【課題】流体の大気導入口への干渉を効果的に防止した半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】半導体圧力センサは、ケース１０と、ケース１０内に被測定対象の流体を導入する圧力導入口１１と、大気を導入する大気導入口１２と、大気圧に対する流体の圧力を測定するセンサチップ２０と、を備えている。圧力導入口１１及び大気導入口１２は、ケース１０の同一面側に配設されており、圧力導入口１１はケース１０の表面に立設された管状の圧力導入部１０ｂに連通しており、大気導入口１２は圧力導入部１０ｂに並置された管状の大気圧導入部１０ｃおよびケース１０内に連通している。そして、大気圧導入部１０ｃにおける大気導入口１２から離間した位置に複数の凹部１６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスをカプセル化する構造体およびこのような構造体を作る方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの電子デバイスをカプセル化するための構造体であって、支持体および前記支持体上に提供された少なくとも１つのキャップで囲まれた少なくとも１つの第１キャビティを含み、前記電子デバイスはカプセル化され、少なくとも１つの開口部は、前記キャップを通過し、前記第１キャビティ内部と前記支持体上に配置され前記第１キャビティに隣接する少なくとも１つの第２キャビティに提供されたゲッター材料の少なくとも一部分とを連通し、ゲッター材料の前記部分の少なくとも一部分は、前記支持体上および／または第１キャビティの少なくとも１つの外側壁に接して提供され、前記第１キャビティおよび前記第２キャビティが密封して密封体積をともに形成する、構造体を提供する。 （もっと読む）

【課題】機械的な干渉、過度の湿気、及び損傷を及ぼす可能性がある物質からインターフェロメトリックモジュレータを保護するバックプレートを備えたインターフェロメトリックモジュレータアレイを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳを基本にしたディスプレイデバイス６００であり、インターフェロメトリックモジュレータアレイ６０４が透明基板を通じて光を反射させるように構成されている。透明基板は、シール６０６を介してバックプレート６０８に取り付けられており、バックプレートは、インターフェロメトリックモジュレータアレイを制御するための電子回路を内蔵することができる。バックプレートは、ディスプレイの状態を制御するために使用することができるデバイス構成要素（例えば電子構成要素、等）に関する物理的支持物となることができる。さらに、バックプレートは、デバイスに関する構造上の主支持物として利用することもできる。 （もっと読む）

【課題】向上した熱散逸能力を有するマイクロ電子デバイス構造を提供する。
【解決手段】構造は、基板１１０にフリップチップ接合される三次元（３Ｄ）集積チップアセンブリ１０５を含む。チップアセンブリは、その上に配置される能動素子１４４を含むデバイス基板１３２を含む。キャップ層１１４は、デバイス基板１３２に物理的に接合され、能動素子１４４の周囲の気密シール１４８を少なくとも部分的に画定する。マイクロ電子デバイス構造は、それを通る複数の熱散逸経路を提供し、その中で生成される熱を散逸させる。 （もっと読む）

【課題】材料コストが安く、しかもパッケージとした際に、薄型化が可能で、異物の発生を抑制可能な電子部品素子搭載用基板及びその製造方法を提供するものである。
【解決手段】一方の面に設けられた内部接続端子と他方の面に設けられた外部接続端子とこれらの接続端子同士を電気的に接続する層間接続とを有する配線基板と、この配線基板の前記一方の面上に接着層を介して配置され、開口を有するキャビティ層と、このキャビティ層上に接着層を介して前記開口を塞ぐように配置される蓋基板とを有し、前記キャビティ層が補強材を有しない基材によって形成される電子部品素子搭載用基板及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る電子デバイス１００は、基体１０と、基体１０上に載置されている機能素子１０２と、基体１０上に機能素子１０２を覆って載置されているシリコンの蓋体２０と、を含み、蓋体２０には、貫通孔４０と、貫通孔４０を塞ぐ封止部材６０と、が設けられ、貫通孔６０は、基体１０側の第１開口４１の面積よりも、第１開口４１と反対側の第２開口４２の面積の方が大きく、貫通孔４０の体積に対する封止部材６０の体積の比率は、３５％以上８７％以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と回路素子を縦積みにした半導体装置において、半導体素子と回路素子を結ぶ接続用配線の寄生抵抗を小さくし、さらに接続用配線どうしの短絡が起きにくくする。
【解決手段】基板４５の上面にバンプ接合パッド６１を設け、回路素子４３のバンプ７０をバンプ接合パッド６１に接続する。バンプ接合パッド６１は、パターン配線６４によってカバー４４との対向面に設けられた基板側接合部６９に接続されている。カバー４４の下面にはマイクチップ４２が実装される。カバー４４の、基板４５と対向する面には第１の接合用パッド（ボンディング用パッド４８、カバー側接合部４９）が設けられ、マイクチップ４２はボンディングワイヤ５０によって第１の接合用パッドに接続される。カバー４４の第１の接合用パッドと基板４５の基板側接合部６９は導電性材料６５によって接合されており、その結果マイクチップ４２と回路素子４３が電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】真空の空洞内にＭＥＭＳ構造体が封止されたＭＥＭＳ素子において、封止の気密性が長期間安定に保持されるようにする。
【解決手段】ＭＥＭＳ構造体２０１が、基板３０１および積層構造体１２０により、空洞１１０内に気密封止されているＭＥＭＳ素子５００において、積層構造体１２０を構成する、２つの層の間に界面封止層１０１、１０２、１０３を設けて、気体が基板３０１の表面と平行な方向において、２つの層の界面を通過して空洞１１０内に侵入することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】マイクチップと回路素子を縦積みにした半導体装置の耐ノイズ性を向上させる。
【解決手段】カバー４４と基板４５を上下に重ね合わせることによってパッケージを形成する。カバー４４に設けた凹部４６の天面にはマイクチップ４２が実装され、基板４５の上面には回路素子４３が実装される。マイクチップ４２はボンディングワイヤ５０によってカバー下面のパッド４８に接続され、回路素子４３はボンディングワイヤによって基板上面のパッドに接続される。カバー下面のパッド４８に導通したカバー側接合部４９と基板上面のパッドに導通した基板側接合部６９は、導電性材料８６によって接合される。ボンディング用パッド４８及びカバー側接合部４９の近傍において、カバー４４内には電磁シールド用の導電層５５が埋め込まれている。 （もっと読む）