を改善しえる。 （もっと読む）

【課題】入力変調信号のエンベロープのダイナミックレンジが大きい場合においても、利得の低下を抑えることができるエンベロープトラッキング方式の高周波増幅器を提供すること。
【解決手段】変調電源回路１００は、エンベロープ信号に対応した変調電源制御信号に応じて出力電圧を可変する変調電源１２０と、前記出力電圧が高い第１の電圧領域で最適な動作をする第１の高周波デバイス１４０と、前記出力電圧が第１の電圧領域より低い第２の電圧領域で最適な動作をする第２の高周波デバイス１５０と、第１の高周波デバイス１４０又は第２の高周波デバイス１５０のどちらかの通過経路及び出力信号を切り替える入力ＲＦスイッチ１６０及び出力ＲＦスイッチ１７０と、入力ＲＦスイッチ１６０及び出力ＲＦスイッチ１７０を切替制御する切替信号を生成する切替信号生成部１１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い入力電力耐性と、低い雑音指数の両者を達成する低雑音増幅器を提供すること。
【解決手段】低雑音増幅器は、第一のIII族窒化物系トランジスタと、第一のIII族窒化物系トランジスタに結合された第二のIII族窒化物系トランジスタとを含んでいる。第一のIII族窒化物系トランジスタは、入力信号に対する第一増幅段を提供するように構成され、第二のIII族窒化物系トランジスタは、入力信号に対する第二増幅段を提供するように構成される。 （もっと読む）

【課題】最低所要供給電圧が低く、小さいチップ領域を占め、電流消費が低く、供給電圧の変動に強いバンドギャップリファレンス回路を提供する。
【解決手段】電圧ジェネレータ（ＶＧ）と、供給回路（ＳＣ）と、バイアス要素（ＢＢ）および制御要素（ＣＢ）を含むバイアス回路（ＢＣ）とを、バンドギャップリファレンス回路は含む。供給回路（ＳＣ）の制御要素（ＣＳ）およびバイアス回路（ＢＣ）の制御要素（ＣＢ）のうちの一つは、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタまたはヘテロ接合バイポーラトランジスタを含み、供給回路（ＳＣ）のバイアス要素（ＢＳ）およびバイアス回路（ＢＣ）のバイアス要素（ＢＢ）のうちの一つは、ロングゲート擬似格子整合型高電子移動度トランジスタまたは抵抗を含む。擬似構成整合型高電子移動度トランジスタおよびヘテロ接合バイポーラトランジスタは、ＧａＡｓ ＢｉＦＥＴ技術プロセスを用いて製造される。 （もっと読む）

【課題】異なる周波数、出力電力または変調方式において動作可能な電力増幅器および通信機器を提供できる。
【解決手段】入力端子および出力端子を有する第１増幅器ＰＡ２と、入力端子および出力端子を有する受動回路ＰＣ３と、単極端子と、２つの多投端子とを有する第１スイッチＳＷ２と、を備えた電力増幅器であって、該第１スイッチＳＷ２の該多投端子の一方は、該第１増幅器ＰＡ２０１の該入力端子に接続されており、該第１スイッチＳＷ２の該多投端子の他方は、該受動回路ＰＣ３の該入力端子に接続されている。 （もっと読む）

実施形態は、これに限定されないが、ソース電極と、入力無線周波数（ＲＦ）信号を受信するゲート電極と、増幅されたＲＦ信号を出力するドレイン電極と、を有する単位セルを含む装置とシステムを含む。フィールドプレートは前記ソース電極に連結され、帰還抵抗は前記フィールドプレートと前記ソース電極間に連結されてもよい。 （もっと読む）

電力増幅システムならびにそのモジュールおよび構成要素が、CRLH構造に基づいて設計され、高効率および高線形性が提供される。

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【課題】スイッチングスペクトラム特性の向上が実現可能な高周波電力増幅用電子部品を提供する。
【解決手段】例えば、増幅用のＮＭＯＳトランジスタＱ５のゲインを、バイアス制御電圧Ｖａｐｃを反映したバイアス電圧Ｖｇで制御し、更に、このＱ５の製造ばらつきに伴うしきい値電圧変動をしきい値電圧補正回路ＶＴＨＣＰＳ１で補償する。ＶＴＨＣＰＳ１は、Ｑ５と同一プロセス仕様からなるＮＭＯＳトランジスタＱ１６を含み、Ｑ５（これに伴ってＱ１６）のしきい値電圧変動に応じてＱ１６に流れる電流の変動分を抵抗Ｒ８で電圧に変換することでＶｇの補正を行う。これによって、出力電力が小さい領域（例えば０ｄＢｍ以下）での固定出力電力となる所謂プリチャージレベルのばらつきを低減でき、スイッチングスペクトラム特性の向上が実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】低歪な電圧電流変換を行う。
【解決手段】電圧電流変換回路３０にはバイアス回路１、コンデンサＣ１、コンデンサＣ２、ＮＰＮトランジスタＮＴ１乃至４、及びインピーダンス素子Ｚ１乃至５が設けられる。ＮＰＮトランジスタＮＴ１はベースにＲＦ入力電圧Ｖｉｎ（＋）が入力され、ＮＰＮトランジスタＮＴ２はベース（制御端子）にＲＦ入力電圧Ｖｉｎ（＋）とは逆相のＲＦ入力電圧Ｖｉｎ（−）が入力される。インピーダンス素子Ｚ１は一端がＮＰＮトランジスタＮＴ１のベースに接続される。インピーダンス素子Ｚ２は一端がＮＰＮトランジスタＮＴ２のベースに接続され、他端がインピーダンス素子Ｚ１の他端に接続される。インピーダンス素子Ｚ１及びＺ２の他端に電圧がバイアス回路１から供給され、インピーダンス素子Ｚ３とインピーダンス素子Ｚ４の両端には、｛Ｖｉｎ（＋）−Ｖｉｎ（−）｝に略等しい差動電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】ＤＣ消費電力を増大させることなく、低レベルの歪みを低減する。
【解決手段】増幅器には、第１のトランジスタが含まれ、第１のトランジスタは第１、第２、および第３の端子を備え、第１の端子は入力端子であり、第２の端子は出力端子であり、第３の端子は共通端子である。増幅器には、第１および第２の端子を備えた線形化回路が構成されている。線形化回路の第１の端子は、トランジスタの共通端子に接続され、第２の端子は、トランジスタの入力端子に接続される。特定の実施形態では、線形化回路は、単位利得バッファであって、その入力端子がトランジスタの共通端子に接続され、その出力端子がトランジスタの入力端子に接続されたものとして構成される。 （もっと読む）

【課題】良好な受信雑音性能を保ちつつ、大電力の高周波信号が入力されても破壊や劣化を回避することができる増幅器を得ることを目的とする。
【解決手段】一端がゲートバイアスライン１６を介してショットキー接合ＦＥＴ１３のゲート端子と接続され、他端がショットキー接合ＦＥＴ１３のゲート電圧端子２０と接続されているゲート電圧抑制用抵抗２１を設けるように構成する。これにより、順方向電流であるゲート整流電流が発生すると、ゲート電圧抑制用抵抗２１によって電位降下が生じ、ショットキー接合ＦＥＴ１３のゲート電圧が引き下げられる。 （もっと読む）

【課題】従来の物性超高周波ドハティ増幅器及び他の高効率電力増幅器よりも効率特性を改善し、そのような高効率電力増幅器よりも線形的な特性を得ることができるハーモニック制御された高効率ドハティ電力増幅装置を提供する。
【解決手段】ドハティ電力増幅装置であって、ハーモニック制御されたドハティ増幅器と、前記ハーモニック制御されたドハティ増幅器の入力及び出力整合のための入力整合部及び出力整合部とを備え、前記ハーモニック制御されたドハティ増幅器は、並列に連結されているハーモニック制御されたキャリア増幅器及びハーモニック制御されたピーク増幅器と、前記ドハティ増幅器の出力整合部の前に配置されて前記ドハティ増幅器がスイッチング又は飽和動作を行うように高調波成分を制御するハーモニック制御回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】周囲温度変動及び電源電圧変動に伴う出力変動を抑制することが可能な高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】利得調整端子１７を有し、電源電圧Ｖｃｃ及び接地に接続され、入力された高周波入力信号Ｐｉｎを増幅して出力する電力増幅器１２と、電源電圧Ｖｃｃ及び周囲温度を検出する検出回路２１を有し、反転入力端子（−）に検出回路２１からの出力電圧が入力され、非反転入力端子（＋）に検出回路２１からの出力電圧及び電源電圧Ｖｃｃとは独立したオフセット電圧発生回路２９からの出力電圧が入力される演算増幅器２７を備えた基準電圧発生回路２０と、一端が演算増幅器２７の出力端子に接続され、他の一端が接地され、出力端子と接地との間の分圧された端子が利得調整端子１７に接続される分圧回路１５とを具備している。 （もっと読む）

【課題】カスコード接続増幅回路の動作を、容易な手段によって確実に停止させることができ、アイソレーションの改善を図ることが可能であるカスコード接続増幅回路を実現する。
【解決手段】本発明に係るカスコード接続増幅回路１は、カスコード接続されるトランジスタＱ１、Ｑ２を備える。このカスコード接続増幅回路１は、トランジスタＱ１のコレクタ端子を接地させるか否か、を選択するスイッチ素子ＳＷ１を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＭＭＩＣ用のインピーダンス整合を、比較的少ない占有面積で実現するとともに、インピーダンスマッチング調整のためのスイッチのオン抵抗による信号の減衰を最小限にとどめる。
【解決手段】 ＭＥＭＳスイッチ１をオンにしてオープンスタブ１７の長さをＭＥＭＳスイッチ１と調整用ランド９の長さを足した分長くすることによりＦＥＴ２５の入力におけるインピーダンス整合のための調整を行う。オープンスタブ１８〜２４についても同様の調整を行。ＭＥＭＳスイッチ１〜８をオンにしてオープンスタブ長を長くして特性が悪化した場合は、ＭＥＭＳスイッチをオフにして元の状態に戻す。８つのＭＥＭＳスイッチのオン／オフにより２５６通りの調整が可能になる。ＭＥＭＳスイッチ１〜８は、インピーダンスの高いオープンスタブ先端近くに位置しているため、スイッチのオン抵抗による信号の減衰はほとんどない。 （もっと読む）

【課題】 送信開始時に出力電力が低いレベルで急に立ち上がるのを回避し、立ち上がり特性を向上することができ、パワーの高いところでの出力電力の変化率を大きくしてパワーを十分に出すことができるＲＦパワーモジュールを提供する。
【解決手段】 電力増幅用トランジスタ（Ｑａ１，２，３）と、該トランジスタとカレントミラー接続されたバイアス用トランジスタ（Ｑｂ１，２，３）とを備えバイアス用トランジスタに出力電力制御電流を流すことで電力増幅用トランジスタにバイアスを与える回路と、出力電力制御電圧（Ｖapc）に基づいて前記バイアス回路へ電流を供給する出力電力制御回路（２３０）とを有し高周波の送信信号を増幅するＲＦパワーモジュールにおいて、バイアス回路には出力電力制御電圧を受け２乗特性を有する電流を生成して上記バイアス用トランジスタに流すようにした。 （もっと読む）

１つ以上の非シリコンベースのスイッチングトランジスタ、及びシリコンベース（例えば、ＣＭＯＳ）の制御器を使用するスイッチモードＤＣ−ＤＣ電力コンバータが開示される。非シリコンベースのスイッチングトランジスタは、必ずしもそれに制限されるとは限らないが、ガリウムヒ素金属半導体電界効果トランジスタのようなIII-V化合物半導体素子、または高電子移動度トランジスタのようなヘテロ構造電界効果型トランジスタを備えることができる。本発明の一実施例によれば、非シリコンベースのスイッチングトランジスタの効果尺度（ＦｏＭ）である“τ_ＦＥＴ”は、本発明のコンバータが、例えばＥＤＧＥ、及びＵＭＴＳのような広帯域幅技術のために考案された無線装置のエンベロープ追跡型増幅回路において使用されることを可能にすると共に、それによって無線装置の効率及びバッテリ貯蓄能力を向上させる。
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スイッチモード電力増幅器が、１．０ＧＨｚを上回る入力信号に応答するトランジスタを含み、そして、そのトランジスタは、アースに結合された１つの端子と、伝導的に電源に結合された別の端子とを含む。共振回路が、第２の端子を出力に結合し、負荷抵抗を出力とアースとに結合する。トランジスタがオンにされている時、第２の端子はアースに結合され、トランジスタがオフにされている時、電源から第２の端子への電流が、トランジスタの内部キャパシタンスへと流され、第２端子上の電圧を最大値へと上昇させ、次いで、下降させ、第２端子での電圧は、共振回路を通じて出力端子に結合する。好適実施形態において、トランジスタは、第１の端子が電源端子であり、第２の端子がドレイン端子であるような化合物半導体電界効果型トランジスタを含む。電界効果型トランジスタは、できれば、化合物高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）もしくは化合物ＭＥＳＦＥＴであることが望ましいが、別の実施形態において、トランジスタは、化合物ＬＤＭＯＳ、化合物バイポーラ・トランジスタ、または化合物ＭＯＳＦＥＴであってもよい。
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