【課題】α”Fe₁₆N₂相の含有量が多い窒化鉄材が得られる窒化鉄材の製造方法、及び窒化鉄材を提供する。
【解決手段】この製造方法は、純鉄や鉄合金、鉄化合物といったFeを含有する母材に磁場を印加した状態で、窒素雰囲気といった窒素元素含有ガス雰囲気下で上記母材を加熱してα”Fe₁₆N₂相を生成する工程を具える。印加する磁場Hは、母材の形状から規定される反磁界係数をNf(Nf＝0〜1)とするとき、H＝(7/3)＋2×Nf以上の強磁場とする。H＝(7/3)＋2×Nf以上の強磁場を母材に印加することで、Feの基本格子が印加する磁界方向(一方向)に伸び、Nの侵入位置をこの一方向に規制し易い。そのため、過剰窒化を抑制し、磁気特性に優れるα”Fe₁₆N₂相を生成し易く、α”Fe₁₆N₂相の含有量が多い窒化鉄材を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、工業的に高純度、且つ優れた磁気特性を示す強磁性粒子粉末及びその製造方法に関する。また、該強磁性粒子粉末を用いた異方性磁石、ボンド磁石、圧粉磁石を提供する。
【解決手段】 メスバウアースペクトルよりＦｅ_１６Ｎ_２化合物相が８０％以上の割合で構成される強磁性粒子粉末であり、該強磁性粒子は粒子外殻にＦｅＯが存在するとともにＦｅＯの膜厚が５ｎｍ以下である強磁性粒子粉末は、出発原料の一次粒子の（粒子長軸長の偏差平均）／（平均粒子長軸長）が５０％以下、Ｕ_Ｃが１．５５以下、Ｃ_ｇが０．９５以上、Ｃ_ｇ２が０．４０以上であり、平均粒子長軸長が４０〜５０００ｎｍ、アスペクト比（長軸径／短軸径）が１〜２００である鉄化合物を用い、凝集粒子の分散処理を行い、次いで、メッシュを通した鉄化合物粒子粉末を１６０〜４２０℃にて還元処理し、１３０〜１７０℃にて窒化処理して得ることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な窒化物単結晶を速い速度で成長させる方法を提供する。
【解決手段】シード、窒素元素を含有する溶媒、周期表１３族金属元素を含む原料物質、および前記溶媒の１．５〜１５ｍｏｌ％の量の鉱化剤を入れたオートクレーブ内の温度および圧力を、前記溶媒が超臨界状態および／または亜臨界状態となるように制御して前記シードの表面にアモノサーマル法により窒化物単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、工業的に高純度、且つ優れた磁気特性を示す強磁性粒子粉末及びその製造法に関する。また、該強磁性粒子粉末を用いた異方性磁石、ボンド磁石、圧粉磁石を提供する。
【解決手段】 メスバウアースペクトルよりＦｅ_１６Ｎ_２化合物相が８０％以上の割合で構成される強磁性粒子粉末であり、該強磁性粒子は粒子外殻にＦｅＯが存在するとともにＦｅＯの膜厚が５ｎｍ以下である強磁性粒子粉末は、平均長軸径が４０〜５０００ｎｍ、アスペクト比（長軸径／短軸径）が１〜２００の酸化鉄又はオキシ水酸化鉄を出発原料として用い、凝集粒子の分散処理を行い、次いで、メッシュを通した鉄化合物粒子粉末を１６０〜４２０℃にて水素還元し、１３０〜１７０℃にて窒化処理して得ることができる。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法により窒化物結晶を成長させる際に、反応容器の破損を防いで再利用を可能にするとともに、品質が高い結晶が得られる窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器に原料とアンモニア溶媒を充填して密閉した後、バルブを有する耐圧性容器内に該反応容器を設置し、さらに該耐圧性容器と該反応容器の間の空隙に第二溶媒を充填して前記耐圧性容器を密閉した後、該反応容器中で超臨界および／または亜臨界アンモニア雰囲気において窒化物結晶を成長させる。その際に、バルブを介して、前記反応容器の外側と内側の圧力差が小さくなるように調整する。 （もっと読む）

【課題】７０ｎｍ以下の金属配線を有する次世代ＤＲＡＭで要求される容量および良好な漏れ電流特性を確保できるキャパシタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】キャパシタ形成方法は、ストレージ電極６５を形成するステップと、ストレージ電極６５の表面をプラズマ窒化６６Ａ処理するステップと、該表面がプラズマ窒化６６Ａ処理されたストレージ電極６５上にＺｒＯ_２薄膜６７を蒸着するステップと、ＺｒＯ_２薄膜６７の表面をプラズマ窒化処理して、表面が窒化６６ＢされたＺｒＯ_２薄膜を形成するステップと、窒化６６Ｂされた前記ＺｒＯ_２薄膜上にプレート電極６８を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 固体電解コンデンサの小型化と大容量化との両立を図ることが可能なＮｂ化合物の微粉末、多孔質焼結体、これを用いた固体電解コンデンサ、およびこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｎｂ化合物の微粉末であって、その組成が、ＮｂｘＯｙＮｚ（ｘ，ｚは０を超える正の数、ｙは０以上の正の数）で表され、その電気伝導度が、Ｎｂの電気伝導度の１／１０以上である。 （もっと読む）

【課題】 ハロゲン系腐蝕性ガスへの曝露に対して、各種構造部材として使用可能な、特に、半導体製造装置の構成部材として好適な、長時間に亘って耐蝕性を有する耐蝕性部材を提供する。
【解決手段】 耐熱性部材の全体あるいは一部が窒化アルミニウムを主成分とする被覆膜によって覆われた耐蝕性部材であって、前記被覆膜のスピン密度が5×10^１５spins/g以上、１×10^１９spins/g以下であることを特徴とし、該耐蝕性部材を静電チャックとして、あるいは加熱部材を内蔵した部材として好適に用いられる。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して金属膜上に低温で成膜した場合に、金属膜と成膜した膜の密着性を改善する。
【解決手段】処理室２０１と、ガス供給口４２５、４３５を有するバッファ室４２３、４３３と、第１の処理ガスを前記処理室に供給する処理ガス供給系３１０と、第２の処理ガスをバッファ室４２３、４３３に供給可能な処理ガス供給系３２０、３３０と、高周波電源２７０と、プラズマ発生用電極４７１、４７２、４８１、４８２と、からなる処理炉２０２を使用して、表面に金属膜が形成された基板を、前記プラズマ発生用電極に高周波電力が印加されない状態で、前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスに順次曝して前記金属膜の上に第１の膜を形成した後、該第１の膜が形成された前記基板を、前記第１の処理ガスおよび、前記電極に高周波電力が印加されることにより活性化された前記第２の処理ガスに交互に曝し、前記金属膜の上に第２の膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板の面内方向のキャリア拡散と基板垂直方向のキャリア注入を高効率に行うことのできる、シリコン発光素子用の活性層および該活性層の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】 シリコン発光素子に用いる活性層であり、シリコン化合物からなる第１の層と、該第１の層よりもバンドギャップが大きいシリコン化合物からなる第２の層とが基板上に交互に積層された多層膜構造を有する。また、複数のシリコンナノ粒子が多層膜構造の中に設けられている。第１の層に含まれるシリコン原子の量は、第２の層に含まれるシリコン原子の量よりも多く、複数のシリコンナノ粒子のうちの少なくとも一つは、前記第１の層と前記第２の層との境界面のうち少なくとも一つの面を越えて存在する。 （もっと読む）