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国際特許分類[C03C3/32]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | ガラス;鉱物またはスラグウール (20,277) | ガラス,うわ薬またはガラス質ほうろうの化学組成;ガラスの表面処理;ガラス,鉱物またはスラグからの繊維またはフィラメントの表面処理;ガラスのガラスまたは他物質への接着 (12,070) | ガラスの組成物 (4,759) | 非酸化物ガラス組成物,例.ゲルマニウム,セレンまたはテルルの二元または三元ハロゲン化物,硫化物または窒化物 (25)

国際特許分類[C03C3/32]に分類される特許

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【課題】リチウムイオン二次電池等の電池用材料、電解コンデンサ、電気二重層キャパシタ等の蓄電材料や表示素子等の電気化学デバイスへの応用が期待される高いイオン伝導性、熱的・電気化学的に安定性が高い固体電解質の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】硫化リチウムおよびその他の硫化物を必須成分として含む無機材料原料から得られる無機固体電解質の製造方法において、該無機材料原料を混合粉砕する機械的処理工程および加熱処理工程を含み、各工程を交互に複数回繰り返すことを特徴とする、無機固体電解質の製造方法。 (もっと読む)


【課題】押出および射出成形を含む様々なポリマー成形プロセスに使用するのに適したガラスからなる精密光学要素を提供する。
【解決手段】微細または超微細いずれかの微小構造を有するカルコゲナイドガラス体を有してなり、このカルコゲナイドガラスは、一般化学式YZを有し、ここで、YはGe,As,Sbまたはこれら2つ以上の混合物であり、ZはS,Se,Teまたはこれら2つ以上の混合物であり、原子または元素パーセントで表して、Yは15〜70%の範囲にあり、Zは30〜85%の範囲にあり、GeがAsおよびSbの内の一方または両方と混合された場合には、Geの量は、0<Ge<25%の範囲にあり、また、このカルコゲナイドガラスは、500℃以下で10,000ポアズ以下の粘度を有し、1000〜10,000s-1の範囲の剪断速度下で結晶化に耐性である。 (もっと読む)


【課題】Liイオン伝導性が高い硫化物固体電解質ガラスを提供する。
【解決手段】GaS3−構造を主成分とするイオン伝導体と、LiIとを有することを特徴とする硫化物固体電解質ガラス。LiI(LiI成分)を有するため、Liリッチとなり、Liイオン伝導性が高い硫化物固体電解質ガラスとすることができる。また、GaS33−構造は、水(水分を含む)と接触しても、その構造が変化しないため、水に対する安定性が高い。 (もっと読む)


【課題】特にリチウムイオン二次電池用固体電解質として好適なリチウムイオン伝導性材料を、安定かつ大量に製造することが可能な方法を提供する。
【解決手段】(1)組成としてリチウム、リンおよび硫黄を含有する複合化合物を溶融してガラス化させる工程、および、(2)溶融ガラスを急冷することにより硫化物ガラスを得る工程、を含むことを特徴とするリチウムイオン伝導性材料の製造方法、およびその製造方法により製造されたことを特徴とするリチウムイオン伝導性材料。 (もっと読む)


【課題】原料を微粒子化するために用いるニトリル溶媒と同一の溶媒中で固体電解質ガラスを製造できる方法を提供する。
【解決手段】リチウム(Li)元素、リン(P)元素及び硫黄(S)元素を含む固体電解質ガラスであって、ニトリル化合物を含み、熱量計測定装置の150℃までの重量減少量が5重量%以下である固体電解質ガラス。 (もっと読む)


【課題】本発明は、硫化水素発生量が極めて少ない硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、LiS、および第14族または第15族の元素の硫化物を、両者の合計に対するLiSの割合が、オルト組成を得るLiSの割合未満となるように混合してなる原料組成物を、第一ガラス化処理によりガラス化することにより、LiSを有さず、架橋硫黄を有する中間体を形成する第一ガラス化工程と、上記中間体に、上記架橋硫黄の結合を切断する結合切断用化合物を混合してなる中間体含有組成物を、第二ガラス化処理によりガラス化することにより、上記架橋硫黄を消失させる第二ガラス化工程と、を有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


1.29×10rad以上の高強度ガンマ線放射線量、および、3×10から1×1014n/cm秒以上の中性子束の中性子エネルギー、および、2×1016から8.3×1020n/cm以上の中性子フルエンス、を加えることを含む、高エネルギー環境下の透過性を保つ(透明なままの)光学部品。さらに、前記光学部品のバルクレーザ損傷閾値は、105+/−20J/cmであり、表面レーザ損傷閾値は72+/−15J/cmであり、ストークシフトは約9%であり、熱負荷率は約11%である。
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相変化記憶材料およびより詳しくは、相変化記憶用途、例えば、光学データおよび電子データの記憶のために有用なテルル化GeAs材料が記載されている。
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赤外線(IR)窓、導波管ファイバ、または発光ドーパント用のホストガラスとしてなどの用途を有しうる、Ga−P−S型のガラス組成物について記載する。本ガラスの組成範囲は、原子百分率で、45〜85%の硫黄、>0〜25%のガリウム、>0〜20%のリンである。本ガラスは、セレニウム(Se)、テルリウム(Te)、0〜20%のインジウム、0〜40%のヒ素、0〜15%のゲルマニウム、0〜10%のアンチモン、および0〜5%のスズ、タリウム、鉛、ビスマス、またはそれらの組合せを含みうる。SeおよびTeは、S/2以下でなければならない。 (もっと読む)


【課題】カルコゲナイドガラスであって、従来品よりもモールド成型に適した赤外線透過ガラスを提供する。
【解決手段】モル濃度で、Ge:2〜22%、Sb及びBiからなる群から選択される少なくとも1種:6〜34%、Sn及びZnからなる群から選択される少なくとも1種:1〜20%、S、Se及びTeからなる群から選択される少なくとも1種:58〜70%を含有する、モールド成型用赤外線透過ガラス。 (もっと読む)


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