【課題】 レーザ光による加工が行われている被照射面の光軸の中心を自動焦点の測距の基準位置とすると、正確な被照射面と対物レンズとの間の測距を行うことができない。
【解決手段】 被照射面に加工用レーザ光Ｌ１を照射する際に、加工用レーザ光Ｌ１の光軸の中心を除いた周囲に複数のレーザ光Ｌ２の光束が位置するように各光学系を配置し、
被照射面から反射したレーザ光Ｌ２の複数の光束それぞれに基づいた被照射面に対する集光状態に関する情報から、被照射面に対する対物レンズ５２ａの自動焦点調整を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ熱放射を被処理体上に直接照射することにより生じる，被処理体の表面損傷を防止できる乾式表面クリーニング装置を提供する。
【解決手段】本発明は，レーザ光線２を発生するレーザ装置と，レーザ光線２をクリーニングされる被処理体１０の周囲のレーザ焦点３に収束させることにより，レーザ焦点３の周囲でプラズマ衝撃波５を発生させ，プラズマ衝撃波５を被処理体１０に衝突させて，被処理体１０上の汚染物質を除去するために用いられる焦点レンズ１と，レーザ焦点３と被処理体１０との間に設置され，プラズマ衝撃波５の発生時に生成されるプラズマ熱放射６による被処理体１０上の表面損傷を防止する熱放射防御手段を含む。 （もっと読む）

レーザエネルギ供給システムはリレーイメージングシステムを備える。レーザエネルギを受け取るよう配置された入力光学装置、入力光学装置に対する入射角が調節可能な伝送ミラー、及び、ロボット搭載光学組立品が、レーザエネルギを移動可能なターゲット像平面に向けるように構成されている。レーザエネルギは、伝送ミラーから受光ミラーまでの空気中において、長さ及び入力光学装置に対する角度が変更可能な基本的に一直線の区間を含む光学経路をたどる。加工ヘッドに搭載された診断用装置によって処理が容易となる。
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【課題】 半導体基板及びダイボンド樹脂層を精度良く切断することができるとともに、半導体基板における表面又は裏面の所望の側の面において、より精度の良い切断とすることができる半導体基板の切断方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１の内部に、集光点におけるピークパワー密度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上でかつパルス幅が１μｍ以下の条件で、切断予定ラインに沿ってレーザ光を照射することにより、半導体基板１１の内部に形成される溶融処理領域１３により切断予定部を形成する工程と、ダイボンド樹脂層２３を介して半導体基板１１に貼られたシート２０を拡張させることにより、半導体基板１１の切断予定部に沿って、ダイボンド樹脂層２３を切断する工程とを含む半導体基板の切断方法において、切断予定部は、半導体基板１１の表面近傍に形成する。 （もっと読む）

【課題】 ガス噴射手段などを付加することなく、ろう材を効率よく熱することができる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】 図（ａ）は算術平均粗さＲａと必要レーザ出力の関係を示すグラフであるが、横軸で０〜０．５μｍの範囲では、必要レーザ出力が急激に変化した。また、横軸で４．５μｍを超える範囲では、必要レーザ出力が急増する。逆に、横軸で０．５μｍ〜４．５μｍの範囲では、７０％以下のレーザ出力に安定的に抑えることができる。
【効果】 入熱効率が高まれば、より短時間でろう材を溶かすことができるため、接合作業の生産性を高めることができる。また、入熱効率が高まれば、ガス噴射手段などを付加しないで、レーザ出力を下げることができ、レーザ照射装置の小型化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 チャックが配置されたカップを水平方向に移動させ、ウエハの表面に液体を介在させてレーザー光により例えばダイシングを行う装置において、レーザー処理の面内均一性を向上させること。
【解決手段】 レーザー光を発光するための光発振部４１と光発振部４１から発光されたレーザー光をウエハ表面に結像するための光学系ユニット４５とを含む光照射部４から、ウエハ表面に液体を供給した状態でレーザー光を照射して所定の処理を行うにあたり、変位計５によりウエハＷ表面と光学系ユニット４５との距離Ｍ１を計測し、この計測値に基づいて光学系ユニット４５のウエハ表面からの高さ位置を補正して所定のレーザー処理を行う。ウエハ表面に凹凸がある場合でも、ウエハ表面と光学系ユニット４５との距離が揃えられるので、レーザー光が均一にウエハに照射されて、面内均一性の高い処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工装置における加工ヘッドと被加工面とのギャップを一定とする倣い制御を、被加工面の反りや傾斜などの状態に拘わらず高精度に制御する。
【解決手段】被加工面の位置を演算する被加工面位置演算部８と、加工ヘッドのｘ方向移動に伴って被加工面のｚ方向に変化する速度を、演算された被加工面の位置に基づいて演算する被加工面速度演算部９とを備え、ギャップ計測値４ａとギャップ指令値５とのギャップ偏差６ａを０にするフィードバック制御のための第１の速度指令７ａに、被加工面速度演算部９にて演算された被加工面速度９ａを加算して第２の速度指令１０ａを演算して、加工ヘッドのｚ方向の駆動制御に用いる。 （もっと読む）

【課題】 レーザ加工装置において加工ヘッドを被加工面へアプローチする際、アプローチ動作中の状況に応じた迅速で最適な制御を可能にすると共に、制御系の遅れによるオーバーシュートを抑制し、短時間で信頼性よく目標位置に収束させる。
【解決手段】 被加工面位置６ａを検出すると共に、加工ヘッドの位置制御に用いるその時点の位置指令４ａをフィードバックして、アプローチ終了までの上記加工ヘッドに対する残り位置指令分に対応する距離８ａを演算し、この残指令距離８ａに対応する速度指令１３ａを予め設定された最大加速度および最大速度とに基づいて演算し、該速度指令１３ａを位置指令４ａに変換して、加工ヘッドの移動を位置制御する。 （もっと読む）

アナモフィックビーム照射システムを用いて可変非点焦点ビームスポットを形成する。この可変非点焦点ビームスポットは、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）ウェハーのような半導体ウェハーを描画するようなカッティング用途に用いることができる。例示のアナモフィックビーム照射システムは意図的に非点収差を導入して２個の主経線例えば、垂直と水平に分離された焦点を生成する光学コンポーネント群を備える。非点焦点は、尖らされたリーディング・トレーリングエッジから成る非対称だがシャープに合焦されたビームスポットとなる。非点焦点の調整によって、圧縮された焦点ビームスポットのアスペクト比を変え、レーザー出力パワーに影響を与えることなく、ターゲットでのエネルギー密度の調整を可能としている。適当に最適化されたエネルギー及びパワー密度でのウェハーの描画によって、描画速度を増大する一方、過剰な熱及び傍らの材料のダメージを最小にする。
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【課題】 加工対象物が大型化しても、被加工面上でレーザビームが焦点を結ぶ状態を保つことが容易な焦点位置調整装置を提供する。
【解決手段】 焦点位置調整装置は、収束または発散する光が入射し、入射する光の進行する方向に関する厚さが可変である光透過部材と、前記光透過部材の厚さを変化させる駆動機構とを有する。 （もっと読む）