【課題】両面銅張積層板を製造する際に、折れを抑制することができる両面銅張積層板用圧延銅合金箔、及びそれを用いた両面銅張積層板の製造方法を提供する。
【解決手段】添加元素としてＡｇを５０〜３００質量ｐｐｍ含み、残部がＪＩＳ−Ｈ３１００-Ｃ１１００に規定するタフピッチ銅、又はＪＩＳ−Ｈ３１００-Ｃ１０２０に規格する無酸素銅からなる銅合金箔であって、１５０℃で３０分間の焼鈍を施したときに圧延方向のヤング率が９０〜１２０ＧＰａとなり、３５０℃で３０分間焼鈍を施したときに圧延方向のヤング率が６０〜７５ＧＰａとなる両面銅張積層板用圧延銅合金箔４である。アプリケーションロール１０、１１等を用いて、片面にワニス状の樹脂組成物２ａを塗布し、乾燥装置１５で硬化させた、両面銅張積層板用圧延銅合金箔４に対し、コイル状の第２の銅箔６を連続的に巻出し、加熱されたラミネートロール２０、２１の間に連続的に通箔し製造する。 （もっと読む）

【課題】圧延方向に対して垂直方向のたわみ係数が低く、曲げ加工性に優れ、優れた強度を有し、電気・電子機器用のリードフレーム、コネクタ、端子材等、自動車車載用などのコネクタや端子材、リレー、スイッチなどに適した銅合金板材を提供する。
【解決手段】ＮｉとＣｏのいずれか１種または２種を合計で０．５〜５．０ｍａｓｓ％、Ｓｉを０．１〜１．５ｍａｓｓ％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる銅合金であって、ＥＢＳＤ法による測定における結晶方位解析において、
Ｃｕｂｅ方位｛１００｝＜００１＞の面積率が５％以上、かつＮＤＲＤＷ方位｛０１２｝＜２２１＞の面積率が１０％以下
であることを特徴とする銅合金板材。 （もっと読む）

【課題】汎用性が高く、良好な高温環境下での信頼性が得られる方法で半導体チップの実装を行い、半導体装置の高温動作を可能とする。
【解決手段】実装基板と半導体チップとの間に、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉより選択されるいずれかの金属又はその合金を含む接合支持層と、接合支持層を挟んで積層され、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎより選択されるいずれかの金属又はこれらの金属から選択される２以上の金属からなる合金を含む溶融層と、を有し、少なくとも最外層に溶融層が形成された接合層を介在させ、溶融層の融点以上の温度で保持し、液相拡散により溶融層より融点が高い合金層を形成して、実装基板と半導体チップを接合させる。 （もっと読む）

【課題】強度、導電率を確保しつつ、ノッチング加工を施した場合にも改善された曲げ加工性を示すＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金。
【解決手段】０．５〜３．０質量％のＣｏと０．１〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、表層及び中央部のいずれにおいても、｛２００｝正極点図上で、シュルツ法に規定する回折用ゴニオメータの回転軸に垂直な軸回りの角度αが０〜１０°の範囲のＸ線ランダム強度比の極大値が３．０〜１５．０である曲げ加工性に優れたＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金条であって、好ましくは圧延方向に平行で板厚方向に平行な断面の、粒径１〜２μｍの介在物の個数が２０〜２００個／ｍｍ²であるＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金条。この合金条は、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｎ、Ｎｉ及びＡｇのうち１種以上を総量で０．００５〜２．５質量％含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】高強度、高耐熱性、高導電率及び良好な加工性を有するだけではなく、銅箔表面に電着粒のめっき等による粗化処理を施さずに負極活物質層に含まれる樹脂との密着性の高い圧延銅箔及びその製造方法、並びに該圧延銅箔を用いたリチウムイオン二次電池負極を提供することにある。
【解決手段】Ｃｒを、好ましくはＣｒを０．２０〜０．４０重量％含有し、さらに、強度及び／又は耐熱性を向上させる機能を有する元素（ただしＣｒは除く）、好ましくはＡｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｒからなる元素群の中から選ばれる元素の１種又は２種以上を、各構成元素の（原子半径）×（原子％）の総和を全構成元素の平均原子半径としたときに、該平均原子半径がＣｕの原子半径より小さくなる割合で含有し、残部がＣｕ及び不可避な不純物からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高強度、高耐熱性、高導電率及び良好な加工性等を有するだけではなく、銅箔表面に電着粒のめっき等による粗化処理を施さずに負極活物質層に含まれる樹脂との密着性の高い圧延銅箔及び該圧延銅箔を用いたリチウムイオン二次電池負極を提供する。
【解決手段】圧延銅箔はＣｕを主成分とし、Ｃｕより原子半径が小さな元素の１種又は２種以上からなる添加元素Ａと不可避不純物とを含有する銅合金組成を有し、（前記添加元素Ａを構成する各添加元素とＣｕとの原子半径の差）×（各添加元素の原子％）の総和を添加元素Ａによる原子間距離の変化量としたときに、該原子間距離の変化量が−０．００２ピコメーター（ｐｍ）以下であり、かつ前記添加元素Ａの総量が前記銅合金組成の総量を１００重量部としたときに１．０重量％以下である。 （もっと読む）

【課題】鋼裏金と強固に接合したＡｌ青銅焼結合金摺動材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】鋼裏金上に中間層となるＣｕ−Ｓｎ焼結材料粉末を第一粉末層として散布し、その上にＡｌ青銅焼結材料粉末を散布して摺動層となる第二粉末層を形成後、還元性或いは不活性ガス雰囲気下５５０〜７５０℃の温度範囲で一次焼結を行い、第一粉末層の焼結を進行させ、鋼裏金との接合および凝集固化した第二粉末層との密着性を高め、続いて第二粉末層を緻密化させるために加圧圧縮を施し、第二粉末層の密度を高めた後、二次焼結を還元性或いは不活性ガス雰囲気、８４０〜９５０℃の温度で施し、第一粉末層から発生する遷移的な液相により、第二粉末層の焼結促進と、中間層を介した鋼裏金と摺動層間の焼結・接合をより強固にし、最表層に鋼裏金と強固に接合したＡｌ青銅焼結合金層を形成したＡｌ青銅焼結合金摺動材料を得る。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系の軸受けや摺動部品などに使用される焼結部品のさらなる高強度化および小型複雑形状化に対応する原料粉末として、焼結体組織を均一化し、高い成形性の圧粉体と高強度な焼結体が得られる粉末冶金用のＣｕ−Ｓｎ−Ｎｉ系の原料粉末を提供する。
【解決手段】重量比でＳｎを３〜１２％含み、Ｎｉを５〜１５％含み、Ｐを０．０５〜１．０％含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなることを特徴とする粉末冶金用の混合粉末である。 （もっと読む）

【課題】銅箔表面を適度に粗くして取り扱い性を向上し、さらに屈曲性に優れるとともに、銅箔の取り扱い時に表面にキズが生じ難く、表面エッチング特性が良好な圧延銅箔を提供する。
【解決手段】表面粗さＲａと、銅箔の厚みｔとの比率Ｒａ／ｔが０.００４以上０.００７以下であり、集束イオンビームを用い、銅箔の圧延平行方向に沿う長さ２５μｍの断面を作製し、該断面の走査イオン顕微鏡像を観察したとき、銅箔の厚み方向へのせん断帯の到達深さのＬｓの平均値Ｌｓａが、銅箔の厚みｔに対し、０.０１≦Ｌｓａ／ｔ≦０.４の関係を満たす圧延銅箔である。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】１０００℃で１時間加熱前の走査電子顕微鏡による表面の元素分析を行って測定される直径が０．５μｍ以上の酸化物及び硫化物の合計個数が１５個/ｍｍ^２以下であるグラフェン製造用銅箔である。所定の室内１００に、加熱したグラフェン製造用銅箔１０を配置すると共に炭素含有ガスＧを供給し、グラフェン製造用銅箔の表面にグラフェン２０を形成するグラフェン形成工程と、グラフェンの表面に転写シート３０を積層し、グラフェンを転写シート上に転写しながら、グラフェン製造用銅箔をエッチング除去するグラフェン転写工程と、を有するグラフェンの製造方法である。 （もっと読む）