【課題】 多量の水素を貯蔵し、かつ貯蔵された水素を容易に取り出すことのできる水素貯蔵方法、および水素貯蔵物質を提供する。
【解決手段】 第一の水素貯蔵方法を、窒化物および錯体水素化物から選ばれる二種以上の化合物を混合して原料混合物を調製する原料混合物調製工程と、該原料混合物に水素を反応させ、該化合物の構成元素の一種以上と水素とからなる水素化物を生成させて水素を貯蔵する水素貯蔵工程と、を含よう構成する。また、第二の水素貯蔵方法を、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素から選ばれる元素と、アルミニウムまたはホウ素と、を含む原料化合物に水素を反応させ、該原料化合物の構成元素の一種以上と水素とからなる二種以上の水素化物を生成させて水素を貯蔵するよう構成する。 （もっと読む）

最初に金属ドーパント合金を形成し、次に、合金を反応器中において制御された条件下で高純度アンモニアと反応させることにより、高発光効率を表すドープ金属窒化物粉末を大量に製造する簡単で安価な方法。得られるドープ金属窒化物粉末は、純粋の非ドープＧａＮ粉末、ドープＧａＮ薄膜、およびＺｎＳ粉末に見られるものを遥かに凌ぐ発光効率を表す。
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ＧａＮ（●）の光触媒活性はＴｉＯ_２やＳｒＴｉＯ_３（Ｏ）に比べて大きく、また、ＧａＮにＩｎＮを混合した混晶薄膜のバンドギャップエネルギーは可視光のフォトンエネルギーに対応し紫外光と可視光の両方を吸収して光触媒作用を生じるので、極めて効率の良い光触媒である。 （もっと読む）

高度の構造秩序及び狭い細孔直径分布（±０．１５ナノメートル半値幅（ＦＷＨＭ））を備えた、遷移金属で置換された、非結晶性メソポーラスシリカ枠構造物が合成され、例えば、単層のナノチューブ、ナノパイプ及びナノワイヤーのようなＧａＮナノ構造体の鋳型成長に使用された。ＧａＮナノ構造体の物理学的特性（直径、直径の分布、電気的な特性）が、鋳型の細孔直径及び細孔壁の化学的性質により制御されうる。ＧａＮナノ構造体は、例えばフィールドエミッタのようなナノスケールの電子デバイスや化学センサで使用されうる。
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流体ナノチューブ装置について示した。親水性の非カーボン系ナノチューブは、リザーバと連通するように結合された端部を有する。ソースおよびドレイン接続部は、ナノチューブの反対側の端部、あるいはナノチューブの開口近傍の各リザーバの内部に接続される。（ソース−ドレイン、イオンまたはこれらの組み合わせの）電流を測定することにより、分子種の通過が検知される。チューブの内面は、固定化分子の設置によって官能基化されており、電流変化を検出することで異なる分子種が検知される。ナノチューブは、半導体であっても良く、例えば管状トランジスタを構成する。ゲート電極は、ソースとドレインの間に設置され、電流の流れおよびイオンの移動を制御する。一例として、ＭＥＭｓスイッチと一体化された電気泳動配列について示した。例えば、ナノポア、ナノキャピラリ装置、ナノ電気泳動、ＤＮＡ配列検出器、免疫センサ、熱電装置、フォトニック装置、ナノスケール流体生物分離器、結像装置等の各種用途が提案される。
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