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国際特許分類[B23K103/12]の内容

国際特許分類[B23K103/12]に分類される特許

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【課題】Pbを含まない安価な材料で構成され、Pbを含む接合材料と同等以上の高い融点を有し、パッケージの気密封止等のための接合材料として好適なろう接用複合材を提供する。
【解決手段】金属で形成された基材1の上に接合材2を積層した構成を有するろう接用複合材100において、接合材2は、基材1側から亜鉛含有層(亜鉛層3A)、アルミニウム層4及び銅層5をこの順に積層した構成とし、銅層5は、接合材2の最外層を構成する。 (もっと読む)


【課題】無酸素銅(OFC)を用いる場合に比して、軟質銅撚線を製造する上において、はんだめっき槽への浸漬時間をより短時間で行うことができ、更なるめっきラインの増速化を実現することができる溶融はんだめっき撚線の製造方法を提供する。
【解決手段】不可避的不純物を含む銅と、2mass ppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、N、Mn、Ti、Crの少なくとも一種の添加元素と、を含む希薄銅合金材料に対して伸線加工を施して伸線材2aを作製する伸線工程Aと、該伸線材2aを複数本用意し、これらを撚り合わせることにより撚線9を作製する撚線工程Aと、撚線9を溶融はんだめっき槽に浸漬することで伸線材2aの表面にめっき層を形成する溶融はんだめっき工程Cとを備え、溶融はんだめっき工程Cの熱量によって伸線材2aを軟質銅線に変質させるものである。 (もっと読む)


【課題】ボンディング工程の前にはんだとCuとの迅速な反応によって形成される金属間化合物の成長を制御し、ボンディング工程の後に金属間化合物の成長を阻害する方法を提供する。
【解決手段】(i)基板を含み、その上に少なくとも一層の金属パッドを堆積させた基板要素を調製する工程であって、金属パッドの層上に少なくとも一つの薄層のはんだが堆積させられ、その後リフロー処理を実施する工程;および(ii)基板要素上に適宜の厚さのはんだのバンプをさらに堆積させる工程を含む金属間化合物の成長の阻害方法であって、薄いはんだ層の適宜の熱処理の後に、薄いはんだ層と金属パッド中の金属との反応によって薄い金属間化合物が形成されることを特徴とする金属間化合物の成長の阻害方法。薄い金属間化合物の形成は、金属間化合物の成長を遅らせ、金属間化合物の変換を防ぐことが可能。 (もっと読む)


【課題】はんだフィレットの経時劣化を防止しはんだ接合構造の信頼性を向上させる。
【解決手段】はんだ材付きリード部材10は、リード線11の表面に、Cuめっき下地層12を施し、この上にさらに所定濃度以上のSnを含有するSn系はんだ層13を積層した複層構造を有する。Sn系はんだ層13を用いてリード線11に半導体や圧電振動子などの電子素子20を接合し、はんだ付け後のはんだフィレットに所定の熱処理を施すことで拡散反応を平衡状態にして経時変化を抑制するとともに、はんだフィレットの金属組成をより耐熱性の高温はんだに変化させることを特徴とする。このときリード線11に施したCuめっき下地層12は、予め充分な厚みを設けてCuとSnとの相互拡散を平衡状態まで進行させてもCuめっき下地層12が消失しないようにしている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電気接続端子構造体とその製造方法、及びこれを含むプリント回路基板に関する。
【解決手段】本発明は、接続端子、金属間化合物(IMC)、及びはんだ層を含み、前記金属間化合物(IMC)は1μm以下のニッケルメッキ被膜を含む無電解表面処理メッキ層からなるものである電気接続端子構造体とその製造方法、及びこれを含むプリント回路基板に関する。
本発明による金属間化合物構造を有する電気接続端子構造体は、リフロー工程を経る間はんだ接合界面においてNi−Sn系の金属間化合物及びリン蓄積層の生成を抑制することにより耐衝撃性を向上させることができ、リフロー(reflow)を行う前まではNi層を含んで作業性を向上させることができる結合構造を有する。 (もっと読む)


【解決手段】ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルリン酸エステル、ポリオキシアルキレンフェニルエーテルリン酸エステル、ポリオキシアルキレンナフチルエーテルリン酸エステル、ポリオキシアルキレンスチレン化フェニルエーテルリン酸エステル及びそれらの塩から選ばれる1種又は2種以上の陰イオン界面活性剤と、リン酸、縮合リン酸、亜リン酸、次亜リン酸及びそれらの水溶性塩から選ばれる1種又は2種以上のリン酸化合物とを含有する錫又は錫合金めっき皮膜用後処理剤。
【効果】錫又は錫合金めっき皮膜の高湿度条件下及び高温条件下における変色、はんだ濡れ性の劣化を抑制することができ、また、リフロー酸化による変色を抑制することができることから、電子部品のはんだ接合の信頼性を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】Biを主成分とするはんだ材料による接合構造体において、応力緩和性を改善して、接合部でのクラックや剥離の発生を防止する。
【解決手段】半導体素子102をCu電極103にBiを主成分とする接合材料104を介して接合した接合構造体において、接合材料104から被接合材料(半導体素子102、Cu電極103)に向けて、ヤング率が傾斜的に増大するような積層構造を介して半導体素子102とCu電極103とを接合することにより、パワー半導体モジュールの使用時における温度サイクルで生じる熱応力に対する応力緩和性を確保する。 (もっと読む)


【課題】缶体の製造時、胴体と鏡板との接合部の仮止め溶接を不要とし、接合部を密に当接した状態を保持し、溶接器具配置の空間を充分に備えた製造装置を提供する。
【解決手段】胴体1の両側に設けた鏡板2に配置された各矯正用リング21の段付き部21aに、鏡板2の立ち上げ部後面2bを当接し、鏡板2の立ち上げ部前面2cと胴体1の立ち上げ部前面1bとを加圧ユニット3の加圧力により密に突き合わせ、矯正用リング21を横方向駆動ユニット22により突き合わせ部12から離脱後、回転駆動ユニット4により、胴体1、鏡板2、各矯正用リング21を一体的に回転する。 (もっと読む)


【課題】コスト低減及び小型化が図れるエアーパージ装置を提供する。
【解決手段】エアーパージ装置1は、銅管Cのロウ付け時に用いられるエアーパージ装置であって、銅管Cの一端に嵌合するノズル3と、ノズル3を介して銅管C内部に窒素ガスを供給する窒素ガス供給装置2とを備える。ノズル3の外周には、銅管C内部の空気を銅管C外部に逃がすための溝部32が形成されている。また、ノズル3は、窒素ガスが供給される流路上流側から流路下流側にかけて外径が小さくなるテーパー状に形成されている。 (もっと読む)


【課題】コストアップを抑制しつつ、金属管同士の接合部分における信頼性の低下を抑制できる金属管の接合構造を提供する。
【解決手段】第1金属M1を主成分とする第1金属管11、及び第2金属M2を主成分とする第2金属管12のうちの一方の金属管は、端部の内径がこの端部に隣接する隣接部16の内径よりも大きい接続用拡径部13を有している。ろう材14と一方又は他方の金属管との間における第1金属M1と第2金属M2の界面には、第1金属M1と第2金属M2により形成された金属間化合物層15が存在している。この金属間化合物層15の厚さは、開口端13a側の端部15aよりも基端13b側の端部15bの方が小さい。 (もっと読む)


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