【課題】、高出力動作が可能なカレントリユース電子回路を提供すること。
【解決手段】第１端子、第２端子および制御端子を有し、前記第１端子が接地された第１トランジスタＴ１と、第１端子、第２端子および制御端子を有し、前記制御端子に前記第１トランジスタの第２端子が接続され、前記第１端子が前記第１トランジスタの前記第２端子と高周波的に接続され、前記第２端子に直流電源が接続される第２トランジスタＴ２と、前記第１トランジスタの第２端子と前記第２トランジスタの制御端子との間のノードに一端が接続され、他端が前記第２トランジスタの第１端子に接続された第１抵抗Ｒ１と、を具備した電子回路。 （もっと読む）

【課題】光ディスクの高倍速化により高い周波数応答特性が必要な場合においても、ＲＦ信号成分の信号振幅を低下させない受光増幅回路を提供することを目的とする。
【解決手段】入力された光電流を電圧に変換するとともに、変換した電圧のうち第１カットオフ周波数より低い周波数に対応する電圧のみを出力する電流電圧変換アンプ１０２と、電流電圧変換アンプ１０２の後段に接続され、電流電圧変換アンプ１０２から出力された電圧のうち第２カットオフ周波数より低い周波数に対応する電圧のみを出力するＣＲローパスフィルタ回路１０３と、ＣＲローパスフィルタ回路１０３の後段に接続され、ＣＲローパスフィルタ回路１０３から出力された電圧を増幅する電圧増幅アンプ１０４と、少なくとも電圧増幅アンプ１０４と接続され、電圧増幅アンプ１０４から出力された電圧を加算増幅するＲＦ増幅加算アンプ１０５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】サブミクロンＣＭＯＳプロセスで製造されることができかつ良好な線形性および信頼性を有する相補型増幅器を提供する。
【解決手段】ＰＭＯＳトランジスタ４２２とそれにスタック結合されたＮＭＯＳトランジスタ４１２で構成した相補型増幅器４００で、ＮＭＯＳトランジスタ４１２およびＰＭＯＳトランジスタ４２２は、別々のバイアス電圧を有し、それらのバイアス電圧は、各トランジスタの相互コンダクタンスの低高および高低遷移をオーバーラップさせるように選択され、各トランジスタの幅および長さ寸法は、中反転領域におけるＮＭＯＳトランジスタ４１２の入力容量の変化および相互コンダクタンスの変化を中反転領域におけるＰＭＯＳトランジスタ４２２の入力容量の変化および相互コンダクタンスの変化と整合させるように選択される。それによりほぼ一定の総入力容量およびほぼ一定の総相互コンダクタンスを有しうる。 （もっと読む）

【課題】レールツーレールＤＭＯＳ増幅器の出力ステージにバイアスをかけるための方法及び装置を提供する。
【解決手段】本願発明は、増幅器であって、入力信号を受け取るための入力ステージと、前記入力ステージに連結されると共に、前記入力信号に応答して出力ドライバステージに対して駆動信号を提供する高利得ステージと、前記出力ドライバステージに連結された出力端子とを具備することを特徴とする。前記出力ドライバステージは、前記高利得ステージから第１の駆動信号“ｐｄｒｉｖｅ”を受け取る第１の端子、第１の電圧降下を通じてＶＤＤに連結された第２の端子、及び、前記増幅器の前記出力端子に連結された第３の端子を有する高電位側ドライバ回路を備える。 （もっと読む）

【課題】消費電力の少ない基準電圧を発生する回路を、従来並みのサイズで提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体接合に異なる電流密度の電流を流したときの差電圧に比例する電圧と、半導体接合に生ずる順方向電圧に比例する電圧とを加算して出力電圧とするバンドギャップリファレンス回路において、
前記差電圧が印加される第一のトンネル電流素子と、
第二のトンネル電流素子もしくは第二の複数のトンネル電流素子を直列接続した回路と、
前記第一のトンネル電流素子に流れる電流に比例した電流を前記第二のトンネル電流素子に流す手段によって、
上記「差電圧に比例する電圧」を発生させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】効果的に雑音レベルを低減した半導体集積回路を提供する。
【解決手段】差動入力トランジスタであるＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２は、雑音レベルを低減するために薄いゲート酸化膜を有している。これらのＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２を過電圧から保護する保護回路は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ３，Ｍ４を含んで構成されている。Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ３はＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１を過電圧から保護する第１の保護トランジスタであり、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１のドレイン側に直列に接続されている。Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ４は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ２を過電圧から保護する第２の保護トランジスタであり、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ２のドレイン側に直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】連続して入力される信号の増幅または減衰が可能であるとともに、広い利得可変範囲及び高い線形性を実現することが出来る可変利得増幅回路およびそれを用いた受信回路を提供する。
【解決手段】本発明の可変利得増幅回路では、増幅トランジスタのゲートに入力される信号のレベルを低くする（図１（ａ）の状態（Ａ）〜（Ｄ））ために、第１可変利得増幅部の利得が最小になったとき、第２可変利得増幅部が備える第１抵抗および第２抵抗にバイアス電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】 入出力信号のオフセットを補償して、入力電流が増大しても増幅動作を行うことができる電子回路及び光受光回路を提供する。
【解決手段】 本発明の電子回路３０は、相補的な入力電流を、相補的な電圧信号に変換して出力する差動トランスインピーダンスアンプ１０と、出力を入力し、出力が差動トランスインピーダンスアンプ１０の入力に接続される差動回路１８であって、差動回路１８の電流源Ｉｓ５が入力電流の平均値Ｉ２に基づいて制御される差動回路１８と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】昇圧電源を備えたパワーアンプの接続検査に際して、パワーアンプの中点電位とスピーカ接続端子電圧とを比較し、スピーカ接続端子電位が中点電位よりも低い時に接地側にショートしていると判別すると、中点電位がバッテリ電圧より高い時には間違った検査を行う問題点を解決する「パワーアンプのスピーカ接続検査方法及び装置」とする。
【解決手段】パワーアンプの昇圧電源に、バッテリ電圧を昇圧する昇圧手段と並列にバッテリ電圧を引き込むバッテリ電圧引込手段とを設けると共に、昇圧電源からパワーアンプＩＣへの供給電圧を前記昇圧手段とバッテリ電圧引込手段とを切り替える切替手段とを設ける。スピーカ接続検査を行う時には、切替手段によりパワーアンプＩＣへの電圧をバッテリ電圧側に切り替え、接続検査時にはバッテリ電圧の中点電位を用いて、その中点電位よりも端子電圧が低い時のみ接地側ショートと判別する。 （もっと読む）

【課題】熱時定数による増幅利得の時間的な変化を補償でき、良好な直線性を有するパルス増幅装置を提供する。
【解決手段】パルス電力増幅装置１０は、高周波信号を変調するパルス信号を入力され、前記パルス信号を入力され第１の増幅器の熱時定数に対応する時定数を有する第１の微分回路と、前記パルス信号を入力され第２の増幅器の熱時定数に対応する時定数を有する第２の微分回路と、励振回路及び最終段増幅器の入力側の負バイアス端子に供給される負バイアス電圧を出力する負バイアス電源１８と、この負バイアス電源の出力する負バイアス電圧に前記第１の微分回路の出力を加算して前記第１の増幅器の入力側の負バイアス端子に供給する第１の加算回路と、前記負バイアス電源の出力する負バイアス電圧に前記第２の微分回路の出力を加算して前記第２の増幅器の入力側の負バイアス端子に供給する第２の加算回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】入力バイアス電圧の調整の時間的効率を大幅に向上することができる電力増幅装置および電力増幅装置の入力バイアス電圧調整方法を提供すること。
【解決手段】バイアス電圧供給部は、ＧａＮ−ＦＥＴのゲートにバイアス電圧を与える。演算制御部は、異なる時点の負荷電流の差を算出する。参照テーブルは、ＧａＮ−ＦＥＴに対応して定められている、ゲートソース間電圧を一定に保ち始めたときからドレイン電流が変化していく当初のドレイン電流変化率と、ゲートソース間電圧を一定に保ち始めたときのドレイン電流を時間経過後に保つため必要なゲートソース間電圧の変更量との対応関係を記述している。参照制御部は、負荷電流の差を参照テーブルのドレイン電流変化率に当てはめて、ゲートソース間電圧の変更量を取り出す。バイアス電圧変更制御部は、変更量に基づいて、ゲートバイアス電圧を変更するように、バイアス電圧供給部を制御する。 （もっと読む）

【課題】変調信号のオンデューティー比が上限付近の状態が継続しても、Ｄ級増幅器を正
常に動作させて駆動信号を出力が可能とする。
【解決手段】駆動波形信号から生成した変調信号を電力増幅した後、平滑化することによ
って駆動信号を生成する。変調信号を電力増幅するデジタル電力増幅器では、電源とグラ
ンドとの間で２つのＮチャンネル（以下ｃｈ）ＭＯＳＦＥＴをプッシュ・プル接続し、更
に、電源側のＮｃｈＭＯＳＦＥＴに対して並列にＰｃｈＭＯＳＦＥＴを接続する。こうす
れば、電源側のＮｃｈＭＯＳＦＥＴをＯＮにするためのブートストラップコンデンサーに
蓄えられた電荷が不足してＮｃｈＭＯＳＦＥＴをＯＮにすることができない場合でも、Ｐ
ｃｈＭＯＳＦＥＴをＯＮにすることで電力増幅を行うことができ、駆動信号を出力するこ
とが可能となる。 （もっと読む）

【課題】端子構造の複雑化を回避しつつ、ノイズの影響を抑制できる光信号検出装置、浮遊微粒子検出装置および火災警報装置を提供する。
【解決手段】この光信号検出装置２１によれば、光信号検出デバイス１４がフォトダイオード１０１の受光信号を増幅する電流増幅回路１０２を有するので、微小信号を扱うフォトダイオード１０１の出力ラインは光信号検出デバイス１４内に収まり、出力ラインを短くすることが可能となり入力ノイズの影響を低減できる。また、電流増幅回路１０２でフォトダイオード１０１の受光信号を増幅する分だけ、アンプ兼増幅抽出デバイス１７のゲインを抑制でき、入力ノイズの影響を低減できる。また、光信号検出デバイス１４は、電流増幅回路１０２が増幅した信号を出力する信号出力端子１０３が電流増幅回路１０２を駆動する直流電流を供給するための端子を兼ねているので、２端子デバイスとすることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート容量が大きなトランジスタを有する増幅器に接続しても発振を防止できる定電圧回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】定電圧回路４０は、所定の電圧が印加される第１の入力端子４４と、出力端子４６に接続された第２の入力端子とを備えた差動増幅部４１と、ソースが接地され、ドレインが出力端子４６に接続され、ゲートに差動増幅部４１の出力が与えられるトランジスタＴ46を備えたソース接地型増幅器４２とを有する。そして、トランジスタＴ46のゲートとドレインとの間には、抵抗４７とコンデンサ４８とが直列に接続されている。定電圧回路４０から出力される電圧Ｖｇは、増幅器２０のバイアス端子２６ｂからバイアス給電用インダクタ２５ａ，２５ｂを介してトランジスタＴ3，Ｔ4に供給される。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の変動に対する出力電流の変動が小さいカレントミラー回路を提供すること。
【解決手段】カレントミラー回路5は，トランジスタM12の第2のドレイン電流を第2の比率で複製した第2の複製電流を生成する第2の複製電流生成回路J2と，基準電流と第2の複製電流が流入する接続ノード接続ノードQ1とグランドとの間に設けられ，トランジスタM11の第1のドレイン電流を第1の比率で複製した第1の複製電流を生成する第1の複製電流生成回路J1とを有し，出力トランジスタM10のゲートとトランジスタM11，M12のゲートと接続ノードQ1とが接続されている。 （もっと読む）

【課題】印加電圧が変動しても、入力端子から流れ込む電流を一定とすることのできるベース電流補償回路を提供する。
【解決手段】実施形態のベース電流補償回路１は、補償対象トランジスタＱ１０のベースが接続される入力端子ＩＮにベースが接続されたアーリー効果相殺用トランジスタＱ２が、補償対象トランジスタＱ１０に発生するアーリー効果と同じアーリー効果を補償電流生成用トランジスタＱ１に発生させる。補償電流生成用トランジスタＱ１に流れる電流は、カレントミラー回路１１で折り返されて、補償対象トランジスタ１０のゲートへ注入される。 （もっと読む）

【課題】増幅器の歪み特性を緩和しつつ、低レベル高周波信号に対する利得低下を抑制する。
【解決手段】高周波信号を増幅する増幅器（２０）のバイアスを制御するためのバイアス制御回路（１０）は、高周波信号の包絡線を検波する検波器（１１）と、増幅器（２０）に一定のバイアス電流を供給する第一のバイアス回路（１２）と、高周波信号の包絡線のレベル変動に追従して変動するバイアス電流を増幅器に供給する第二のバイアス回路（１４）とを備える。 （もっと読む）

【課題】入力信号の交流成分の歪み等の影響をなるべく受けることなく、本来のデューティー比（目標デューティー比）で出力信号を出力することのできるバッファ回路を提供する。
【解決手段】バッファ回路１０は、デューティー比検出部１６と直流成分生成部１７とから構成される負帰還回路部によって、入力信号増幅部１５の入出力間で出力信号ＳＯのデューティー比に応じた直流成分の信号を帰還させている。つまり、バッファ回路１０は、出力信号ＳＯのデューティー比に応じて、入力信号ＳＩ´の直流成分をさらに小さくしたり、大きくしたりする。これにより、バッファ回路１０は、出力信号ＳＯのデューティー比を目的デューティー比に変更した上で、その出力信号ＳＯを出力することができる。 （もっと読む）

【課題】プロセス変動があった場合でも広い出力電圧範囲が得られるカレントミラー回路を提供する。
【解決手段】この低電圧カスコードカレントミラー回路は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１〜Ｑ５と抵抗素子１を備える。トランジスタＱ３のオーバードライブ電圧Ｖｏｖ＿Ｑ３は、トランジスタＱ４，Ｑ５のオーバードライブ電圧Ｖｏｖ＿Ｑ４，Ｖｏｖ＿Ｑ５の和に等しい。定電流Ｉｃと抵抗素子１の抵抗値Ｒ１との積は、トランジスタＱ５の飽和マージンＶｄｓｍ＿Ｑ５となる。したがって、プロセス変動があった場合でも、トランジスタＱ５の飽和マージンＶｄｓｍ＿Ｑ５は変化しない。 （もっと読む）

【課題】 電流値のバラツキの小さい定電流回路を提供する。
【解決手段】 Ｐチャネルトランジスタ３および９は、互いに比例した定電流を出力する第１および第２の定電流源として機能する。キャパシタ５は、Ｐチャネルトランジスタ３に直列接続されている。放電用スイッチであるＮチャネルトランジスタ６は、周期的にキャパシタ５の充電電荷を放電させる。コンパレータ７は、キャパシタ５の充電電圧Ｖ１が基準電圧Ｖａ以内である期間だけＰチャネルトランジスタ４および１０をＯＮにすることにより第１および第２の定電流源による電流の出力を行わせる。キャパシタ１１、抵抗１２およびキャパシタ１３からなる平滑化回路１９は、第２の定電流源の出力電流を平滑化する。Ｎチャネルトランジスタ１４および１５からなる出力用カレントミラーは、この平滑化回路１９により平滑化された電流に比例した電流を出力する。 （もっと読む）