【課題】ＡＴＣ回路を不要とし、かつ受信感度特性に優れたバースト光受信器を得る。
【解決手段】バースト光受信器１において、光バースト信号を電流信号に変換する受光素子２と、電流信号を電圧信号に変換する差動型トランスインピーダンスアンプ回路３と、差動型トランスインピーダンスアンプ回路３からの電圧信号を識別する差動型識別回路４と、一端が電源に接続され他端が受光素子２のカソードに接続された誘導性素子６２と、一端が受光素子２のアノードに接続され他端がＧＮＤに接続された誘導性素子６１と、一端が誘導性素子６２と受光素子２との接続端に接続され他端が差動型トランスインピーダンスアンプ回路３に接続された容量性素子５２と、一端が誘導性素子６１と受光素子２との接続端に接続され他端が差動型トランスインピーダンスアンプ回路３に接続された容量性素子５１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】差動信号生成回路におけるＳ／Ｎ比の改善を図ること。
【解決手段】差動信号生成回路３１は、入力されたＲＦ信号を増幅するソース接地回路３１１と、増幅されたＲＦ信号の差動信号ＲＦ_＋，ＲＦ₋を生成するドレイン接地回路３１２と、生成された差動信号ＲＦ_＋，ＲＦ₋の位相差を調整する容量部３１３とを備えて構成される。また、ドレイン接地回路３１２における第１の抵抗Ｒ１及び第２の抵抗Ｒ２によって、差動信号ＲＦ_＋，ＲＦ₋の振幅が同じとなるとともに、容量部３１３によって、差動信号ＲＦ_＋，ＲＦ₋の位相差がほぼ１８０度となるように調整される。 （もっと読む）

【課題】待機電流を抑制することによって、低消費電力のスイッチトキャパシタ型積分器を実現する。
【解決手段】φ１において入力信号の電荷をサンプリングするサンプルキャパシタＣ１と、φ２においてサンプルキャパシタＣ１の電荷を仮想ノード４を介して累積する蓄積キャパシタＣ２と、蓄積キャパシタＣ２にサンプルキャパシタＣ１の電荷を供給する主トランジスタＭＰ１，ＭＮ１と、主トランジスタＭＰ１，ＭＮ１のゲート端子と仮想接地ノード４の間に挿入された校正キャパシタＣ３，Ｃ４と、φ１において校正キャパシタＣ３，Ｃ４に対して、仮想ノード４が基準電位Ｖｃｍにあるときの主トランジスタＭＰ１，ＭＮ１のゲート・ソース間電圧が略閾値電圧となる電位差が生じるように電荷を供給する校正装置１２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＰＳＲＲが改良された低ドロップアウト線形レギュレータを提供する。
【解決手段】ＬＤＯは、差動増幅器と調整されたカレントミラーとを結合し、それぞれ差分信号を受信するように構成された２つのノードを有する。調整されたカレントミラーは、差分信号をシングルエンド信号に変換および増幅するように構成される。ＬＤＯは、周波数補償用に構成された第１のコンデンサを有し、第１のコンデンサは、第１の段と第２の段との間に結合される。ＬＤＯは、第１のカスコード回路の容量性負荷を平衡化するための第２のコンデンサを有し、第２のコンデンサは、第１の段と電源電圧との間に結合される。第１のカスコード回路は、電源電圧の変動によって生じるコンデンサの入出力間の差電圧を抑制するように構成される。ＬＤＯは、差動増幅器の電源の変動を抑制するように構成された第２のカスコード回路を有する。 （もっと読む）

【課題】必要な線形性を満たし、電力消費を抑え、トランスコンダクタンスを任意の値に変更でき、高周波で動作し、低電源電圧で動作し、出力電流を独立に設定できる電圧−電流変換回路を提供する。
【解決手段】入力電圧を電流に変換すると共に出力電流を変化させる電圧−電流変換本体回路と、電圧−電流変換本体回路の出力電流を増幅する電流増幅回路と、バイアス電流及び増幅率に応じて適切な電流を出力から引く電流源と、GM及び電流増幅回路の出力を独立して設定可能なバイアス電流を生成するバイアス回路と、を備えた。 （もっと読む）

電圧制御発振器（ＶＣＯ）に対するＲＦバッファ回路は、出力電圧波形の位相を選択的にフリップするために、ダイナミックバイアス回路を含んでいる。ＣＭＯＳインプリメンテーションにおいて、ＰＭＯＳ／ＮＭＯＳペアは、出力パス内に採用される。ハイ（電圧）スイングモード状態の最中に、出力の位相は、出力波形がＰＭＯＳ／ＮＭＯＳペアのゲートに出現する電圧に対して同相となるようにフリップされる。本技術は、それによって、ゲート−ドレイン間電圧を減少させ、低位相ノイズ及び低消費電力にしたがった構成内のＭＯＳデバイスの改善された信頼性を許容する。
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第１及び第２のアクティブトランジスタを有するクラスＡＢ増幅器に対してバイアス電圧を発生する技術。ダイオード結合された第１のトランジスタは第１の電流をサポートし、第１のトランジスタのゲート電圧は第１のアクティブトランジスタのゲート電圧に結合される。第１の電流は第２の電流及び第２のトランジスタによってサポートされる第１の補助電流に分割され、第２のトランジスタはクラスＡＢ増幅器のコモンモード出力電圧でバイアスされる。第１の補助電流は第３のトランジスタによってサポートされる第３の電流に結合され、第３のトランジスタは第２のアクティブトランジスタの特性を複製する。第３のトランジスタのドレイン電圧をコモンモード出力電圧に近づけるように設定する技術が与えられる。技術は、クラスＡＢ増幅器内のＮＭＯＳ及び／又はＰＭＯＳアクティブトランジスタに対するバイアス電圧を与えるために用いられる。
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【課題】簡易な構成で、Ｄ級増幅回路の出力電流を反転可能にする。
【解決手段】本発明に係るＤ級増幅回路１００は、入力信号AINに応じて第１状態と第２状態とが切り替えられる。第１状態では、コイルＬと負荷３０とが電気的に切り離された状態で、第１ノードND1から第２ノードND2へ向かう電流がコイルＬに流れた後、コイルＬと負荷３０とが電気的に接続されて、第１ノードND1から第２ノードND2へ向かう電流が負荷３０を流れるとともに容量素子Ｃに充電される。第２状態では、コイルＬと負荷３０とが電気的に切り離された状態で、第２ノードND2から第１ノードND1へ向かう電流がコイルＬに流れた後、コイルＬと負荷３０とが電気的に接続されて、第２ノードND2から第１ノードND1へ向かう電流が負荷３０を流れるとともに容量素子Ｃに充電される。 （もっと読む）

【課題】安価な構成でフィードバック動作が行われる信号増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明に係る信号増幅回路１００は、入力信号DIN1を増幅してアナログの出力信号AOUTを生成する増幅部１０と、入力信号DIN1に基づいて出力信号AOUTが基準値Vrefに到達すべき基準タイミングを特定し、当該基準タイミングにおいて、出力信号AOUTと基準値Vrefとを比較し、その比較結果に応じて、増幅部１０のゲインを制御するゲイン制御信号Ｇを生成して増幅部１０における入力信号補正部１２へ帰還させるフィードバック部２０と、を具備する。 （もっと読む）

本願では、スイッチング増幅器（１２０）のためのパルス幅変調を実施するための装置および方法が説明される。一実施形態において、装置は、サンプリング信号（２０８）を生成するためのサンプリング信号生成器（２０２）と、サンプリング信号生成器（２０２）に動作可能に結合された変調部（１０２）とを含む。変調部（１０２）は、サンプリング信号（２０８）と差動入力信号（２２０−１および２２０−２）とに基づいて、少なくとも１つの差動パルス幅変調波形が差動入力信号（２２０−１および２２０−２）のすべての値において所定の非ゼロの最小パルス幅に等しいデューティサイクルを有するように差動パルス幅変調波形を生成する。
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【課題】トラックモード時の歪み特性を悪化させることなくアクイジション時間を短縮する。
【解決手段】出力電圧を入力電圧に追従させるトラックモードと、出力電圧を保持するホールドモードとを切り替え可能なスイッチトエミッタフォロワ回路であって、ベースに入力電圧端子とスイッチを介して定電流源が接続され、エミッタに出力電圧端子と可変電流源とが接続され、コレクタに電源電圧が印加されるトランジスタと、一端に電源電圧が印加され、他端が出力電圧端子に接続された容量と、スイッチと可変電流源の電流値を制御する制御部とを備え、制御部は、ホールドモードからトラックモードへの切り替えの際に、スイッチをオフからオンに切り替えるとともに、可変電流源の電流値を０から第１に切り替え、所定の時間経過後に、電流値を第１の値よりも大きな第２の値に切り替える。 （もっと読む）

増幅器回路は、入力ノードを有し、入力ノードで受信される入力信号を増幅する。増幅器回路は、出力ノードと、入力ノードと出力ノードとの間に接続されるフィードバック抵抗と、フィードバック抵抗に沿った点で相互コンダクタンス電流を投入するよう配置される相互コンダクタンス回路とを更に有する。相互コンダクタンス回路は、相互コンダクタンス電流が投入されるフィードバック抵抗に沿った点を変更するよう構成される。

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【課題】定電圧電源から供給される電力を基に所望の電圧を出力する電圧発生器において、出力電圧値にかかわらず、電力のロスを削減する。
【解決手段】電源電圧に基づいて、入力電圧を増幅した出力電圧を出力する電圧増幅器と、定電圧電源から供給された電圧を、電圧増幅器の電源電圧に変換して出力するＤＣ−ＤＣコンバータと、電圧増幅器の出力電圧値の設定を受け付け、受け付けた出力電圧値に基づいて、入力電圧値を設定する出力電圧設定部と、ＤＣ−ＤＣコンバータの出力電圧値を、電圧増幅器の出力電圧値に応じて可変させる供給電源電圧設定部とを備えた電圧発生器。 （もっと読む）

【課題】 Ｄ級増幅回路においてゲイン切替を好適に行う。また、それに伴って発生する弊害（周波数特性の変動等）を防止する。
【解決手段】 Ｄ級増幅回路は、入力信号（Ｖｉｎ＋，Ｖｉｎ−）とフィードバック信号（ＦＢａ，ＦＢｂ）を合成した信号を積分して積分信号（Ｘａ，Ｘｂ）を出力する演算手段（１０）と、積分信号と三角波信号（ＴＲＩ）との比較結果に基づいてパルス幅変調信号（Ｐａ，Ｐｂ）を生成する信号生成手段（４０）と、演算手段と信号生成手段との間を接続する第１・第２帰還経路（１９ａ，１９ｂ）上の第１・第２ノード（Ｎ１，Ｎ２）にその両端が接続された帰還抵抗値切替回路（５１）と、を備える。この回路は、自身の抵抗値を変更することによって、全差動オペアンプ（１１）からみた帰還抵抗値を変更する。Ｄ級増幅回路は、このほか、帰還抵抗間容量切替回路（５２）、あるいは積分定数切替回路（５３ａ，５３ｂ）を備える。 （もっと読む）

装置は、共通のＤＣ電流によってバイアスされ、入力信号から増幅された出力信号を発生するように適応されたカスケードの増幅ステージを含む。第１の増幅ステージは、入力電圧信号を実質的に２倍にするルーティングネットワークと、入力電圧信号から第１の電流信号を発生する第１の相互コンダクタンスゲインステージとを含む。第２の増幅ステージは、第１の電流信号を第２の電圧信号に変換する共振器と、第１の電流信号から第２の電流信号を発生する第２の相互コンダクタンスステージとを含む。第３の増幅ステージは、第２の電流信号から第３の電流信号を発生する電流ゲインステージと、第３の電流信号が流れて出力信号を発生する負荷とを含む。
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【課題】出力レベルの立上りを滑らかにしてスプリアスの発生を軽減でき、過電流によるＦＥＴの損傷を確実に防止できる送信増幅器を提供する。
【解決手段】送信増幅器２０のGaAsＦＥＴ２１としてゲート電圧Ｖｇに正の電圧を印加するタイプのものを使用し、ソースを接地し、ドレインに第１電源部２２から出力される「ＤＣ＋４Ｖ」をローパスフィルタ２４を介して供給する。ＦＥＴ２１のゲートには、第２電源部２３から出力される「ＤＣ＋０．７Ｖ」のゲートバイアスを時定数回路２５及びローパスフィルタ２６を介して供給する。第１電源部２２のＳＷ端子２２ａにHigh／Lowの制御信号を入力し、その出力電圧をＯＮ／ＯＦＦすることにより、ＦＥＴ２１をＯＮ／ＯＦＦして送信出力をバースト的に制御する。 （もっと読む）

装置は、入力ＲＦ信号を増幅し、出力ＲＦ信号を供給するＰＡモジュール（３１０）と、高ピーク電圧に対してＰＡモジュールを保護するために、送信機ゲインをコントロールする保護回路（３２０）とを含んでいる。保護回路（３２９）は、アナログ入力信号を量子化し、送信機ゲインを調整するために用いられるデジタルコンパレータ出力信号を供給するコンパレータ（３７０）のセットを含んでいる。保護回路は、ヒステリシスによって送信機ゲインを減少又は増加させる。保護回路は、出力ＲＦ信号の立ち下がり増幅率よりも立ち上がり増幅率の方が速い応答を有している。ヒステリシス及び／又は異なった立ち上がり及び立ち下がり応答は、保護回路が、シビアな負荷のミスマッチ下において送信機ゲインがトグルすることを回避すること、及び増幅率変調に起因する時間変動エンベロープを操作することを許容している。
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【課題】電源オン、オフ時のポップノイズの発生を防止する。
【解決手段】差動増幅回路５０の一方の入力に基準電圧を、他方にオーディオ信号ＩＮを入力するオーディオアンプのオン時およびオフ時に逆Ｖ字型の電圧を発生する三角電圧発生回路１０と、定電圧回路６０と、三角電圧発生回路１０の出力電圧または定電圧回路６０の出力電圧が入力され、入力電圧に比例した電流を生成する電圧電流変換回路２０と、電圧電流変換回路２０の出力電流により充放電されるコンデンサＣ２を備え、起動時に電圧電流変換回路２０の出力電流によりコンデンサＣ２を充電し、この充電電圧を基準電圧として用い、三角電圧発生回路１０の出力である逆Ｖ字型の電圧波形の終わりの部分で、コンデンサＣ２に充電される電圧値が基準電圧Ｖｒｅｆまで上がっていない場合は、定電圧回路６０の出力電圧を電圧電流変換回路２０の入力に接続することでコンデンサＣ２の充電電圧値を上昇させる。 （もっと読む）

アンプのバイアス電流をモニタリングおよび制御するための技術が説明される。典型的な設計において、装置は、アンプとバイアス回路を含むとしてもよい。アンプは、インダクタに連結された少なくとも一つのトランジスタを含むとしてもよい。バイアス回路は、アンプに対するターゲットバイアス電流を得るために、アンプの少なくとも一つのトランジスタに対する少なくとも一つのバイアス電圧を生成してもよい。バイアス回路は、アンプのインダクタを横切る電圧、または、アンプの少なくとも一つのトランジスタの一つを用いて形成されたカレントミラーによる電流、または、アンプの少なくとも一つのトランジスタのうちの一つのゲート−ソース間電圧、または、アンプを模倣するレプリカ回路の電圧、または、無効化されたスイッチモード電源を用いてアンプに適用される電流、に基づいて少なくとも一つのバイアス電圧を生成してもよい。 （もっと読む）

集積回路を渡る伝達のために、高周波数信号（ＩＮ）をバッファリングするための回路、技術、方法が開示される。ある特別の実装において、複数の増幅回路（Ｍ１，Ｍ２）は、電圧制御発振器および／またはデジタル制御発振器からの信号を増幅するために個別にバイアスされ、デバイス上の局所発振器の信号を提供する。 （もっと読む）