本発明は、オレフィンが、ヒドロホルミル化、ヒドロシアン化、ヒドロカルボキシル化およびヒドロエステル化からなる群より選択される不斉反応を、触媒としての、エナンチオマー濃縮されたキラルなビス（ホスホラン）配位子の遷移金属錯体の存在下で受ける合成的に有用なプロセスを含む。 （もっと読む）

本発明は、一般式（Ｉ）の新規配位子系に基づいている。これらの配位子系は、遷移金属で触媒された不斉合成において有利に使用されることができる。同様に、こうして製造された遷移金属錯体、前記配位子を製造する方法及び不斉合成における錯体の使用が含まれる。
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有利に透明な、場合により既に１つ以上の反射層で被覆された基板を有し、前記の基板の表面上に光により書き込み可能な情報層、場合により１つ以上の反射層及び場合により保護層又はもう１つの基板又はカバー層が設けられており、青色光又は赤色光、有利にレーザー光により書き込み及び読み出しが可能であり、前記の情報層は吸光性化合物及び場合によりバインダーを含有する光学データ記録媒体用の新規金属錯体において、吸光性化合物として、前記の少なくとも前記の金属錯体が使用されていることを特徴とする、光学データ記録媒体用の新規金属錯体が見出された。 （もっと読む）

【課題】 不斉反応を高い収率と選択性で実現可能とする、新しいＰ，Ｎ−型不斉配位子とこれを用いた不斉反応を提供する。
【解決手段】 次式（１）（２）
【化１】


（Ｒ¹は置換基を有していてもよいアリール基を示し、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴およびＲ⁵は、水素原子または置換基を有していてもよい炭化水素基を示し、Ｒ²とＲ³、Ｒ⁴とＲ⁵は環を形成していてもよい。）
のいずれかで表わされる光学活性なホスホラン化合物を不斉配位子とする。
。 （もっと読む）

【課題】不斉誘起効果を有することが新たに見出されたシス体のホスホラン−２−カルボン酸誘導体について、その有用物質としての高効率で選択的な製造方法と、これにより得られる不斉配位子もしくは不斉配位子を反応誘導する化合物を提供する。
【解決手段】１−アリールホスホランボラン錯体にアルキルリチウムを作用させた後、二酸化炭素を反応させて１−アリールホスホラン−２−カルボン酸・ボラン錯体を製造するに際し、反応系への二酸化炭素ガスの導入速度によってシス体とトランス体の生成比を制御し、シス体を優先的に生成させる。 （もっと読む）

本発明は、遷移金属による触媒された反応のための配位子として一般式（Ｉ）の化合物に関する。その製造及びその使用、特にβ−アミノ酸の製造のためのその使用も議論されている。
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【課題】 任意の原子を任意の数で含有する環状アセチレン化合物の合成、特にゲルマニウムを含有する環状アセチレン化合物ゲルマペリサイクリンの合成を実現すること。
【解決手段】 本発明に係る環状アセチレン化合物の合成方法は、少なくとも、非環状アセチレン化合物を生成させる工程を包含していればよいといえる。 （もっと読む）

本発明は、式：Ｒ¹ＰＨａｌ₂（式中、Ｒ¹は、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル、Ｃ₃〜Ｃ₁₂シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールであり、Ｈａｌは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩであり、そしてｎは、３〜２０の数である）で示されるジハロ（オルガニル）ホスファンを、ａ）有機溶媒中で活性化亜鉛と、またはｂ）活性化剤の存在下で非極性有機溶媒中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属と、反応させることによって、式（Ｉ）：（Ｒ¹Ｐ）_nで示されるシクロオルガニルホスファンを製造する方法に関する。本発明は、新規なジ（アルカリ金属／アルカリ土類金属）オリゴホスファンジイド、および有機リン化合物の製造におけるその使用にも関する。 （もっと読む）

本発明は、式Ｉ（式中、Ｒ¹およびＲ²は、互いに独立にアルキル、アリール、シクロアルキルまたはヘテロアリールであり、前記アルキル、アリール、シクロアルキルまたはヘテロアリールは、アルキル、アルコキシ、ハロゲン、ヒドロキシ、アミノ、モノもしくはジアルキルアミノ、アリール、−ＳＯ₂−Ｒ⁷、−ＳＯ₃⁻、−ＣＯ−ＮＲ⁸Ｒ^8''、カルボキシ、アルコキシカルボニル、トリアルキルシリル、ジアリールアルキルシリル、ジアルキルアリールシリルまたはトリアリールシリルで置換されていてもよく、Ｒ³は、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールであり、Ｒ^4'およびＲ⁴は、互いに独立に水素、アルキルまたは場合により置換されたアリールを示すか、あるいはＲ^4'およびＲ⁴は、これらが結合したＣ原子とともに、３〜８員炭素環を形成し、点線は、存在しないか、存在して二重結合を形成し、Ｒ⁵およびＲ⁶は、互いに独立に水素、アルキルまたはアリールであり、Ｒ⁷は、アルキルまたはアリールであり、Ｒ⁸およびＲ^8'は、互いに独立に水素、アルキルまたはアリールであり、太線結合で結合した置換基は互いにシスの関係にある）の新規なホスフィン配位子、このような配位子を有する金属錯体、並びにこのような金属錯体の不斉反応での触媒としての使用に関する。
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アノード、カソード、前記アノードと前記カソードの間に位置する発光層を含む発光装置において、
前記発光層は発光のための金属錯体を含み、前記金属錯体は一般式Ｉを有する基を含み、
Ｍ−Ｌ （Ｉ）
Ｍは金属であり、Ｌは配位子であり、Ｌは置換又は未置換のヘテロアリール環であるＡｒを含み、前記ヘテロアリール環は少なくとも１つのリン原子を含むことを特徴とする発光装置。 （もっと読む）