【課題】雑結晶の生成を抑制可能なＩＩＩ族窒化物結晶製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０，１１は、ＮａとＧａとを含む混合融液２７０を保持する。坩堝１０は、ＢＮからなり、坩堝１１は、混合融液２７０に対する濡れ性がＢＮよりも悪いＷからなる。支持装置４０は、種結晶５が混合融液２７０中に浸漬されるように一方端に種結晶５を保持する。加熱装置５０，６０は、坩堝１０，１１および反応容器２０を結晶成長温度（＝８００℃）に加熱し、圧力調整器１２０は、反応容器２０の窒素ガス圧が１．０１ＭＰａになるようにガス供給管９０およびバルブ１１０を介して窒素ガスを反応容器２０へ供給する。このようなＩＩＩ族窒化物結晶製造装置において、濡れ性が異なる２つの材質で坩堝を作製するという構成を採用することによって、混合融液２７０中にマランゴニ対流を発生させ、雑結晶の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】低温で簡単な工程で製造された優秀な特性を有する低価のｐ型ＺｎＯ半導体膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のｐ型ＺｎＯ半導体膜の製造方法は、基板を準備し、チャンバー内に配置する段階と、チャンバー内に亜鉛前駆体と酸素前駆体を注入し、原子層蒸着法を利用した亜鉛前駆体と酸素前駆体間の表面化学反応を通じて基板上にＺｎＯ薄膜を形成する段階と、チャンバー内に亜鉛前駆体と窒素前駆体を注入し、亜鉛前駆体と窒素前駆体間の表面化学反応を用いてＺｎＯ薄膜上にドーピング層を形成する段階とを含む。半導体膜の製造方法を通じて形成された半導体膜を利用して、ガラス、Ｓｉ、ＳＵＳなどの金属箔、プラスチック基板上に特性が優秀なｐ型の薄膜トランジスタを形成することができ、ＰＮ接合（ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を利用したＬＥＤなどの光電素子を具現することができる。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム単結晶を簡単な操作で迅速に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】シード、窒素元素を含有する溶媒、およびハロゲン化ガリウムペンタアンモニエート（ここでいうハロゲンは塩素、臭素または沃素である）を入れたオートクレーブ内の温度および圧力を、溶媒が超臨界状態及び／又は亜臨界状態となるように制御してシードの表面にアモノサーマル的に窒化ガリウムを結晶成長させる。オートクレーブ内にさらに鉱化剤を入れる。 （もっと読む）

本発明は、ダイオード、ＬＥＤおよびトランジスタなどの多くの半導体デバイスに応用可能な窒化物半導体の成長に関する。本発明の方法によると、窒化物半導体のナノワイヤは、選択領域を成長させる技術をベースとする化学蒸着法（ＣＶＤ）を利用して成長する。ナノワイヤの成長工程中、窒素源と有機金属源とが存在し、少なくとも窒素源の流量はナノワイヤ成長工程中、連続して存在している。本発明の方法で利用されるＶ／III比は、一般的に窒化基半導体の成長に関連するＶ／III比より実質的に低い。
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窒化ガリウムを含む結晶を開示する。この結晶は、２．７５ｍｍより大きい少なくとも１つの次元と約１０^４ｃｍ^−２未満の転位密度とを有する少なくとも１つの粒子を有し、実質的に傾角境界がない。
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本発明は、半導体処理装置および方法に関し、特に、光学および電子構成部品の製造、エピタキシャル堆積用の基板としての使用、ウェハ用などの用途に適したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産を提供する。好ましい実施形態では、これらの方法が、ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハ、特にＧａＮウェハを生産するように最適化される。具体的には、この方法は、反応室内で、１つの反応物としてのある量の気体ＩＩＩ族前駆体を、他の反応物としてのある量の気体Ｖ族成分と、１つまたは複数の基板上での半導体材料の持続的大量製造を提供するのに十分な条件下で反応させることを含み、気体ＩＩＩ族前駆体は、ＩＩＩ族元素として５０ｇ／時の質量流量で、少なくとも４８時間の間、連続的に供給される。この方法を実行するシステムも提供される。
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【課題】工業的に利用可能な方法で、効率良く高品質のＧａ含有窒化物を均一に結晶成長させること。
【解決手段】少なくとも、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素とＧａ金属とを含む合金と、窒化物原料とを粉砕して混合した混合物を加熱し、Ｇａ含有窒化物を結晶成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、各副層系が中間層で相互に分離された、少なくとも２つの副層系を含む耐食性被覆であって、（ｉ）各副層系が、同一であるか又は異なり、かつ少なくとも４つの層を含み、（ｉｉ）前記層が、化学量論的組成の窒化物含有化合物及び非化学量論的組成の窒化物含有化合物が交互する層を含み、（ｉｉｉ）各副層系が、約０．４ミクロン超の厚みを有し、かつ（ｉｖ）各中間層が、同一であるか又は異なり、かつ金属含有化合物を含む被覆に関係する。また、本発明は、この被覆の形成法及びこの被覆で覆われた製品、例えばガスタービン圧縮機のロータブレード及びステータベーンに関係する。
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【課題】酸化性環境下におけるセパレータと電極との間の接触抵抗を低い値に維持し、耐食性に優れ、かつ低コスト化した燃料電池用セパレータ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともＦｅ及びＣｒを含むステンレス鋼よりなる基層１２と、この基層上に形成された窒化層１１とを備えている。窒化層１１は、少なくともＦｅ及びＣｒを含むステンレス鋼の窒化物よりなる第１の窒化層１１１と、この第１の窒化層１１１上に形成され、この第１の窒化層１１１とは成分の含有量が異なる窒化物よりなり、露出した表面を有する第２の窒化層１１２とを備えている。この第１の窒化層１１１から第２の窒化層１１２にかけて、これらの層の厚さ方向にＣｒ濃度が連続的に変化した組成分布を有する。 （もっと読む）

【課題】反応性に優れ、着色ムラや生成物の窒化の程度の差が生じることのない窒化物及び酸窒化物の製造法を提供する。
【解決手段】Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎから選ばれる少なくとも１種類の金属元素を含む組成式ＫＭＯ_２（Ｍは金属元素）で表される化合物をアンモニア流通下で加熱した。Ｋ_２ＺｎＧｅＯ_４、アンモニア流通下において700〜1000℃で加熱、又は、ＫＧａＯ_２をアンモニア流通下において700〜1000℃で加熱した。 （もっと読む）