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国際特許分類[C22C9/02]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理 (53,456) | 合金 (38,126) | 銅基合金 (3,322) | 次に多い成分として錫を含むもの (563)

国際特許分類[C22C9/02]に分類される特許

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【課題】 鉛を実質的に含有しない接合材を用い、高温条件においても良好な機械的強度を保持可能な接合体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、金属材料の溶融温度が260℃以上であり、鉛及び金を主成分とした金属合金を代替する接合材料として、被接合部に物理蒸着法により形成されるSnと、前記Snより高融点を有する金属材料とからなる接合層を、他方の被接合部に接合することにより、300℃以上450℃以下の温度範囲において、良好な接合状態が確保でき、かつ高い高温強度を維持することを可能とした。 (もっと読む)


【課題】再結晶前後の寸法変化が小さく、かつ寸法変化の異方性が小さい圧延銅箔を提供する。
【解決手段】圧延平行断面から見て、好ましくは、350℃で30分焼鈍前の圧延平行断面から見て、或いは最終冷間圧延後において、圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に1μmの深さの線Cを横切って該表面に到達するせん断帯の本数が、表裏面の合計値で0.1本/μm以下である圧延銅箔である。350℃で30分間焼鈍前、或いは焼鈍後において、再結晶組織の面積率が50%未満(0%を含む)である。最終冷間圧延において、最終5パスの中で前のパスより加工度が高いパスが存在し、当該5パス中のいずれかのパスの最大加工度が40%を超え、かつ最終パスでの加工度が前記5パス中で最小となり、鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延を行って製造され、当該最終冷間圧延の総加工度が98.5%以下である圧延銅箔である。 (もっと読む)


【課題】再結晶前後の寸法変化が小さく、かつ寸法変化の異方性が小さい圧延銅箔を提供する。
【解決手段】 350℃で30分間焼鈍前後の寸法変化率が、圧延平行方向と圧延直角方向でいずれも0〜0.01%である圧延銅箔である。 (もっと読む)


【課題】 コネクタ、端子、リレー、スイッチ等の導電性ばね材として好適な、優れた強度、曲げ加工性を備えたCu−Co−Si系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 0.5〜3.0質量%のCo及び0.1〜1.0質量%のSiを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、EBSD(Electron Back−Scatter Diffraction:電子後方散乱回折)測定を行い、結晶方位を解析したときに、Cube方位{0 0 1}<1 0 0>の面積率が5%以上、Brass方位{1 1 0}<1 1 2>の面積率が20%以下、Copper方位{1 1 2}<1 1 1>の面積率が20%以下であり、加工硬化指数が0.2以下であるCu−Co−Si系合金。 (もっと読む)


【課題】銅箔表面近傍のせん断帯を抑制し、屈曲性が向上した圧延銅箔を提供する。
【解決手段】再結晶組織の面積率が50%未満(0%を含む)であり、かつ圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に銅箔厚みの1/10の深さの線を横切って該表面に到達するせん断帯が表裏面の合計値で0.1本/μm以下である圧延銅箔である。 (もっと読む)


【課題】良好な曲げ加工性及び応力緩和特性を兼ね備えたCu−Ni−Si系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】1.0〜4.5質量%のNi及び0.2〜1.0質量%のSiを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、圧延平行断面における単位面積当たりの結晶粒個数に対して、結晶粒径が10μm以下の結晶粒個数の割合が15%以上、20μm以上の結晶粒個数の割合が15%以上である曲げ加工性及び応力緩和特性に優れたCu−Ni−Si系合金。 (もっと読む)


【課題】プリント配線板の配線として用いられたときに、長期の使用によっても配線にクラックが発生しない圧延銅箔、及び、それを用いた銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及び電子機器を提供する。
【解決手段】結晶の金属組織の測定点に電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点の周囲に0.5μm離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差が2°以上の部位を結晶粒界として前記結晶粒界のΣ値を決定したとき、400℃で1時間の焼鈍後に測定したΣ19以上の結晶粒界の長さの合計が8cm/mm2以下である圧延銅箔。 (もっと読む)


【課題】低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材11と、基材11の最表層を構成し、Sn,In,またはそれらの合金で形成されたA層14と、基材11とA層14との間に設けられて中層を構成し、Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os,Ir,またはそれらの合金で形成されたB層13と、を備え、最表層(A層)14の厚みが0.2μmよりも厚く、中層(B層)13の厚みが0.001μm以上である電子部品用金属材料10。 (もっと読む)


【課題】銅合金製の摺動部材を製造するにあたり、強度の低下を起こすことなく、また、接着や乾燥などの処理を行う必要なく、かつ、不連続面を発生させないように、摺動部材表面に黒鉛を配する。
【解決手段】摺動面において凹部が占める面積比率が2%以上であり、その凹部の表面における大きさの平均が5μm以上、75μm以下となるよう形成させた摺動部材に対して、その凹部に黒鉛を保持させる。 (もっと読む)


【課題】高い強度と導電性を併せ持ち、尚且つハーフエッチング時の均一なエッチング性に優れた高強度・高導電銅合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】0.05〜1.0質量%のFe、0.05〜1.0質量%のNi、0.02〜0.3質量%のPを含有し、FeとNiの合計とPの質量比(Fe+Ni)/Pが3〜10、FeとNiの質量比Ni/Feが1〜10であり、残部がCu及び不可避的不純物からなる銅合金であって、銅合金中に含まれる粒径が10nm以上の晶出物及び析出物のうち、粒径が100nm以上である晶出物及び析出物の割合が1%以下である高強度・高導電銅合金及びその製造方法である。 (もっと読む)


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