国際特許分類[C04B35/453]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物 (33,771) | 石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;天然石の処理 (33,771) | 組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理 (8,938) | 酸化物を基とするもの (3,608) | 酸化亜鉛,酸化スズまたは酸化ビスマスまたはそれらと他の酸化物,例.亜鉛酸塩,スズ酸塩またはビスマス酸塩,の固溶体を基とするもの (315)
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酸化スズまたはスズ酸塩を基とするもの (68)
国際特許分類[C04B35/453]に分類される特許
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亜鉛系複合酸化物及び熱電変換モジュール
【課題】 安価な材料である酸化亜鉛を母材とし、高い熱電性能を有する亜鉛系複合酸化物を提供する。
【解決手段】 Zn酸化物、Ni及びMgを含有する亜鉛系複合酸化物。この亜鉛系複合酸化物に含まれるNiとMgの合計含有量は、Zn1モルに対して0.2モル以下であることが好ましく、さらに、Ni及びMgのモル比(Ni/Mg)が、0.1〜10であることが好ましい。
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複合積層型電子部品
【課題】 バリスタ素子部と、インダクタ素子部とをクラックの発生等が生じることなく確実に接合・一体化させることができ、しかも、接合のための接合中間層の厚さを極力薄く設定することができ、部品のコンパクト化が図れる複合積層型電子部品を提供する。
【解決手段】 バリスタ素子部(10)と、インダクタ素子部(20)と、これらの双方の素子部を接合するために介在される接合中間層(50)とを有し、その接合中間層(50)は、組成の異なる第1番目から第N番目までのN層(Nは2以上の整数)の接合膜を積層することにより構成されるとともに、それらの総和厚さが240μm以下であり、インダクタ素子部と、これに接する第1番目の接合膜との相互の線膨張率の差が1(ppm/K)以内であり、それ以外のN−1箇所の接合界面を構成する隣接する接合膜同士の相互の線膨張率の差が2(ppm/K)以内であり、バリスタ素子部と、これに接する第N番目の接合膜との相互の線膨張率の差が2(ppm/K)以内に構成される。
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ZnO:Alターゲットおよび薄膜並びに薄膜の製造方法
【課題】耐湿性に優れたZAO薄膜、該薄膜を形成するのに用いるスパッタリングターゲットおよび該ZAO膜の形成方法を提供するものである。
【解決手段】亜鉛、アルミニウムおよび酸素を含んでなり、XRDにより求めたZnO(0002)面のRocking Curveの半値幅が5度以下である透明導電膜であり、この薄膜は、例えば亜鉛、アルミニウムおよび酸素を含んでなり、アルミニウムを酸化物換算で2.3〜3.5重量%の割合で含有する焼結体からなるターゲットを用い、180℃以上の基板温度で、スパッタ装置内を1×10−4Pa未満まで真空排気した後、dcマグネトロンスパッタリング法により成膜することができる。
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強磁性材料
バルク状の酸化亜鉛にマンガンを最大で5原子%の濃度までドープすることによって、ドープされた希薄強磁性半導体を生産する方法を提供する。この材料は好ましくは、最高で650℃までの温度で焼結される。この方法によれば、5原子%を超えないMn濃度でMnドープされたZnOを含有している半導体材料が得られる。上記MnドープされたZnOは、約218K〜約425Kの温度範囲の少なくとも一部において強磁性である。
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スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光情報記録媒体用薄膜及びその製造方法
【課題】スパッタリングによって膜を形成する際に、基板への加熱等の影響を少なくし、高速成膜ができ、また膜厚を薄く調整でき、さらにスパッタ時に発生するパーティクル(発塵)やノジュールを低減させ、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり高密度のスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに、特に保護膜としての使用に最適である光情報記録媒体用薄膜及びその製造方法を得る。
【解決手段】A、Bは其々異なる3価以上の陽性元素であり、その価数を其々Ka、Kbとしたとき、AXBYO(KaX+KbY)/2(ZnO)m、0<X<2、Y=2−X、1≦mを満たす酸化亜鉛を主成分とする化合物を含有し、さらにカルコゲン化亜鉛を含む、相対密度90%以上、バルク抵抗値0.1Ωcm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
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ZnO焼結体およびその製造方法
【課題】 透明電極として優れた性質を有するZnO膜をイオンプレーティングで成膜する技術を提供する。
【解決手段】 イオンプレーティングのソース材料として用いるのに適したZnO焼結体は、平均酸化度の異なる第1のZnO領域と第2のZnO領域とを含み、前記第1のZnO領域と前記第2のZnO領域とは平均粒径が異なる。前記第1のZnO領域は前記第2のZnO領域より酸化度の高い領域であり、前記第2のZnO領域は前記第1のZnO領域と異なる色の、青みを帯びた領域であることが好ましい。
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高純度酸化亜鉛粉末及びその製造方法並びに高純度酸化亜鉛ターゲット及び高純度酸化亜鉛薄膜
Zn含有スクラップ等の原料を酸浸出あるいは電解抽出し、これを溶媒抽出した後、さらに活性炭処理して不純物を除去し、次にこの不純物を除去した溶液をアルカリ溶液で中和して水酸化亜鉛を得、さらにこの水酸化亜鉛を焼成して酸化亜鉛とすることを特徴とする高純度酸化亜鉛粉末の製造方法。低コストで不純物、特にC、Cl、S及びPb不純物を効率的に除去した高純度酸化亜鉛及びその製造方法及びこれを焼成して得たターゲット並びにスパッタリングによって得られる高純度酸化亜鉛薄膜を提供する。 (もっと読む)
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