【課題】 半導体の性能や信頼性を高く維持できる半導体製造用部品を提供する。
【解決手段】 窒化珪素結晶粒子３と粒界相とからなり、相対密度が９８％以上の窒化珪素焼結体からなる基体１に、該基体１の表層の粒界相を除去して、窒化珪素結晶粒子３が３次元的に連結した多孔質層５を設けてなるもので、多孔質層５上にシリコンウエハを載置し、搬送する場合であっても、従来の粒界相を構成する、例えば希土類元素、アルミニウム等の元素がシリコンウエハと接触することがなく、これによりシリコンウエハを汚染し、半導体の性能や信頼性を損ねたりすることがない。 （もっと読む）

【課題】水系研削液中のｐＨを一定の範囲に維持することができ、加工装置の各部品の動作不良等を引き起こすことがないセラミック焼結体の加工方法を提供する。
【解決手段】水系研削液が貯留された研削液タンク２２と、セラミック焼結体の所要箇所を水系研削液にて加工する加工機２４と、使用済み水系研削液（廃液３０）が回収貯留される廃液回収タンク３２と、加工機２４からの廃液３０を回収して廃液回収タンク３２に送り込む第２ポンプ３４と、廃液回収タンク３２からの廃液（回収液３６）をろ過して再び水系研削液２６にして研削液タンク２２に送り出すろ過設備３８とを有する。そして、炭酸ガス供給設備４２を設置すると共に、第２ポンプ３４と廃液回収タンク３２と間の経路にミキサー４４を接続することによって、加工機２４から廃液回収タンク３２に向けて送り出される廃液３０に炭酸ガス４６を供給する。 （もっと読む）

【課題】 分断予定ラインに沿って正確な位置に、基板内部まで深く浸透するクラックを確実に形成することができる加工方法を提供する。
【解決手段】 ビームスポットＢＳを分断予定ラインＰに沿って相対移動させることにより加熱する加熱工程と、冷却スポットをビームスポットが走査された軌跡に沿って相対移動させて冷却する冷却工程とによりクラックを形成する脆性材料基板の加工方法であって、（ａ）ビームスポットの幅より小さく絞った第一冷却スポットＣＳ１を、ビームスポットの直後に追随させて相対移動させることにより、浅いクラックＳ２を進展する第一冷却工程と、（ｂ）ビームスポットの幅以上に広げた第二冷却スポットＣＳ２を、第一冷却スポットが走査された軌跡に沿って相対移動させることにより、先に形成された浅いクラックを基板の厚み方向に浸透させる第二冷却工程とが連続して行われるようにする。 （もっと読む）

【課題】亀裂の発生を抑制して靱性の高い表面硬化高強度セラミックスを提供する。
【解決手段】アルミナ、ムライト、TiO₂、ZrO₂、Si₃N₄、SiC及びAlNの群から選ばれる１種以上の無機材料からなるマトリクスに炭化物の微細粒子を１vol％以上分散させた複合焼結体又は前記炭化物単体の焼結体を、１０００〜１４００℃で１〜３００時間の範囲内で熱処理後、電子線を照射して表面を硬化してなる表面硬化高強度セラミックスである。 （もっと読む）

骨結合を向上させる表面を有するセラミック歯科インプラントの製造方法であって、このような表面を製造するために以下の製造工程が実施される方法：− 表面を有するセラミックブランクの製造工程；− ブラスト圧が1.5バール〜8バールであって、サンドブラストに使用するブラスト媒質の粒子サイズが30μm〜250μmである、サンドブラストによる処理に相当する、表面の表面粗度を生成する融除工程によって、セラミックブランクの表面の少なくとも一部領域を処理する工程；− 続く、前記融除工程で処理されたセラミックブランクの表面の少なくとも一部領域の、化学処理工程；− 続く、表面が前記の融除および化学処理に付されたブランクの、＞125℃の温度での熱処理工程。本発明の方法によって得られうるセラミック体についても記載される。 （もっと読む）

【課題】 透光性セラミックスにおいて、紫外線照射により生じた着色を簡単に改善する方法を提供する。
【解決手段】 バンドギャップの大きさがＥｇ（ｅＶ）である透光性セラミックに対し、波長が１２４０／Ｅｇ+１２０ｎｍ〜７００ｎｍの光を照射する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の簡易な高純度化方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体を不活性ガス雰囲気下で１７００℃〜２０００℃で加熱する炭化ケイ素焼結体の高純度化方法。 （もっと読む）

【課題】減圧環境下で使用されるセラミックス部品において、処理物への汚染の少ないセラミックス部品の装着方法および有機物の汚染の少ない半導体製造装置用セラミックス部品の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線光電子分光法で表面の深さ方向の測定をし、表面から５ｎｍ以深の深さで検出される炭素量が５ｍａｓｓ％以下である状態で半導体製造装置に装着することを特徴とする半導体製造装置用非汚染性セラミックス部品の装着方法である。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素の表面に反応性イオンエッチングにより微細加工を施す際に、炭化ケイ素の表面を任意形状かつ高精細に微細加工することができ、特に、ナノメートル級の寸法公差による微細加工を行うことができる炭化ケイ素の表面処理方法を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素基板の表面に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により微細加工を施す前に行う表面処理方法であって、単結晶炭化ケイ素基板の表面に、アンモニア及び過酸化水素を含む水溶液、塩酸及び過酸化水素を含む水溶液、硫酸及び過酸化水素を含む水溶液、フッ酸及び過酸化水素を含む水溶液の群から選択される１種または２種以上を順次用いてケミカル洗浄を施し、次いで、この表面に酸素プラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】搬送部の被案内面に外周面を接触させて回転することにより前記搬送部を案内する搬送ローラにおいて、搬送部の被案内面が搬送ローラに衝突した時の耐久性を改善する。
【解決手段】搬送ローラ１を以下の方法で作製する。図２のミルポット内に窒化珪素製のボール５を複数個入れるとともに、円柱体４４に搬送ローラ１を外嵌して遊星ボールミルを作動させ、ボール５に、ミルポット内に発生する公転に伴う遠心力と自転に伴う遠心力を付与することで、ボール５を搬送ローラ１の外周面に衝突させて外周面の表層部に残留応力を導入するボールミル工程を行った後に、仕上げ研磨加工を行う。 （もっと読む）