本発明は、一実施形態において、化学的機械的研磨用の研磨パッド（１００）を提供する。研磨パッドは、研磨本体（１１０）を備えている。研磨本体は、凹面セル（１２５）を備えた表面（１２０）を有する熱可塑性発泡体基板（１１５）を備えている。研磨剤（１３０）は、凹面セルの内部表面（１３５）を被覆する。研磨剤は、炭化物または窒化物を含有する無機金属酸化物を含む。本発明の別の実施形態は、研磨パッド（２００）を製造するための方法である。

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本発明は、シリコンウエハの表面または外周部、または表面を酸化膜や窒化膜等で被覆した表面または外周部の研磨加工を行なう研磨用組成物に関し、高速研磨ができ且つ非加工部位のエッチングによるシミの発生を防止できる研磨用組成物の提供および該研磨用組成物を用いた研磨方法に関する。 本発明の研磨用組成物は、水、酸化珪素粒子および界面活性剤を含有し、かつアルカリ性化合物によってｐＨ８．７〜１２．０の間に調整されてなることを特徴とするシリコンウエハ用研磨用組成物であり、この研磨用組成物は加工速度が速いだけではなく非加工部位に対してエッチングを起こさず、特にウエハを保持するための吸引治具周辺部で研磨剤が接触している局所で発生するシミを防止する。 （もっと読む）

本発明は、（ａ）シリカ粒子、（ｂ）研磨組成物の全重量に対し、約５×１０^-3から約１０ミリモル／ｋｇの、カルシウム、ストロンチウム、バリウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種のアルカリ土類金属、（ｃ）約０．１から約１５ｗｔ％の酸化剤、および（ｄ）水を含んでなる液体キャリア、を含んでなる化学的機械的研磨組成物を提供する。本発明はまた、酸化剤を随意に含み、約５×１０^-3から約１０ミリモル／ｋｇの、カルシウム、ストロンチウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種のアルカリ土類金属を含む研磨組成物を提供する。本発明はさらに、上述の研磨組成物を用いて基板を研磨する方法を提供する。 （もっと読む）

研磨パッドの研磨面上にスラリの膜を薄く略均一に安定して形成することが出来、それによって半導体基板の研磨精度と研磨効率を安定して向上させることの出来る、新規な構造の研磨パッドを提供すること。研磨パッド１０の研磨面１４上に周方向に延びる周方向凹溝１６を形成すると共に、該研磨パッド１０を厚さ方向に貫通する連通孔２４を、該研磨パッド１０の該周方向凹溝１６の底面に開口して形成した。 （もっと読む）

本発明の機械要素は、液体に接触する第１の作業面を有するワークピースを有し、前記第１の作業面は少なくとも１つの液体排斥領域を有し、前記液体排斥領域は、液体と相互作用し、前記液体排斥領域の無次元数の特性である「ぬれ係数」が０．９５以下である。
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酸化セリウム粒子及び水を含み、３μｍ以上の粗大酸化セリウム粒子含有量が固体中の５００ｐｐｍ以下（重量比）、好ましくは１００ｐｐｍ以下の研磨剤であって、より好ましくは、酸化セリウム粒子のＤ９９（研磨剤中の粒子全体の９９体積％）が１μｍ以下である半導体平坦化用研磨剤。この研磨剤は、スクラッチの発生を低減し、半導体装置の配線形成工程における半導体基板表面を高速で精密に研磨可能である。 （もっと読む）

半導体産業界において広範に用いることができる化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）のための、非高分子有機粒子を含む研磨剤組成物。この研磨剤組成物は好ましくは軟水と、０．００１〜２０重量％の非高分子有機粒子、０．１〜１０重量％の酸化剤、０．０５〜１０重量％のキレート化剤、０．０１〜１０重量％の界面活性剤、および０〜１０重量％の不動態化剤を含み、ｐＨ値が２〜１２の範囲にある（各重量％は該組成物の総重量に対するパーセンテージである）。本発明の研磨剤組成物は、ＣＭＰ用途における新規な研磨剤組成物として使用された際、効率のよい研磨速度、優れた選択性および高い表面品質を提供する。 （もっと読む）

特許請求する本発明は、高研磨速度で銅を研磨するのに有効な化学的機械的平滑化のための新規水性スラリーを含む。本発明に従う水性スラリーは、MoO₂またはMoO₃の粒子と酸化剤とを含む。化学的機械的平滑化による銅を研磨するための方法は、MoO₂またはMoO₃の粒子と酸化剤とを含む水性スラリーおよび研磨パッドと銅を接触させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】研磨時における配線層のディッシングを増大させることなく、研磨残りの発生を防止する。
【解決手段】絶縁膜中に溝を形成し、溝を埋め込むように導電膜を堆積し、溝からはみ出した銅を除去し配線を形成する。ここで、導電膜の除去はＣＭＰにより行い、その際に研磨パッド１０２を用いて被研磨面に残留した異物を除去することにより、配線構造を形成する。その結果、研磨が行われている間、研磨パッド１０２は常にドレッサ１０３によりドレッシングされるので、常に研磨パッド１０２の表面の荒れを一定に保つことができ、ディッシングの拡大を防止することができる。また、研磨残りの発生を防ぐことにより、配線間ショート等の発生を低減できる。 （もっと読む）

体積中央粒径が約２０ナノメートルから約１００ナノメートルで体積スパン値が約２０ナノメートルに等しいか或はそれ以上で約１００ナノメートルより大きい粒子の分率が研磨剤粒子の約２０体積％に等しいか或はそれ以下である多分散粒径分布を示す多数の研磨剤粒子を含有する基質研磨用研磨剤組成物。
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