【課題】動作中におけるノイズの侵入によって、回路動作が停止しても、起動回路を再度駆動させることなく、また、外部からリセット信号を入力させることなく、回路動作を復帰可能とし、起動回路における消費電流の低減を図る。
【解決手段】一定の電流を外部へ供給する基準電流供給部１００と、基準電流供給部１００からの電流供給を受け、供給された電流に電流を生成する定電流供給部１１０と、基準電流供給部１００と定電流供給部１１０の動作開始のための電流を供給する起動用定電流供給部１２０とを有し、起動用定電流供給部１２０からの電流が基準電流供給部１００の起動用のアイドリング電流として供給されることでノイズの影響を受けること無く、従来に比して起動時間の短縮が可能となっている。 （もっと読む）

【課題】 1V以下の低電源電圧動作、及び数１０nA以下の低電流動作をし、かつ温度に依存しない基準電圧を、小さな回路規模で得ることにある。
【解決手段】 閾値電圧の異なる二つのP型FET、M1、M2で第一の電流ミラー回路を形成し、それらのうち閾値電圧の絶対値の大きいM1のゲートとドレインを短絡してダイオード接続しサブスレシホールド領域で動作させ、閾値電圧の絶対値の小さいM2は飽和動作領域で動作させるようにM1の寸法W/LをM2の約10倍に選んだものと、閾値電圧の異なる二つのN型FET、M3,M4で第二の電流ミラー回路を形成し、閾値電圧の高い方をサブスレシホールド領
域で動作させ、閾値電圧の低いM４は飽和動作領域で動作させるようにM３の寸法W/LをM４の
約１０倍に選んだものとで構成し、二つの電流ミラーの出力端を接続して閉回路
を形成し、M4に発生するゲート電圧を基準電圧として使用する基準電圧発生回路を構成している。 （もっと読む）

【課題】新規なオペアンプの回路を示す。
【解決手段】オペアンプの、負の入力端子と出力端子の間に、直列にＲｃ１とＲｃ２を、Ｒｃ１とＲｃ２の間のノードと正の入力端子の間にＣｃ１を、正の入力端子とグラウンド端子の間に位相補償容量Ｃｃ２を、つないだことを特徴とするオペアンプ回路を示す。容量値、抵抗値はいずれも使用プロセスにおける、チップ面積の極端な増大につながらない範囲内の値で設定できる。また設計後に事後的に容量、容量と抵抗を追加でき、チップ外部に接続することも出来る。 （もっと読む）

【解決手段】オーディオサブシステムを含む装置であって、前記電源投入周期中に、スピーカーを駆動するのに用いられる電気信号を制御するパワーアップ信号を発生する波形発生回路を有し、前記パワーアップ信号は、前記電源投入周期の第１サブ周期中、正の２階微分を有し、前記電源投入周期の第２サブ周期中、負の２階微分を有し、前記第１サブ周期は、電源投入周期の少なくとも４分の１に及び、前記第２サブ周期は、電源投入周期の少なくとも４分の１に及ぶ装置。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化および高速化の双方が可能な増幅回路，積分回路および光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出装置１は、フォトダイオードＰＤおよび積分回路１１を備える。積分回路１１は、増幅回路２０、容量素子Ｃ_２および第２スイッチＳＷ_２を含む。増幅回路２０は、ＰＭＯＳトランジスタＴ_１およびＮＭＯＳトランジスタＴ_２それぞれのドレイン端子が互いに接続されてなる駆動部を有する。ＰＭＯＳトランジスタＴ_１０により構成される第１スイッチＳＷ_１は、ゲート端子に入力される第１リセット信号Reset１のレベルに応じて開閉動作する。第１リセット信号Reset１がローレベルであるときには、第１スイッチＳＷ_１は、閉状態となって、ＰＭＯＳトランジスタＴ_１のゲート端子に電源電位ＶDDを印加し、これによりＰＭＯＳトランジスタＴ_１をオフ状態とする。 （もっと読む）

【課題】電力の供給時、非供給時にかかわらず、電力増幅器の出力端子が天絡あるいは地絡などの短絡を起こした場合であっても、電力増幅器を構成する素子を過電流から保護する。
【解決手段】外部の電源からの電力供給を受けて動作するとともに入力信号を増幅して増幅信号出力端子から出力する電力増幅器を、過電流から保護する増幅器保護回路１３は、電力増幅器への電源からの電力供給路に設けられ、遮断制御信号ＳＣＵＴに基づいて電力供給路を遮断するリレー回路１５と、増幅信号出力端子および短絡電流路を介して低電位側電源に流出する電源からの電流により遮断信号ＳＣＵＴを生成し、出力する保護制御回路１４と、を備える。 （もっと読む）

信号ピークを正確に検出できる検出回路が記載される。例示設計では、検出回路は、バイアス電圧発生器とＭＯＳトランジスタを含む。バイアス電圧発生器は、温度の関数としてバイアス電圧を供給する。ＭＯＳトランジスタは、入力ＲＦ信号及びバイアス電圧を受け、整流信号を供給し、この整流信号は、入力ＲＦ信号の線形関数でもよく、バイアス電圧のため低減された温度による偏差を有し得る。バイアス電圧発生器は、温度による整流信号の偏差を低減するために選択された勾配を有する温度依存性電流に基づきバイアス電圧を発生する場合がある。オフセットキャンセラは、整流信号から基準電圧を打ち消し、出力信号を供給し得る。バルクバイアス発生器は、より高い温度での動作速度を改善するために温度の関数としてＭＯＳトランジスタのバルクのためのバルク電圧を発生する場合がある。
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【課題】ＥＣＭのインピーダンス変換および増幅に、Ｊ−ＦＥＴを入力としバイポーラトランジスタを出力とする増幅素子に、バックゲート構造のＪ−ＦＥＴを用いると、バックゲート−半導体基板間の容量が、増幅素子の入出力間の寄生容量（ミラー容量）となり、増幅素子の入力ロスが増大する問題に対し有効な半導体装置を提供する。
【解決手段】接地されたｐ型半導体基板11にｐ型半導体層12を積層し、ｐ型半導体層12にｎ型チャネル領域22を有するＪ−ＦＥＴと、ｎ型コレクタ領域33ｂを有するバイポーラトランジスタを設けた増幅素子とする。これにより、増幅素子の入出力間の寄生容量が発生しなくなるため、ミラー容量による入力ロスの増大を防止できる。また、Ｊ−ＦＥＴのチャネル領域は、エミツタ拡散31と同時に形成できるため、ＩＤＳＳＳや、ピンチオフ電圧が安定し、増幅素子としての消費電流のばらつきが低減し、生産性が向上する。 （もっと読む）

【課題】デシベル利得制御において線形を供給する無線周波数(ＲＦ）ドライバ増幅器システムおよび方法が提供される。
【解決手段】ＲＦドライバ増幅器システムは、入力電圧を受信し、受信した入力電圧に基づいて制御された電流を供給するリニアトランスコンダクタと、絶対温度に従ってリニアトランスコンダクタからの電力を変化させる温度補償回路、温度に従って変更された電力を受信し、それに応答して指数関数電流を供給する指数関数電流コントローラと、および指数関数電流を受信し、制御電流をドライバ増幅器回路類に供給し、それにより、ドライバ増幅器回路類内の少なくとも１つのインダクタによりインダクティブデジェネレーションを補償するインダクティブデジェネレーション補償器を含む。制御電流は、インダクティブデジェネレーション補償器からドライバ増幅器回路を通過する。 （もっと読む）

例示的な実施形態において、デバイスは、対応するトランジスタブレークダウン閾値を有する電力ステージを有する無線周波数電力増幅器の前に結合されたゲインコントロールエレメントを含み、少なくとも１つの電力ステージドレイン−ソース電圧パラメータ値、少なくとも１つの電力ステージドレイン−ゲート電圧パラメータ値、及び少なくとも１つの電力ステージドレイン−ソース電流パラメータ値を受け取るように構成され、パラメータ値を処理する第１のセクションと、対応するトランジスタブレークダウン閾値内において電力ステージに対する最適な電力追加効率（ＰＡＥ）によってゲインコントロールエレメントを調整するためにゲイン補正信号を発生する第２のセクションとを含んだ適応パラメトリックＰＡ保護回路を有する。
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効率的なパワーアンプを設計するための技術が開示される。一態様では、効率を増加し、かつ、量子化ノイズを低減するために、出力に結合された多重シングルユニットインスタンスクラスＤパワーアンプが利用される。別の態様では、シングルユニットインスタンスクラスＤパワーアンプの多重グループが自身の出力に結合され、パワーアンプの各グループは固有の周波数で共鳴するように構成される。これは、多重周波数バンドでの効率の増加および量子化ノイズの低減をもたらす。
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【課題】低消費電力無線通信用システムにむけて、低電圧で動作し、低歪、高可変範囲を有する利得可変増幅回路を実現する。
【解決手段】本発明の増幅回路は、３個のリアクタンス機能素子によって構成する広い可変インピーダンス範囲を有する可変負荷回路が、入力電圧に対してコンダクタンスに比例する電流を出力端子から正相出力するコンダクタ回路に接続されている。 （もっと読む）

【課題】レール・ツー・レール型の増幅回路において適正なオフセット調整等を実現できる増幅回路、集積回路装置、電子機器等の提供。
【解決手段】増幅回路は、Ｐ型差動部ＰＤＦとＮ型差動部ＮＤＦと出力部ＱＰを有する増幅部１０と、増幅部１０のオフセット調整を行うオフセット調整部３０と、Ｐ型差動部用の第１のオフセット調整値を記憶する第１のオフセット調整レジスターＲＧＰと、Ｎ型差動部用の第２のオフセット調整値を記憶する第２のオフセット調整レジスターＲＧＮと、Ｐ型差動部ＰＤＦを動作させる第１の動作モードでは、第１のオフセット調整値をオフセット調整部３０に設定し、Ｎ型差動部ＮＤＦを動作させる第２の動作モードでは、第２のオフセット調整値をオフセット調整部３０に設定する制御部５０を含む。 （もっと読む）

【課題】応答性が良く、回路内の電流や電圧を制御する自由度の高い電流供給回路を提供する。
【解決手段】電流供給回路は、第１及び第２の入力端子と、出力端子とを有するオペアンプと、オペアンプの出力端子に接続された制御端子と、第１及び第２の主端子とを有するトランジスタと、オペアンプの第１の入力端子とトランジスタの第１の主端子との間に配置された第１の抵抗と、オペアンプの第１の入力端子と第１の抵抗との間のノードと、接地線との間に配置された第２の抵抗と、トランジスタの制御端子に接続された制御端子を有し、主端子から電流を出力する第１から第Ｎ（Ｎは２以上の整数）のトランジスタと、それぞれ、第１から第Ｎのトランジスタの主端子に接続された主端子を有する第１から第Ｎのスイッチングトランジスタとを備え、第１から第Ｎのスイッチングトランジスタの制御端子に供給される信号のパルス幅は、パルス周波数によらず一定に設定される。 （もっと読む）

【課題】高周波増幅器を有する高周波機器であって簡単に高周波増幅用トランジスタでの消費電力を変更することができる高周波機器を提供する。
【解決手段】高周波増幅器２７と、マイクロコンピュータ３１とを備え、マイクロコンピュータ３１が、高周波増幅器２７内の高周波増幅用ＮＰＮトランジスタＱ１のベースバイアス電流Ｉ_Bを制御する高周波機器。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路の製造時に生じる抵抗素子のばらつきによる増幅器の負荷変動や温度変化による増幅特性に与える影響を軽減した半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 増幅回路２と、半導体基板上に回路形成した抵抗素子を有するバンドギャップリファレンス電流源５からの電流を電圧変換して前記増幅回路２にバイアス電圧を供給するバイアス回路３と、バイアス回路３内に半導体接合で形成したモニタ抵抗素子５ＭＲと、モニタ抵抗素子５ＭＲを測定する半導体基板上に設けた測定端子６と、バンドギャップリファレンス電流源５の一部を構成し、回路電流を調整する抵抗値が異なる複数の調整抵抗素子７１とを備え、モニタ抵抗素子５ＭＲの抵抗値が所望値より低い場合は、所望値より高い調整抵抗素子を選択し、モニタ抵抗素子の抵抗値が所望値より高い場合は、所望値より低い調整抵抗素子を選択し、増幅回路２のバイアス電圧を調整する。 （もっと読む）

【課題】増幅回路の応答速度等を改善する。
【解決手段】増幅回路１ｂは、入力信号が供給される差動増幅回路２０と、差動増幅回路２０の出力を受けるソースフォロア回路３０と、ソースフォロア回路３０の出力端Ｅ、差動増幅回路２０の入力端Ｓ、差動増幅回路２０の出力端とソースフォロア回路３０の入力端Ｓの間の中間端点Ｍのそれぞれと接続される複数の帰還経路ブロック４０を備える。各帰還経路ブロック４０において、抵抗１６およびキャパシタ１７の一端は、選択スイッチ１８を介して入力端Ｓと接続され、抵抗１６の他端は出力端Ｅに接続され、キャパシタ１７の他端は中間端点Ｍに接続されている。そして、中間端点Ｍから帰還経路ブロック４０−２、４０−３のキャパシタ１７−２、１７−３に至る経路に解放スイッチ７０が間挿される。 （もっと読む）

【課題】 動作していないときの消費電力が小さく、且つ構成が単純で実用に耐える増幅回路ならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器を提供する。
【解決手段】 増幅器11と、電源端子12と、増幅器11の電源用端子11ｃおよび電源端子12の間に直列に接続された第１のスイッチ14ａ，インダクタ13，第２のスイッチ14ｂと、電源用端子11ｃとアースとを接続する第１のキャパシタ15ａと、インダクタ13の第２のスイッチ14ｂ側とアースとを接続する第２のキャパシタ15ｂと、インダクタ13の第１のスイッチ14ａ側とアースとを接続する第３のキャパシタ15ｃと、第１，第２のスイッチ14ａ，14ｂを制御する制御回路16とを備え、増幅器11が動作するときは第１，第２のスイッチ14ａ，14ｂがオンになり、増幅器11が動作しないときは第１，第２のスイッチ14ａ，14ｂがオフになる増幅回路とする。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が低い場合においても確実に動作させることができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】入力端子１、２に入力される信号を、制御信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２に従ってオン／オフ制御するＮＭＯＳスイッチ５、６と、ＮＭＯＳスイッチ５、６によってオン／オフ制御された信号を増幅する演算増幅器８とを具備する半導体集積回路である。この集積回路は、制御信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２を演算増幅器８の電源電圧より高い電圧に昇圧するレベルシフタ３１を有している。 （もっと読む）

サブスレッショルド集積回路におけるプロセスばらつき防止方法とボディ電位変調回路が掲載されている。前記ボディ電位変調回路は、目標ＭＯＳデバイス（１１）と、誘導ＭＯＳデバイス（１２）と、電流−電圧変換回路（１３）とを備えている。前記電流−電圧変換回路は、誘導ＭＯＳデバイスから出力された誘導電流を誘導電圧に変換するとともに、その誘導電圧を目標ＭＯＳデバイスのボディ端にフィードバックして、目標ＭＯＳデバイスのボディ電位を変調するためのものである。
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