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国際特許分類[C07C211/08]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 有機化学 (230,229) | 非環式化合物または炭素環式化合物 (64,036) | 炭素骨格に結合しているアミノ基を含有する化合物 (2,183) | 非環式炭素原子に結合しているアミノ基をもつもの (691) | 非環式飽和炭素骨格の (360) | モノアミン (154) | 異なった数の炭素原子をもつアルキル基を含有するもの (31)

国際特許分類[C07C211/08]に分類される特許

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【課題】 アルコールと1級もしくは2級アミンとを原料として、対応する3級アミンを高選択的に高収率で製造する方法の提供。
【解決手段】 アルコールと1級もしくは2級アミンを原料として、対応する3級アミンを製造する方法であって、次の工程(i)、(ii)及び(iii)を含み、かつ工程(ii)を他の工程より独立させて行う、3級アミンの製造法。
工程(i):アルコールを脱水素して、アルデヒドを得る工程。
工程(ii):アルデヒドと1級もしくは2級アミンを反応させて、1級もしくは2級アミン付加体を得る工程。
工程(iii):1級もしくは2級アミン付加体を水素付加して、3級アミンを得る工程。 (もっと読む)


フッ素化されたアミノボラン、新規なビス−アミノボラン、および飽和および不飽和の長いアルキル鎖を有するアミノボランを含む、アミン−ボラン化合物の新規ファミリーが提供される。これらの新規な化合物を調製するプロセス、医薬組成物、使用方法もまた提供される。放射能標識されたアミノボランおよび放射性画像化(例えば、PET)および放射線治療におけるそれらの使用がさらに提供される。 (もっと読む)


非置換、N−置換、及びN,N−二置換アミドの接触水素化による第一級、第二級及び第三級アミンの調製方法を開示する。アミドは、補助アミンと一緒に、水素含有ガス流中で気化形態で、触媒上に導く。この方法は、CuCr−タイプ触媒のような一般的な水素化触媒を使用して、2〜50barの比較的低い圧力で行うことができる。アミンは、高収率及び高選択率で得られる。この方法は、連続固定床反応器で行うことができる。 (もっと読む)


本発明は、アルコールと1級もしくは2級アミンとを原料として、対応する3級アミンを簡易なプロセスにより高収率で製造する方法、及びそれに用いる触媒を提供する。 本発明は、アルコールと1級もしくは2級アミンとを原料として3級アミンを製造する際に用いられる、3級アミン製造用フィルム型触媒、並びにこのフィルム型触媒の存在下、アルコールと1級もしくは2級アミンとを反応させる、3級アミンの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 フィルム型触媒を用いて、アルコールと1級又は2級アミンとを原料として、対応する3級アミンを製造するに際して、3級アミンを高収率で効率的に製造する方法の提供。
【解決手段】 アルコールと1級又は2級アミンとから3級アミンを製造する方法であって、槽に付帯した外部循環ライン中にフィルム型触媒を装填した反応器を設置し、該反応器に、反応液を3回/Hr以上循環させて反応を行なう、3級アミンの製造方法。 (もっと読む)


アルデヒド及び/又はケトンと水素及び、第1級アミン及び第2級アミンの群から選択された窒素化合物とを不均一系触媒の存在下で反応させることによりアミンを製造する方法において、触媒が、少なくとも1種の触媒活性金属及び/又はこの金属の少なくとも1種の化合物を担体としての織物、編物又はシート上に施与することにより製造可能な触媒充填物であることを特徴とする方法。 (もっと読む)


【課題】 安定性が大幅に改善され、即ち、予め大量生産していても問題が少なく、そして成膜した場合には、Al系膜が均一に形成され、特に穴や溝の底面部にも、均一にAl系膜が形成される技術を提供することである。
【解決手段】 下記の一般式[I]で表される化合物。
一般式[I]
CHAlH:L
[但し、一般式[I]中、Lはアルキルアミンである。] (もっと読む)


本発明は、N−置換サリチルアミドまたはその誘導体、およびその塩、水和物および溶媒和物の製造法に関する。特に、本発明はN−(5−クロロサリチロイル)−8−アミノカプリル酸(5−CNAC)およびその対応する二ナトリウム一水和物の製造法に関する。 (もっと読む)


触媒の変性方法であって、1種以上の溶剤の存在下で炭素含有残分の堆積によって、その際、処理の間の触媒処理溶液上の気相が、空気又は不活性ガスであり、かつ/又は液相が、テンプレート剤及び/又は塩基を含有する方法。変性された触媒は、有機化合物の立体選択的、化学選択的及び位置選択的な変換のために使用することができる。
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【課題】 パーティクル汚染を防止しながら、良好な成膜効率で薄膜を形成することができ、特に特にALD法を含むCVD法等の気化工程を有する薄膜製造方法に好適な薄膜形成用原料を提供すること。
【解決手段】 下記一般式(I)で表される金属化合物を含有してなる薄膜形成用原料。
【化1】
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