国際特許分類[C07F9/6568]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 有機化学 (230,229) | 炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物 (10,137) | 周期律表の第5族の元素を含有する化合物 (2,968) | リン化合物 (2,849) | 複素環式化合物,例.異項原子としてリンを含有するもの (1,320) | 異項原子として,リン原子をもち,さらに窒素,酸素,硫黄,セレンまたはテルル原子をもつかまたはもたないもの (348) | 異項原子としてリン原子のみをもつもの (55)
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Pキラル性ホスホランの調製および不斉合成でのその使用
Pキラル性モノホスホランおよびビスホスホランを調製するための材料および方法を開示する。この方法は、立体選択的な環化を使用してホスホラン環を生成した後、ピラミッド反転によって様々なPキラル性ホスホランに到達するものである。開示されるPキラル性ホスホランは、ロジウムなどの遷移金属に結合させると、プレガバリンを含む、医薬としての価値ある化学的存在の不斉合成で触媒として使用することができる。
【化1】
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触媒系
本発明は、エチレン系不飽和化合物のカルボニル化を触媒することが可能な触媒系であって、a)VIB族もしくはVIIIB族の金属またはそれらの化合物、b)二座ホスフィン、アルシンまたはスチビン配位子、およびc)酸を組み合わせることにより得られ、該配位子は、該金属または該金属化合物中の該金属に対して少なくとも2:1のmol過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも2:1のmol過剰で存在する、触媒系、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する方法、反応媒質および該触媒系の使用方法を提供する。
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ビスホスホラン配位子を製造するための方法
本発明は、一般式(I)のエナンチオ濃縮された化合物の製造方法に関する。示された型の化合物を触媒系中で使用する。
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光学活性なリン複素環二量体の製造方法
下記一般式(1)
【化1】
(Rは直鎖状、分岐状又は環状の炭素数2〜20のアルキル基を示す)
で表わされる一級ホスフィンに下記一般式(2)
【化2】
(Yはハロゲン原子または−Ots、−Otf、−Omsから選ばれる脱離基、nは3〜6の数を示す)で表わされる化合物を塩基の存在下で作用させ、続いて三水素化ホウ素、酸素又は硫黄を作用させて下記一般式(3)
【化3】
(Rは前記と同義、nは1〜4の数、Xは三水素化ホウ素基、酸素原子又は硫黄原子、===はXが三水素化ホウ素基の時は単結合、Xが酸素原子、硫黄原子の時は二重結合を示す)で表わされるリン複素環化合物を得、該化合物を二量化することにより下記一般式(4)
【化4】
(R、n及びXは前記と同義)で表わされるリン複素環の二量体を得、続いて該リン複素環の二量体を脱酸素、脱硫黄、又は脱ボラン処理し、下記一般式(5)
【化5】
(R及びnは前記と同義)で表わされる光学活性なリン複素環の二量体を得る。
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新規光学活性リンキラルジホスフェタン化合物、該化合物の中間体、及び該化合物を配位子とする遷移金属錯体
本発明は、中心金属に配位する際に安定した不斉空間が構築され、不斉水素化反応などの触媒的不斉合成の際に用いられる遷移金属触媒の配位子として有用な新規光学活性リンキラルジホスフェタン化合物、該化合物の中間体、及び該化合物を配位子とする遷移金属錯体触媒を提供する。
本発明に係る化合物は、一般式(1)
【化1】
(式中、Rは直鎖状、分岐状または環状の炭素数2〜20のアルキル基を示す)で表わされる構造を有する光学活性ジホスフェタン化合物である。
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