【課題】７員環複素環を含んだ多環縮環型化合物、及びその製造方法の提供。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物。


（Ｍは、置換基があってもよいＳｉ等の金属元素、Ｐ原子等を、Ａ及びＢは、それぞれｎ個、ｍ個の芳香環縮環構造を、ｎは１以上、ｍは２以上の整数を表す。）例えば、下式の合成中間体４ａから製造される５ａのようなＳｉ化合物である。
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【課題】ニトロ化合物を検出標的とする検出方法であって、検出標的に前処理を必要とせず、迅速、高感度で広い範囲のニトロ化合物を検出でき、視認性が高く裸眼でも容易に検出可能で、携帯性にも優れている検出方法を提供する。
【解決手段】ホスホール骨格を含む蛍光性物質をニトロ化合物と接触させると、ニトロ化合物が存在しない場合に比べて蛍光の強度が著しく弱くなることを利用したニトロ化合物の検出方法。 （もっと読む）

【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体、及びそれを用いた耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示されるヘテロアセン誘導体。


（ここで、置換基Ｒ^１〜Ｒ^４は同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数４〜３０のアリール基、炭素数６〜２０のアルキル基、を示し、Ｔ^１及びＴ^２は同一又は異なって、硫黄、セレン、テルル、リン、ホウ素を示し、ｌ及びｍは、各々０又は１の整数） （もっと読む）

新規な有機発光化合物及びこれを含む有機発光素子及び有機太陽電池が提供される。本発明による有機発光化合物は、発光効率がよく、材料の色純度及び寿命特性に優れる。従って、前記有機発光化合物は、駆動寿命が非常に良好なＯＬＥＤ素子を製造するために用いられることができる。 （もっと読む）

【課題】近紫外光で励起した際に大きな発光強度を有するテルビウム錯体を提供する。
【解決手段】ホスフィンオキシド化合物と、サリチル酸エステル化合物とをともに配位子とすることを特徴とする。例えば下記化学式で表わされる化合物が挙げられる。
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【課題】新規の有機電界発光化合物の提供。
【解決手段】下記化学式１で表される有機電界発光化合物。


（Ａｒは、Ｃ６〜６０のアリーレン、Ｎ、Ｏ及びＳから選択される１以上のヘテロ原子を含むＣ３〜６０のヘテロアリーレン、Ｎ、Ｏ及びＳから選択される１以上のヘテロ原子を含む５員もしくは６員のヘテロシクロアルキレン、Ｃ３〜６０シクロアルキレン等である。Ｒ_１〜Ｒ_８は、Ｈ、ハロゲン、Ｃ１〜６０のアルキル、Ｃ６〜６０のアリール等である。） （もっと読む）

【課題】発光効率に優れ、寿命が画期的に改善された有機電界発光素子、およびこの素子を実現するための新たな電界発光化合物を提供する。
【解決手段】新規な有機発光化合物、及びこれを電界発光層に使用する有機電界発光素子を提供する。当該有機電界発光化合物は、下記化学式により表される化合物であることを特徴とする。これらの有機電界発光化合物は、発光効率がよくて、材料の色純度及び寿命特性に優れているので、その化合物から駆動寿命が非常に良好なＯＬＥＤを製造することができる。


（式中、Ｒ１−Ｒ１６は、Ｈ、ハロゲン、アリール環、シクロアルキル環等を表す。） （もっと読む）

【課題】物理的性質、熱的安定性、および電気化学的安定性に優れた新規なポリベンゾホスホール化合物および、多様な置換基が導入可能な当該ポリベンゾホスホール化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（I）


（式中、Ｒ¹およびＲ²は芳香族炭化水素基などを示し、Ｒ³はｎ価の芳香族炭化水素残基などを示し、ｎは２〜６の整数を示す。ａ、ｂ、ｃ、およびｄはそれぞれ独立に水素原子または置換基と結合した炭素原子または窒素原子を示す。）で表されるポリベンゾホスホール化合物。 （もっと読む）

【課題】様々な置換基を有する３−オキソ−λ⁵−ホスホール化合物の製造方法の提供。
【解決手段】下記式で表されるホスホール化合物（１）の製造方法。


［Ｒ¹、Ｒ²およびＲ⁵は、Ｃ_6-12アリール基等を、Ｒ³およびＲ⁴は、アリール基等、Ｒ⁶はＣ_1-6アルキル基を、Ｈａｌはハロゲン原子基を示す。］或いは、式（１５）と（１６）で表される化合物の付加環化反応からホスホール化合物（１）が製造される。


［Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ¹⁵は、Ｈ、Ｃ_6-12アリール基等を、Ｒ¹³およびＲ¹⁴は、アリール基等を、Ｘは脱離基を示す。］ （もっと読む）

【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（１ａ）で示されるヘテロアセン誘導体の製造方法であり、一般式（２ａ）で示されるテトラハロターフェニル誘導体をジアルキルエーテル中でメタル化剤を用いてテトラメタル化した後、一般式（３ａ）及び一般式（４ａ）で示される反応剤と反応させることを特徴とするヘテロアセン誘導体の製造方法；一般式（１ｂ）で示されるヘテロアセン誘導体の製造方法であり、一般式（２ｂ）で示されるテトラハロターフェニル誘導体をジアルキルエーテル中でメタル化剤を用いてテトラメタル化した後、一般式（３ｂ）及び一般式（４ｂ）で示される反応剤と反応させることを特徴とするヘテロアセン誘導体の製造方法。 （もっと読む）