【課題】従来よりも低い加熱温度で窒化チタンを生成することができ、製造条件を簡易化できる窒化チタンの製造方法を提供する。
【解決手段】チタン錯体及び／又はチタン塩を溶媒に溶解してなるチタン化合物溶液を用い、このチタン化合物溶液におけるチタン錯体及び／又はチタン塩を加熱雰囲気下でアンモニアガスと接触させて窒化チタンを生成させる。 （もっと読む）

【課題】圧力センサとその製造方法において、従来よりも微小な領域の圧力を測定できるようにすること。
【解決手段】チャンネルとしてグラフェン層３を備えたトランジスタTRと、トランジスタTRのゲート５上に片方の端部が接続された圧電材料を含むナノワイヤ８とを有する圧電センサ１０による。 （もっと読む）

【課題】容易な方法で収率良く高純度の金属窒化物を製造する方法を提供する。
【解決手段】金属アミドを熱分解することを特徴とする当該金属窒化物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】容易な方法で収率良く高純度のアルカリ金属窒化物を製造する方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属アミドを熱分解することを特徴とするアルカリ金属窒化物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】超伝導体の特性劣化を防ぎ、超伝導体の理想的な特性を実現する。
【解決手段】原子層堆積法を用いて超伝導体１２の表面に酸化膜１３を形成する。これにより、自然酸化膜１５を除去し、緻密で均一な酸化膜１３が形成されるので、超伝導体１２の電磁場照射環境での特性劣化を防ぎ、超伝導体１２の理想的な特性を実現することができる。また、緻密な酸化膜１３により、大気中の酸素による超伝導体１２の経年劣化を防止できる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供すること。
【解決手段】ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも大きな供給量でTMG又はTEGを供給する。これにより、テラス２０２の上にGaNの２次元核３０１が発生するが（図３（ａ）参照）、発生する２次元核３０１の個数が１個以上100個以下発生するだけの時間だけこの第２の成長工程を行う。次に、TMG又はTEGの供給量を、第２の成長工程よりも小さくする（第３の成長工程）。これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる（図３（ｂ）参照）。第２と第３の工程を交互に繰り返すことにより、２分子層以上の厚さのGaN薄膜３０３を成長することも可能である（図３（ｃ）参照）。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法における自発核生成を利用して、最大寸法が１ｍｍ以上である窒化物単結晶を得ることができる、窒化物単結晶の新規製造方法の提供。
【解決手段】耐腐食性オートクレーブ内で、超臨界又は亜臨界状態にあるアンモニアの存在下、少なくとも1種類の窒化物多結晶を原料として用い、かつ、少なくとも1種類の酸性鉱化剤を該アンモニアに添加して、アモノサーマル法により該窒化物多結晶から窒化物単結晶を製造する方法において、
該耐腐食性オートクレーブ内には、該窒化物多結晶を配置する部位と該窒化物単結晶を析出させる部位とが存在しており、
該窒化物単結晶を析出させる部位の温度は、６５０℃〜８５０℃であり、かつ、該窒化物多結晶を配置する部位温度よりも、平均温度で、高く保持され、そして
該耐腐食性オートクレーブ内の圧力は、４０MPa〜２５０MPaに保持されている、
ことを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】金属ハロゲン化物と液体アンモニアの反応による金属アミドあるいはイミド化合物の製造のように、固体反応生成物が生成して、供給ノズルを閉塞させる反応系において、原料薬剤を原料薬液に容易に供給する手段を提供すること。
【解決手段】１つの原料薬剤をノズルを用いてこれと異なる原料薬液中に注入して固体反応生成物を得るための無閉塞ノズルであって、原料薬剤が内部を流れる中空円筒部と、中空円筒部内に中空円筒部と中心軸を共有して回転するように設置されている駆動軸とを有し、中空円筒部は、原料薬剤を該中空円筒部に導入する薬剤供給口と、原料薬液に原料薬剤を吐出する薬剤吐出口とを有し、薬剤吐出口における駆動軸の先端の少なくとも一部が、駆動軸の長軸方向の位置関係において、中空円筒部の先端によって形成される面付近乃至その面より外側まで延在している、無閉塞ノズル。この無閉塞ノズルを用いた固体反応生成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】一次粒子の凝集体を空隙率が小さく粒子同士の結合力を向上させ、充填性ひいては熱伝導性に優れたｈ−ＢＮ粉末を提供する。
【解決手段】ＢＮ粉末の一次粒子の長径と厚みの比を５〜10とし、また一次粒子の凝集体の大きさを平均粒径Ｄ₅₀で２μm以上200μm以下とし、さらに嵩密度を0.5〜1.0g/cm³とする。 （もっと読む）

【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）