【課題】 ＰＡ増幅部の非線形歪を小さくし、且つ、電力効率の高いＥＴ電力増幅装置を提供する。
【解決手段】 ＥＴ電力増幅装置は、増幅対象の入力信号を電源電圧によって増幅するＰＡ増幅部２０１と、入力信号の振幅を検出し、振幅−電源電圧特性に基づいた制御信号を出力する電源制御部２０２と、制御信号に応じた電源電圧をＰＡ増幅部に供給するＰＡ電源部２０３と、を備え、振幅−電源電圧特性は、振幅に対して電源電圧を線形とし且つ当該電源電圧に下限を設定した振幅−電源電圧特性である。 （もっと読む）

【課題】アンプが必要とする電源を提供するために用いられ、発生される電源は入力信号の大小に従い適切に変化し、これにより、大幅なエネルギーの損失を省くことができ、電池の作動時間を延長させることが可能なだけでなく、熱量の発生と排出を減少させることが可能な電源発生システムを提供する。
【解決手段】少なくとも一つの信号追跡ユニットは入力信号を受信し、これに基づき追跡信号を発生させ、前記追跡信号の波形は入力信号のピークを追跡する。少なくとも一つのＤＣ−ＤＣコンバータは前記追跡信号を受信し、これに基づき電源を発生させる。 （もっと読む）

【課題】デバイスの温度変動および／またはプロセス変動に起因するＭＯＳデバイスのバイアス条件の変動を正確に補償できる技術を提供する。
【解決手段】ＩＣデバイスがゲート端子、ソース端子およびドレイン端子を有するＭＯＳデバイスを備え、ゲート端子はＩＣデバイスの入力部に動作可能に結合され、ドレイン端子はＩＣデバイスの出力部に動作可能に結合され、ソース端子は負電圧供給源に結合している。ＩＣデバイスは、さらに、ＭＯＳデバイスのゲート端子に動作可能に結合されているバイアス発生器を備え、このバイアス発生器は、ＭＯＳデバイスにほぼ一定の静止動作点でバイアスをかけるバイアス電圧および／またはバイアス電流を発生する。バイアス発生器は、バイアス電圧および／またはバイアス電流がＭＯＳデバイスの接合温度の関数として変化するように構成されている。このようにして、バイアス発生器が、ＭＯＳデバイスの１つまたは複数の動作条件を正確にたどり、それによってデバイスの性能を向上させる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で歪を抑制しつつ消費電流を低減する。
【解決手段】増幅回路１００は、正入力端子Ｔ１と負入力端子Ｔ２とに供給される電圧の差分を増幅し差分電圧Ｖａを出力する差動増幅部１０と、入力信号Ｖｉｎの電圧を検出し検出電圧Ｖｂを出力する入力電圧検出部２０と、正電源電圧＋Ｖｃｃが供給される正電源端子Ｔ６と出力端子Ｔｏｕｔとの間に設けられ、出力端子Ｔｏｕｔから電流を吐き出すＰＭＯＳ３１と、負電源電圧−Ｖｃｃが供給される負電源端子Ｔ７と出力端子Ｔｏｕｔとの間に設けられ、出力端子Ｔｏｕｔから電流を吸い込むＮＭＯＳ３２とを有する出力部３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】コンパレータを使用せずに、調整電圧の傾きの切り替えを滑らかに行って温度特性の補正精度を向上させることのできる温度特性補正回路及びセンサ用増幅回路を提供すること。
【解決手段】所定の温度特性を備えた温度依存電圧Ｖｔあるいはその温度依存電圧Ｖｔを反転させた反転電圧ＸＶｔと、温度に関わらず一定電圧である基準電圧Ｖｒｅｆとに基づいて、第１及び第２補正電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２をそれぞれ生成する補正用増幅器２０，３０を備えた。この補正用増幅器２０，３０の各出力端子をワイヤードオア接続した。 （もっと読む）

【課題】負荷電流の範囲を増加させることが可能なオペアンプを提供する。
【解決手段】入力端子−ＩＮ，＋ＩＮに入力される入力信号の電位差を増幅して出力する第１の差動増幅回路１１と、該回路１１の差動対１１ｂでの電位差を増幅して出力する第２の差動増幅回路１２と、該回路１２の差動対１２ｂでの電位差に基づいて動作する差動対１３ｂを含む第３の差動増幅回路１３を有する。プルアップ側のトランジスタＴＰ４１は第２の差動増幅回路１２の出力ノードＮ２の電位で動作し、プルダウン側のトランジスタＴＮ４１は第１の差動増幅回路１１の出力ノードＮ１の電位で動作し、同プルダウン側のトランジスタＴＮ４２は第３の差動増幅回路１３の出力ノードＮ３の電位で動作する。 （もっと読む）

【課題】ドレイン電圧を変化させる電力増幅器において、電力増幅器のインピーダンス変動によるエンベロープ信号の精度低下を回避することができる電力増幅装置を提供すること。
【解決手段】電力増幅装置１００は、ベースバンド信号のＲＦ信号を電力増幅する電力増幅器１３０と、ベースバンド信号の振幅量であるエンベロープ信号を生成するエンベロープ生成回路１４０とを備える。また、高周波電力増幅装置１００は、生成されたエンベロープ信号の振幅値と、閾値入力端子１０２に入力される閾値とを比較する比較回路１５０と、比較回路１５０からの制御信号を受けて、電力増幅器１３０の電源電圧を変調電源１６０からレギュレータ１７０への電源電圧に切替える切替えスイッチ１８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ＦＥＴ１の劣化ないし破壊を防止するための保護回路を提供することを目的とする。
【解決手段】
主スイッチ２をＯＮすると＋電源３および−電源４に電圧が供給されコンデンサＣ３およびＣ４により＋電源と−電源は徐々に立ち上がる。この時電子スイッチ２１はＯＦＦに設定されている。−電源４が規定値まで立ち上がると電子スイッチ２１はＯＮとなりＦＥＴ１のドレインに＋電源３が印加される。主スイッチ２をＯＦＦとすると＋電源３と−電源４はコンデンサＣ３およびＣ４により徐々に電圧は下がり始める。−電源が下がり始めると電子スイッチ２１はＯＦＦとなりＦＥＴ１のドレイン電圧７はＯＦＦとなる。
（もっと読む）

【課題】本発明の一実施例では、入力差動信号の電位差に応じて電流供給能力を最適化する差動増幅装置を提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、本発明の一実施例である差動増幅装置は、入力電圧の電位差に応じた電流駆動能力を有する差動アンプと、該入力電圧の電位差に応じた電圧振幅を有する調整信号を出力する調整部と、該差動アンプの電流駆動能力を該調整信号に応じて調整する電流源とを有する。 （もっと読む）

【課題】高周波増幅器を有する高周波機器であって簡単に高周波増幅用トランジスタでの消費電力を変更することができる高周波機器を提供する。
【解決手段】高周波増幅器２７と、マイクロコンピュータ３１とを備え、マイクロコンピュータ３１が、高周波増幅器２７内の高周波増幅用ＮＰＮトランジスタＱ１のベースバイアス電流Ｉ_Bを制御する高周波機器。 （もっと読む）

【課題】ピーク信号の電力および位相を最適化できるようにして、ドハティ増幅装置の生産性、リニアリティおよび効率を改善する。
【解決手段】ドハティ増幅装置を改良した増幅装置２においては、減衰器２４２および移相器２４４によるピーク信号の位相および電力の最適に調整される。この最適化の結果、キャリア増幅部２２およびピーク増幅部２４において生じるキャリア信号と、ピーク信号との位相差が解消されるので、高効率で、しかも、リニアリティよく、無線信号を増幅できるようになる。 （もっと読む）

【課題】差動増幅回路のＰ１ｄＢ特性を改善するための新たな仕組みを提供する。
【解決手段】第１及び第２の差動入力に各々接続された第１及び第２のトランジスタＴｒ１,Ｔｒ２と、該第１のトランジスタと第１の差動出力との間に配置された第１のカスコードトランジスタＣＴ１と、該第２のトランジスタと第２の差動出力との間に配置された第２のカスコードトランジスタＣＴ２と、該第１及び第２のトランジスタの制御端子に接続された制御端子を有する第３のトランジスタＴｒ３と、該第１及び第２のカスコードトランジスタの制御端子に接続された制御端子を有する第３のカスコードトランジスタＣＴ３と、第１及び第２の差動入力から入力された差動入力信号の振幅を検波し、当該振幅に応じて、該第１から第３のカスコードトランジスタのゲート電圧又はベース電流を制御する検波回路１０１とを備える。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧を可変とする増幅装置の電力効率を更に向上させることができる高周波電力増幅装置を提供する。
【解決手段】 入力された基本波の入力レベルを検出する検波器５と、入力レベルに応じた電源電圧を出力するＤＣ−ＤＣコンバータ６と、高調波反射回路を備えた増幅器４の入力段に、２次高調波を発生する高調波発生器１０ａと、発生した２次高調波の位相を調整する可変移相器１０ｂと、２次高調波の振幅を調整する可変減衰器１０ｃとを備え、基本波信号に２次高調波を注入して増幅器に入力する高周波電力増幅装置としている。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で、雑音指数と歪み特性とを改善する。
【解決手段】 フォトダイオード２が光信号を受けて、受光信号を発生する。この受光信号は、増幅段１６に供給される。増幅段１６は、バイポーラトンジスタ１８を備え、ベースに受光信号が供給される。バイポーラトンジスタ１８のコレクタ、ベース及びエミッタには、抵抗器２０、２２、２６等によってバイアスが供給されている。受光信号のレベルをレベル監視部３８が監視し、その監視結果に従って、高周波阻止コイル３４を介してトランジスタ１８のコレクタに供給する電圧を制御する。前記受光信号のレベルが小さいとき、コレクタに供給される電圧が小さく、雑音指数が改善され、受光信号のレベルが大きいとき、コレクタに供給される電圧が大きく、歪み特性が改善される。 （もっと読む）

【課題】 出力電圧が低い領域まで、差動入力段を含む複数段構成の増幅回路の位相余裕を大きく保つ。
【解決手段】 増幅回路１は、差動入力段２及び出力段３から構成されている。
差動入力段２は、ＰｃｈＭＯＳトランジスタＥＰ１、ＥＰ２、及び差動対をなすＮｃｈＭＯＳトランジスタＥＮ１乃至ＥＮ３から構成された差動増幅回路である。出力段３は、ＰｃｈＭＯＳトランジスタＥＰ３、容量Ｃ１、抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２、及び抵抗Ｒｘから構成され、抵抗Ｒｘは、抵抗Ｒ１及びＲ２の間とＮｃｈＭＯＳトランジスタＥＮ１のゲートの間に設けられ、ＣＲ回路４のゼロ（Ｚｘ）と極（Ｐｘ）の周波数を引き離し、増幅回路１の位相余裕を大きくする。 （もっと読む）