【課題】結晶の成長速度の大きいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、外側容器２２内に設けられた反応容器２１内に、少なくともＩＩＩ族元素と触媒剤とを含む融液１を種結晶２の周りに形成する融液形成工程と、融液１に窒素含有物３を供給して種結晶２上にＩＩＩ族窒化物結晶４を成長させる結晶成長工程とを含むＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法であって、外側容器２２内に反応容器２１とともに設けられたヒータ２３および断熱材２４にグラファイトを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

窒化ガリウムボウルの大規模製造方法である。大面積単結晶種プレートは、ラックに吊るされており、アンモニア及び鉱化剤と共に大直径加圧滅菌器又は内部加熱高圧装置中に配置されており、そして、アンモノサーマル法により成長される。種の方向及び取り付け配置は、種プレート、及び加熱滅菌器又は高圧装置中のかたまり、の効率的な利用を提供するように選択される。この方法は、非常に大きいかたまりにまで拡張可能であり、また費用効果が高い。
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【課題】粒径が小さく、均一で、粒径分布の広がりも少ない高品質な窒化ガリウム系粒子、その製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも有機ガリウム化合物含むと窒素源とを反応させて窒化ガリウム系粒子を製造する方法において、前記有機ガリウム化合物と前記窒素源とを含む原料ガスにレーザを照射して、前記レーザを熱源として前記反応を行う窒化ガリウム系粒子の製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】ターンオン電界の低減、電流密度の向上、電子放出の均一化を達成できるナノワイヤ構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶基板上に、ＮｉまたはＰｔからなる触媒層を形成し、前記触媒層上でトリメチルガリウムおよびアンモニアをＣＶＤ法により８５０〜１０００℃の温度範囲で反応させ、径が５ｎｍ〜２００ｎｍ、長さが５μｍ〜５０μｍのワイヤ状の形態をした窒化ガリウムナノワイヤを形成する。 （もっと読む）

【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）

【課題】爆薬の爆轟によって発生した衝撃波（含む圧力）によって金属同士を衝突させることで発生した金属ジェットを利用することにより、金属粉末を製造する方法を提供する。
【解決手段】爆薬を用いて金属体同士を衝突させることで発生した金属ジェットを、冷却された液体に投入する金属微粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】粒子の焼結を防止し、粒度分布が狭く、高密度記録に適した高容量のコンピュータ用バックアップ磁気テープに使用する窒化鉄系磁性粉末を得ることを目的とする。
【解決手段】特定元素の水溶性化合物の水溶液と金属酸化物粒子あるいは金属水酸化物粒子を含む水分散体をメディア型分散機を用いて特定元素を被着させた金属酸化物粒子、あるいは金属水酸化物粒子を製造する工程を含む窒化鉄系磁性粉末を製造する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒素ガスの発生に適した固体多孔性材料を提供する。
【解決手段】前記材料は、２０〜７５ｖｏｌ．％の多孔度を有し、かつ材料の重量を基準にして、６０〜９０ｗｔ．％のアジ化ナトリウムと、少なくとも１４００Ｊ／Ｋ／ｋｇの熱容量を有する少なくとも１種の無機塩に基づく０．１〜２０ｗｔ．％の不活性化学冷却剤と、金属酸化物および金属炭酸塩から選択される０．１〜２０ｗｔ．％の調整剤と、少なくとも１種のアルカリ金属ケイ酸塩である水ガラス、またはポリテトラゾールからなる群から選択される３〜１５ｗｔ．％の量のバインダーと、で構成された組成を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用の基板として好ましく用いられ得るように結晶を破壊することなく直接かつ確実に評価された結晶表面層を有する窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板および半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本窒化物結晶基板は、窒化物結晶の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶の表面からのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶の表面層の均一歪みが０．３×１０^-3以上２．１×１０^-3以下であることを特徴とする窒化物結晶で形成されており、直径が５０ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】タンタル（Ｖ）系酸窒化物を含有する粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】タンタル酸化物粉末を出発原料として、タンタルを窒化させるための窒素成分の供給源となる窒化アルミニウムと、窒化を促進させる鉱化剤としてのアルカリ金属、アルカリ土類金属の塩、或いはそれらの複数種の塩の混合物とを混合した粉体を、窒素雰囲気中、或いは窒素気流中で熱処理することにより、タンタル（Ｖ）系酸窒化物を含有する粉体を合成する当該タンタル（Ｖ）系酸窒化物の製造方法。
【効果】従来の合成法と比べて、毒性のあるアンモニアガスを使用することなく、より低温・短時間で、タンタル（Ｖ）系酸窒化物を含有する粉体を製造する方法を提供することができる。 （もっと読む）