【課題】不純物としての金属元素の含量が少なく、半導体装置の素子膜などに用いても問題のない高純度のボラジン化合物を製造しうる手段を提供する。
【解決手段】水素化ホウ素金属塩と、（ＲＮＨ_３）_ｎＸ（Ｒは水素原子、アルキル基、またはシクロアルキル基であり、Ｘは硫酸基またはハロゲン原子であり、ｎは１または２である）で表されるアミン塩とを、溶媒中で反応させてボラジン化合物を合成する段階を有する、ボラジン化合物の製造方法において、各金属元素（ただし、水素化ホウ素金属塩の構成元素の含有量を除く）の含有量がいずれも１００質量ｐｐｍ以下の水素化ホウ素金属塩、または各金属元素の含有量がいずれも１００質量ｐｐｍ以下のアミン塩の少なくとも一方を反応に用いるか、あるいは、アルミニウム、亜鉛、クロム、コバルト、鉄、銅、鉛、ニッケル、およびマンガンの総含有量（ただし、水素化ホウ素金属塩の構成元素の含有量を除く）が２０質量ｐｐｍ以下の水素化ホウ素金属塩、またはアルミニウム、亜鉛、クロム、コバルト、鉄、銅、鉛、ニッケル、およびマンガンの総含有量が１００質量ｐｐｍ以下のアミン塩の少なくとも一方を反応に用いる。 （もっと読む）

【課題】不純物としての金属元素の含量が少なく、高純度のボラジン化合物を製造しうる手段を提供する。
【解決手段】化学式１：


（上記式において、Ｒは互いに独立して、水素原子、アルキル基及びシクロアルキル基からなる群より選択される）で示されるボラジン化合物を合成する段階と、前記ボラジン化合物を金属除去剤と接触させる段階とを含む、ボラジン化合物の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩ等の性能を向上させるために、ナトリウムなどの金属原子のボラジン化合物中での存在量が少なく、高純度のボラジン化合物を高収率で製造しうる手段を提供することを目的とする。
【解決手段】水素化ホウ素金属塩（ただし、金属原子はリチウム原子、ナトリウム原子及びカリウム原子以外である）（Ｉ）と、（ＲＮＨ_３）_ｎＸ（Ｒは水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であり、Ｘは硫酸基またはハロゲン原子であり、ｎは１または２である）で表されるアミン塩（ＩＩ）とを、溶媒（ＩＩＩ）中で反応させてボラジン化合物を合成する段階を含む、ボラジン化合物の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高品質のボラジン化合物を、効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】ＡＢＨ_４（Ａは、リチウム原子、ナトリウム原子またはカリウム原子である）で表される水素化ホウ素アルカリと、ＲＮＨ_３Ｘ（Ｒは水素原子またはアルキル基であり、Ｘはハロゲン原子である）で表されるアミン塩とを溶媒中で反応させてボラジン化合物を製造する方法であって、反応器に水素化ホウ素アルカリと溶媒を含む混合物を供給しながら反応するに当たり、前記水素化ホウ素アルカリと溶媒を含む混合物の供給時の温度を５０℃以下にすることを特徴とするボラジン化合物の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高純度のボラジン化合物を効率的に製造しうる手段を提供する。
【解決手段】ＡＢＨ_４（Ａは、リチウム原子、ナトリウム原子またはカリウム原子である）で表される少なくとも１種の水素化ホウ素アルカリと、（ＲＮＨ_３）_ｎＸ（Ｒは水素原子または置換基があってもよいアルキル基であり、Ｘは硫酸基またはハロゲン原子であり、ｎは１または２である）で表される少なくとも１種のアミン塩とを、溶媒中で反応させてボラジン化合物を合成する段階を有し、前記水素化ホウ素アルカリおよび前記アミン塩のうち少なくとも一方が、撹拌しながら加熱乾燥することによって水分含量が１質量％以下としたものであることを特徴とする、ボラジン化合物の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ハライドイオンの含有量が非常に少ないＮ−アルキルボラジンを製造する手段を提供する。
【解決手段】ＡＢＨ_４（Ａは、リチウム原子、ナトリウム原子またはカリウム原子である）で表される水素化ホウ素アルカリと、ＲＮＨ_３Ｘ（Ｒはアルキル基であり、Ｘはハロゲン原子である）で表されるアルキルアミン塩とを溶媒中で反応させてＮ−アルキルボラジンを合成する工程を含むＮ−アルキルボラジンの製造方法であって、反応後の第１溶液からハライドイオンの含有量を前記Ｎ−アルキルボラジンに対して１０００質量ｐｐｍ以下に低減させた第２溶液を得る工程、および前記第２溶液から蒸留精製によってＮ−アルキルボラジンを精製する工程を含む、Ｎ−アルキルボラジンの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｎ−アルキルボラジンに含まれる、Ｎ−アルキルボラジンと沸点差の小さい不純物の含有量を効果的に低減させる手段を提供する。
【解決手段】ＡＢＨ_４（Ａは、リチウム原子、ナトリウム原子またはカリウム原子である）で表される水素化ホウ素アルカリと、（ＲＮＨ_３）_ｎＸ（Ｒはアルキル基であり、Ｘは硫酸基またはハロゲン原子であり、ｎは１または２である）で表されるアミン塩とを、反応用溶媒中で反応させてＮ−アルキルボラジンを合成する段階を含み、前記反応用溶媒として、前記Ｎ−アルキルボラジンの沸点±３５℃の範囲に沸点を有する有機物の含有量が５００質量ｐｐｍ以下の溶媒を使用する、Ｎ−アルキルボラジンの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ボラジン化合物を保存する際に、保存用容器の水分を除去し、保存中のボラジン化合物の分解および反応を防止する手段を提供する。
【解決手段】ボラジン化合物保存用容器の洗浄方法であって、ボラジン化合物保存用容器を純水で洗浄後、窒素ガスでフローしたときの窒素ガスの露点が−３０℃以下になるまで乾燥する段階を有する、ボラジン化合物保存用容器の洗浄方法により、上記課題は解決される。 （もっと読む）

【課題】ボラジン化合物を製造する際の当該化合物への塩素イオンの混入を効果的に抑制しうる手段を提供する。
【解決手段】ボラジン化合物を準備するボラジン化合物準備段階と、準備された前記ボラジン化合物を、塩素イオン濃度１００ｎｇ／ｍ^３以下の雰囲気条件下にて濾過する濾過段階と、を有する精製ボラジン化合物の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】細胞増殖性疾患及び病態を治療するのに有効な新規なヒストンデアセチラーゼ阻害化合物の提供。
【解決手段】特定のベンズアミド類化合物、具体的には、N-[２−アミノ−５−（２−チエニル）フェニル]−４−［［（５−クロロ−６フルオロ−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）アミノ］メチル］ベンズアミド、Ｎ−［２−アミノ−５−（２−チエニル）フェニル］−５−［［（３，４，５−トリメトキシフェニル）アミノ］メチル］−１−ベンゾフラン−２−カルボキサミド等が例示される。 （もっと読む）