【課題】再結晶前後の寸法変化が小さく、かつ寸法変化の異方性が小さい圧延銅箔を提供する。
【解決手段】 ３５０℃で３０分間焼鈍前後の寸法変化率が、圧延平行方向と圧延直角方向でいずれも0〜0.01%である圧延銅箔である。 （もっと読む）

【課題】銅箔表面近傍のせん断帯を抑制し、屈曲性が向上した圧延銅箔を提供する。
【解決手段】再結晶組織の面積率が50%未満（0%を含む）であり、かつ圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に銅箔厚みの1/10の深さの線を横切って該表面に到達するせん断帯が表裏面の合計値で0.1本/μm以下である圧延銅箔である。 （もっと読む）

【課題】 コネクタ、端子、リレー、スイッチ等の導電性ばね材として好適な、優れた強度、曲げ加工性を備えたＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ０．５〜３．０質量％のＣｏ及び０．１〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋ−Ｓｃａｔｔｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：電子後方散乱回折）測定を行い、結晶方位を解析したときに、Ｃｕｂｅ方位｛０ ０ １｝＜１ ０ ０＞の面積率が５％以上、Ｂｒａｓｓ方位｛１ １ ０｝＜１ １ ２＞の面積率が２０％以下、Ｃｏｐｐｅｒ方位｛１ １ ２｝＜１ １ １＞の面積率が２０％以下であり、加工硬化指数が０．２以下であるＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】再結晶前後の寸法変化が小さく、かつ寸法変化の異方性が小さい圧延銅箔を提供する。
【解決手段】圧延平行断面から見て、好ましくは、３５０℃で３０分焼鈍前の圧延平行断面から見て、或いは最終冷間圧延後において、圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に1μｍの深さの線Ｃを横切って該表面に到達するせん断帯の本数が、表裏面の合計値で0.1本/μm以下である圧延銅箔である。３５０℃で３０分間焼鈍前、或いは焼鈍後において、再結晶組織の面積率が50%未満（0%を含む）である。最終冷間圧延において、最終5パスの中で前のパスより加工度が高いパスが存在し、当該5パス中のいずれかのパスの最大加工度が40%を超え、かつ最終パスでの加工度が前記5パス中で最小となり、鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延を行って製造され、当該最終冷間圧延の総加工度が98.5%以下である圧延銅箔である。 （もっと読む）

【課題】高強度と良好な曲げ加工性をあわせ持つコルソン系銅合金を提供する。
【解決手段】質量％で、Ｎｉ：１．００〜５．００％、Ｓｉ：０．２５〜１．２０％、さらに、Ｓｎ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｐ、Ｂ、及びＴｉからなる群から選ばれる少なくとも１種を総量で０．０５〜２．０％含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる銅合金であり、下記式（１）を満たすことを特徴とする銅合金板条。（Ｂｒａｓｓ方位：｛０１１｝＜２−１１＞方位の方位密度）＋（Ｓ方位：｛１２３｝＜６３４＞方位の方位密度）＋（Ｃｏｐｐｅｒ方位：｛１１２｝＜１１１＞方位の方位密度）≦２３式（１） （もっと読む）

【課題】めっき性やはんだ濡れ性に優れると共に、強度や曲げ性を向上させたＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系銅合金条及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Co：0.5〜3.0質量%，Si：0.1〜1.0質量%を含有し、Co/Siの質量比：3.0〜5.0であって、残部が銅および不可避的不純物からなり、圧延平行方向ＲＤの厚み中央Ｃにおける500nm以上の析出物の平均粒径Ａ（nm）と、表面における500nm以上の析出物の平均粒径Ｂ（nm）との比Ａ／Ｂが1.2以上であるＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系銅合金条である。 （もっと読む）

【課題】屈曲性を安定して得られる圧延銅箔を提供する。
【解決手段】200℃0.5時間焼鈍後の (200)面のX線回折ピークの積分強度I(200)と、 (311)面のX線回折ピークの積分強度I(311)との比I(311)/I(200)が0.001以上0.01以下である圧延銅箔である。 （もっと読む）

【課題】優れた屈曲特性と、低スティフネス性とを兼ね備えた圧延銅箔を提供する。
【解決手段】圧延銅箔は、０．０００２質量％以上０．００３質量％以下のケイ素（Ｓｉ）と、０．００２５質量％以上０．０１８質量％以下の硼素（Ｂ）と、０．０００２質量％以上質量比で前記硼素（Ｂ）の５分の１以下の硫黄（Ｓ）とを含有し、残部が無酸素銅又は酸素量が０．００２質量％以下の低酸素濃度の銅（Ｃｕ）、及び不可避不純物からなる銅合金材を、厚さが１μｍ以上２０μｍ以下の箔状体に圧延加工してなる。 （もっと読む）

【課題】充放電を繰り返してもクラックや破断が抑制される二次電池負極集電体用圧延銅箔、Ｌｉイオン二次電池用負極材及びＬｉイオン二次電池を提供する。
【解決手段】結晶金属組織の測定点ａに電子線照射して得られた結晶方位と、測定点ａの周囲２００ｎｍ離間した隣接測定点に電子線照射し得られた結晶方位の方位角度差平均値が０．４°未満である測定点ａを中心とし、測定点ａと各辺の距離が１００ｎｍである正六角形の面積Ａ、面積Ａの合計を面積ＡＴとし、結晶金属組織の測定点ｂに電子線照射して得られた結晶方位と、測定点ｂの周囲２００ｎｍ離間した隣接測定点に電子線照射して得られた結晶方位の方位角度差平均値が０．４°以上２．０°未満である測定点ｂを中心とし、測定点ｂと各辺の距離が１００ｎｍである正六角形の面積Ｂとし、面積Ｂの合計を面積ＢＴとし、面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）＜２０（％）を満たす二次電池負極集電体用圧延銅箔。 （もっと読む）

【課題】圧延方向に対して垂直方向のたわみ係数が低く、曲げ加工性に優れ、優れた強度を有し、電気・電子機器用のリードフレーム、コネクタ、端子材等、自動車車載用などのコネクタや端子材、リレー、スイッチなどに適した銅合金板材を提供する。
【解決手段】ＮｉとＣｏのいずれか１種または２種を合計で０．５〜５．０ｍａｓｓ％、Ｓｉを０．１〜１．５ｍａｓｓ％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる銅合金であって、ＥＢＳＤ法による測定における結晶方位解析において、
Ｃｕｂｅ方位｛１００｝＜００１＞の面積率が５％以上、かつＮＤＲＤＷ方位｛０１２｝＜２２１＞の面積率が１０％以下
であることを特徴とする銅合金板材。 （もっと読む）